PHP78NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
牧师05 - 2005年6月9日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。
1.2产品特点
s
逻辑电平阈值
s
快速开关
1.3应用
s
电脑主板
s
的DC- DC转换器
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
25 V
s
R
DSON
≤
9 m
s
I
D
≤
75 A
s
Q
GD
= 4.2 NC （典型值）
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;地连接到漏
mbb076
简化的轮廓
mb
符号
D
G
S
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
飞利浦半导体
PHP78NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PHP78NQ03LT
SC-46
描述
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导
TO-220AB
VERSION
SOT78
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管正向）电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
25
25
±20
61
43
75
53
228
93
+175
+175
75
228
185
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 43 A;
t
p
= 0.25毫秒; V
DD
≤
25 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;开始在T
j
= 25
°C
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
9397 750 15086
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
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2 12
飞利浦半导体
PHP78NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
10
3
I
D
(A)
10
2
图2.归连续漏极电流为
的安装基座温度功能
003aaa175
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
s
100
s
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 5 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
9397 750 15086
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N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
牧师05 - 2005年6月9日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。
1.2产品特点
s
逻辑电平阈值
s
快速开关
1.3应用
s
电脑主板
s
的DC- DC转换器
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
25 V
s
R
DSON
≤
9 m
s
I
D
≤
75 A
s
Q
GD
= 4.2 NC （典型值）
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;地连接到漏
mbb076
简化的轮廓
mb
符号
D
G
S
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
飞利浦半导体
PHP78NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PHP78NQ03LT
SC-46
描述
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导
TO-220AB
VERSION
SOT78
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管正向）电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
25
25
±20
61
43
75
53
228
93
+175
+175
75
228
185
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 43 A;
t
p
= 0.25毫秒; V
DD
≤
25 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;开始在T
j
= 25
°C
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
9397 750 15086
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飞利浦半导体
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N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
10
3
I
D
(A)
10
2
图2.归连续漏极电流为
的安装基座温度功能
003aaa175
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
s
100
s
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 5 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
9397 750 15086
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3 12
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N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
牧师06 - 2009年6月15日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
适用于高频
由于快速开关应用
特征
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
1.3应用
电脑主板
的DC- DC转换器
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1 ;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
25
75
107
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 12 V ;吨
j
= 25 °C;
SEE
图9 ;
SEE
图10
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图7 ;
SEE
图8
-
4
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
7.65
9
m
恩智浦半导体
PHU78NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 100 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1 ;
SEE
科幻gure 3
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25 °C
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
R
GS
= 20 kΩ的;牛逼
mb
≥
25 ℃;牛逼
mb
≤
175 °C
民
-
-
-20
-
-
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
25
25
20
46.9
57.5
75
66.4
240
107
175
175
75
240
100
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 32 A; V
SUP
≤
25 V;
漏源雪崩松开;吨
p
= 0.17毫秒;
GS
= 50
能源
120
I
DER
(%)
80
003aaa755
120
P
DER
(%)
80
03aa16
40
40
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
标准化的连续漏极电流为
的安装基座温度功能
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
PHU78NQ03LT_6
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2009年6月15日
3 12
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