【飞利浦半导体产品speci fi cation的TrenchMOS 晶体管逻辑电平FET概述N沟道增】,IC型号PHT6N06LT,PHT6N06LT PDF资料,PHT6N06LT经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

概述

N沟道增强模式

逻辑电平场效应功率

晶体管在一个塑料外壳

适合于表面安装。

该器件具有非常低

通态电阻，并具有

积分齐纳二极管捐赠

ESD保护。其目的是为

在DC-DC转换器的使用，

通用开关

应用程序。

PHT6N06LT

快速参考数据

符号

合计

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏极电流（直流）笔

= 25 C

漏极电流（直流）笔

AMB

= 25 C

总功耗

结温

漏极 - 源极导通状态

阻力

= 5 V

马克斯。

5.5

2.5

8.3

150

单位

钉扎 - SOT223

针

门

漏

来源

漏极（选项卡）

描述

引脚配置

符号

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

DGR

合计

英镑

, T

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

存储&工作温度

条件

= 20 k

= 25 C

AMB

= 25 C

= 100 C

AMB

= 100 C

= 25 C

AMB

= 25 C

AMB

= 25 C

分钟。

- 55

马克斯。

±13

5.5

2.5

3.8

1.75

8.3

1.8

150

单位

ESD限值

符号

参数

静电放电电容

电压

条件

人体模型

（ 100 pF的， 1.5千欧）

分钟。

马克斯。

单位

1998年1月

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

热阻

符号

日J- SP

日J- AMB

参数

从结点到焊点

从结点到环境

条件

安装在任何PCB

安装在印刷电路板图17的

典型值。

PHT6N06LT

马克斯。

单位

K / W

静态特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

（ BR ） DSS

GS （ TO ）

DSS

GSS

±V

（ BR ） GSS

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

条件

= 0 V ;我

= 0.25毫安

= -55C

= V

; I

= 1毫安

= 150C

= -55C

= 55 V; V

= 0 V;

±5

= 150C

分钟。

1.0

0.6

典型值。

1.5

0.05

0.02

120

马克斯。

2.0

2.3

100

150

277

单位

栅源击穿电压V

±1

漏极 - 源极导通状态

= 5 V ;我

= 5 A

阻力

动态特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

G（ TOT ）

国际空间站

OSS

RSS

D ON

D OFF

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

输入电容

输出电容

反馈电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

条件

= 25 V ;我

= 5 A;牛逼

= 25C

= 5 A; V

= 44 V; V

= 5 V

分钟。

典型值。

4.5

2.5

250

马克斯。

330

单位

= 0 V; V

= 25 V ; F = 1 MHz的

= 30 V ;我

= 5 A;

= 5 V ;

= 10

;

= 25C

反向二极管极限值和特性

= -55至175℃ ，除非另有说明

符号

DRM

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

= 25C

= 2 A; V

= 0 V

= 2 A; -dI

/ DT = 100 A / μs的;

= -10 V; V

= 30 V

分钟。

典型值。

0.85

0.16

马克斯。

5.5

1.1

单位

1998年1月

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

雪崩限值

符号

DSS

参数

漏源不重复

非钳位电感关断

能源

条件

= 1.9 A; V

≤

25 V;

= 5 V ;

= 50

;

= 25 C

分钟。

典型值。

PHT6N06LT

马克斯。

单位

1998年1月

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHT6N06LT

120

110

100

PD ％

归一化功率降额

1E+02

3E+01

1E+01

3E+00

1E+00

3E-01

1E-01

3E-02

第Z / （K / W）

BUKX8150-55

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

100

TMB / C

120

140

1E-02

1E-07

1E-05

1E-03

T / S

1E-01

1E+01

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

D 25 C

= F （T

)

ID％

归一化电流降额

图4 。瞬态热阻抗。

日J- SP

= F（T） ;参数D = T

漏极电流ID （ A）

3.8

3.4

3.2

3.0

2.8

2.2

2.6

2.4

VGS = 3.6 V

120

110

100

TMB / C

100

120

140

漏 - 源电压， VDS （V ）

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

D 25 C

= F （T

） ;条件： V

≥

5 V

图5 。典型的输出特性，T

= 25 C.

= F（V

） ;参数V

400 RDS （ ON）毫欧

350

BUKX8150-55

100

ID / A

TP =

RDS （ ON）= VDS / ID

1美国

10我们

100美

1毫秒

150

300

3.2

250

200

3.4

3.6

100

10毫秒

100毫秒

0.1

VDS / V

ID / A

如图3所示。安全工作区。牛逼

= 25 C

＆放大器;我

= F（V

); I

单脉冲;参数t

图6 。典型通态电阻，T

= 25 C.

DS （ ON）

= F（我

） ;参数V

1998年1月

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHT6N06LT

ID / A

2.5

VGS （ TO ） / V

马克斯。

BUK98xx-55

典型值。

1.5

分钟。

TJ / C = 150

0.5

VGS / V

-100

-50

TJ / C

100

150

200

图7 。典型的传输特性。

= F（V

） ;条件： V

= 25 V ;参数T

跨导， GFS （ S）

图10 。栅极阈值电压。

GS （ TO ）

= F （T

） ;条件：我

= 1毫安; V

= V

亚阈值传导

1E-01

1E-02

典型值

98%

1E-03

1E-04

1E-05

漏极电流ID （ A）

1E-05

0.5

1.5

2.5

图8 。典型的跨导，T

= 25 C.

= F（我

） ;条件： V

= 25 V

图11 。亚阈值漏电流。

= F（V

GS ）

;条件：T已

= 25 ℃; V

= V

600

2.5

BUK98XX-55

RDS（ON）标准化为25degC

500

400

1.5

300

西塞

200

100

0.5

-100

-50

TMB /摄氏度

100

150

200

0.01

科斯

CRSS

0.1

VDS / V

100

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

DS （ ON） 25 C

= F （T

); I

= 5 A; V

= 5 V

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

C = F（V

） ;条件： V

= 0 V ; F = 1 MHz的

1998年1月

启1.100

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