【PHT4NQ10TN沟道增强模式音响场效晶体管版本01 - 2000年7月31日产品speci fi】,IC型号PHT4NQ10T,PHT4NQ10T PDF资料,PHT4NQ10T经销商,ic,电子元器件-51电子网

PHT4NQ10T

N沟道增强模式音响场效晶体管

版本01 - 2000年7月31日

产品speci fi cation

1.描述

在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管

的TrenchMOS

技术。

产品可用性：

PHT4NQ10T在SOT223 。

2.特点

的TrenchMOS 技术

非常快速的切换

表面贴装封装。

3.应用

在DC初级侧开关DC转换器

高速线路驱动器

快速通用的开关。

4.管脚信息

表1：

针

钢钉 - SOT223 ，简化的外形和符号

描述

栅极（G ）

漏极（四）

源（G ）

漏极（四）

03ab45

简化的轮廓

符号

03ab30

SOT223

N沟道MOSFET

的TrenchMOS是皇家飞利浦电子公司的商标。

飞利浦半导体

PHT4NQ10T

N沟道增强模式音响场效晶体管

5.快速参考数据

表2：

合计

DSON

快速参考数据

条件

= 25 ℃150℃

= 25

°C;

= 10 V

= 25

°C

= 10 V ;我

= 1.75 A

典型值

200

最大

100

3.5

6.9

150

250

单位

°C

漏极 - 源极电压（直流）

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

漏源导通电阻

符号参数

6.极限值

表3 ：限制值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号参数

DGR

漏极 - 源极电压（直流）

漏极 - 栅极电压（直流）

栅极 - 源极电压（直流）

漏电流（ DC ）

= 25

°C;

= 10 V;

图2

和

= 100

°C;

= 10 V;

图2

合计

英镑

峰值漏极电流

总功耗

储存温度

工作结温

源（二极管的正向）直流（DC）

峰源（二极管正向）电流

非重复性雪崩能量

= 25

°C

= 25

°C;

脉冲;吨

≤

非钳位感性负载;我

= 3.5 A;

= 0.2毫秒; V

≤

15 V ;

= 50

;

= 10 V ;起始物为

= 25

°C;

图4

非钳位感性负载; V

≤

15 V;

= 50

;

= 10 V;

图4

= 25

°C;

脉冲;吨

≤

科幻gure 3

= 25

°C;

图1

条件

= 25 150

°C

= 25 150

°C;

= 20 k

民

最大

100

±20

3.5

2.2

6.9

+150

3.5

单位

°C

源极 - 漏极二极管

雪崩耐用性

非重复性雪崩电流

3.5

9397 750 07337

产品speci fi cation

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2 13

飞利浦半导体

PHT4NQ10T

N沟道增强模式音响场效晶体管

03aa17

120

DER

(%)

100

(%)

03aa25

120

伊德尔

100

125

TSP

150

（ OC ）

175

100

125

150 175

TSP （ C）

合计

DER

----------------------

100%

合计

(

25 C

)

≥

10 V

DER

------------------

100%

(

25 C

)

看图1，归一化的总功耗为

功能的焊料点的温度。

102

(A)

03aa88

图2.归连续漏极电流为

功能的焊料点的温度。

IAS

(A)

25oC

03aa97

导通电阻= VDS / ID

TP = 10

100

特区

10-1

10-2

1毫秒

10毫秒

100毫秒

TJ雪崩前= 125℃

10-1

10-2

10-1

102 V (V) 103

TP（ ms）的

= 25

°C;

是单一脉冲。

非钳位感性负载; V

≤

15 V ;

= 50

;

= 10 V ;起始物为

= 25

°C

和125°C 。

图3.安全工作区;连续和峰值漏极

电流与漏 - 源极电压的函数。

图4.非重复性雪崩耐用电流

由于脉冲持续时间的函数。

9397 750 07337

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飞利浦半导体

PHT4NQ10T

N沟道增强模式音响场效晶体管

7.热特性

表4：

符号

日（J -SP ）

号（j -a）的

热特性

参数

从结热阻焊接

点

从结点到环境的热阻

条件

安装有金属箔的基板上;

图5

安装在印刷电路板;

最小的足迹

价值

150

单位

K / W

7.1瞬态热阻抗

102

第Z （J -SP ）

（K / W）

03aa87

= 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

10-1

单脉冲

10-2

10-5

10-4

10-3

10-2

10-1

TP （多个）

安装有金属箔的基板上。

图5.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为一个功能

脉冲持续时间。

9397 750 07337

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飞利浦半导体

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N沟道增强模式音响场效晶体管

8.特点

表5 ：性质

= 25

C除非另有规定编

符号

（ BR ） DSS

参数

漏源击穿

电压

条件

= 250

= 0 V

= 25

°C

55 °C

GS （ TH）

栅源阈值电压I

= 1毫安; V

= V

= 25

°C;

图10

= 150

°C;

图10

55 °C;

图10

DSS

漏极 - 源极漏电流

= 100 V; V

= 0 V

= 25

°C

= 150

°C

GSS

DSON

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

±20

V; V

= 0 V

= 10 V ;我

= 1.75 A

= 25

°C;

图8

和

= 150

°C;

图9

动态特性

G（ TOT ）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

关断的上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

源极 - 漏极（二极管的正向）

电压

反向恢复时间

恢复电荷

= 3.5 A; V

= 0 V;

图14

= 3.5 A;

/ DT =

100

A / μs的;

= 0 V; V

= 30 V

= 50 V ;

= 15

;

= 10 V ;

= 6

= 0 V; V

= 25 V;

F = 1兆赫;

图13

= 5 V ;我

= 3.5 A;

图12

= 3.5 A; V

= 80 V;

= 10 V;

图15

4.2

7.4

1.5

3.3

300

0.87

100

1.5

200

250

575

250

100

1.2

100

130

民

典型值

最大

单位

静态特性

源极 - 漏极二极管

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5 13

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