PHT2NQ10T
N沟道晶体管的TrenchMOS
M3D087
版本01 - 2001年10月16日
产品数据
1.描述
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性：
PHT2NQ10T在SOT223
2.特点
s
的TrenchMOS 技术
s
快速开关
s
表面贴装封装。
3.应用
s
在DC初级侧开关DC转换器
s
高速驱动器
s
速度快，通用开关。
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
4
钢钉 - SOT223 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
4
简化的轮廓
符号
d
漏极（四）
源极（S ）
漏极（四）
1
顶视图
g
s
2
3
MSB002 - 1
MBB076
SOT223
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子股份有限公司的商标。
飞利浦半导体
PHT2NQ10T
N沟道晶体管的TrenchMOS
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
25°C
≤
to
≤
150
°C
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
sp
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 1.75 A
典型值
315
最大
100
2.5
6.25
150
430
单位
V
A
W
°C
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
AS
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
sp
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
sp
= 25
°C;
t
p
≤
10
s
非重复性雪崩能量
非钳位感性负载;我
D
=2.5 A;
t
p
= 0.2毫秒; V
DD
≤
15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;起始物为
j
= 25
°C;
图4
非钳位感性负载; V
DD
≤
15 V;
R
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V;
图4
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
条件
25°C
≤
to
≤
150
°C
25°C
≤
to
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
民
65
65
最大
100
100
±20
2.5
1.6
10
6.25
+150
+150
2.5
10
32
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
I
AS
非重复性雪崩电流
2.5
A
9397 750 08918
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飞利浦半导体
PHT2NQ10T
N沟道晶体管的TrenchMOS
7.热特性
表4：
R
日（J -SP ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
安装在印刷电路板上;
最小的足迹
数值单位
20
150
K / W
K / W
从结点到安装在金属箔的基板上的焊点热阻;
图5
从结点到环境的热阻
符号参数
7.1瞬态热阻抗
102
第Z （J -SP ）
（K / W）
03ag26
10
δ
= 0.5
0.2
0.1
1
0.05
P
δ
=
tp
T
0.02
t
T
单脉冲
10-1
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
tp
10
TP （多个）
T
sp
= 25
°C
图5.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数。
9397 750 08918
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