【飞利浦半导体产品speci fi cation的TrenchMOS 晶体管逻辑电平FET概述N沟道增】,IC型号PHT11N06,PHT11N06 PDF资料,PHT11N06经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

概述

N沟道增强模式

逻辑电平场效应功率

晶体管在一个塑料外壳

适合于表面安装。

该器件具有非常低

通态电阻，并具有

积分齐纳二极管捐赠

ESD保护。其目的是为

在DC-DC转换器的使用，

通用开关

应用程序。

PHT11N06LT

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

P

合计

T

j

R

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏极电流（直流）笔

sp

= 25 C

漏极电流（直流）笔

AMB

= 25 C

总功耗

结温

漏极 - 源极导通状态

阻力

V

GS

= 5 V

马克斯。

55

10.7

4.9

8.3

150

40

单位

V

A

W

C

m

钉扎 - SOT223

针

1

2

3

4

门

漏

来源

漏极（选项卡）

描述

引脚配置

4

符号

d

g

s

1

2

3

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DS

V

DGR

±V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

, T

j

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

存储&工作温度

条件

-

R

GS

= 20 k

-

T

sp

= 25 C

T

AMB

= 25 C

T

sp

= 100 C

T

AMB

= 100 C

T

sp

= 25 C

T

AMB

= 25 C

T

sp

= 25 C

T

AMB

= 25 C

-

分钟。

-

- 55

马克斯。

55

13

10.7

4.9

7.5

3.4

42

19

8.3

1.8

150

单位

V

A

W

C

ESD限值

符号

V

C

参数

静电放电电容

电压

条件

人体模型

（ 100 pF的， 1.5千欧）

分钟。

-

马克斯。

2

单位

kV

1998年1月

1

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

热阻

符号

R

日J- SP

R

日J- AMB

参数

从结点到焊点

从结点到环境

条件

安装在任何PCB

安装在印刷电路板图18的

典型值。

12

-

PHT11N06LT

马克斯。

15

70

单位

K / W

静态特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

I

DSS

I

GSS

±V

（ BR ） GSS

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安

T

j

= -55C

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 150C

T

j

= -55C

V

DS

= 55 V; V

GS

= 0 V;

V

GS

=

±5

V

T

j

= 150C

T

j

= 150C

T

j

= 150C

分钟。

55

50

1.0

0.6

-

10

-

典型值。

-

1.5

-

0.05

-

0.02

-

30

-

马克斯。

-

2.0

-

2.3

10

100

1

5

-

40

74

单位

V

A

V

m

栅极 - 源极击穿电压I

G

=

±1

mA

漏极 - 源极导通状态

V

GS

= 5 V ;我

D

= 5 A

阻力

动态特性

T

mb

= 25 ° C除非另有说明

符号

g

fs

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

输入电容

输出电容

反馈电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

条件

V

DS

= 25 V ;我

D

= 5 A;牛逼

j

= 25C

I

D

= 9 A; V

DD

= 44 V; V

GS

= 5 V

分钟。

11

-

典型值。

19

17

3.5

10

1050

205

110

17

65

70

马克斯。

-

1400

245

150

25

100

105

单位

S

nC

pF

ns

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

V

DD

= 30 V ;我

D

= 9 A;

V

GS

= 5 V ;

G

= 10

;

T

j

= 25C

反向二极管极限值和特性

T

j

= -55至175℃ ，除非另有说明

符号

I

DR

I

DRM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

T

sp

= 25C

T

sp

= 25C

I

F

= 5 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 5 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= -10 V; V

R

= 30 V

分钟。

-

典型值。

-

0.85

45

.3

马克斯。

10.7

40

1.1

-

单位

A

V

ns

C

1998年1月

2

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

雪崩限值

符号

W

DSS

参数

漏源不重复

非钳位电感关断

能源

条件

I

D

= 3.6 A; V

DD

≤

25 V;

V

GS

= 5 V ;

GS

= 50

;

T

sp

= 25 C

分钟。

-

PHT11N06LT

典型值。

-

马克斯。

60

单位

mJ

1998年1月

3

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHT11N06LT

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

1E+02

3E+01

1E+01

3E+00

1E+00

3E-01

1E-01

3E-02

第Z / （K / W）

BUK9840-55

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

P

D

t

p

= T

T

0

1E-05

1E-03

T / S

1E-01

t

0

20

40

60

80

100

TMB / C

120

140

1E-02

1E-07

1E+01

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

sp

)

ID％

归一化电流降额

20

10

ID / A

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- SP

= F（T） ;参数D = T

p

/T

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

4

3.6

VGS / V =

3.4

15 5

3.2

10

3.0

2.8

5

2.6

2.4

2.2

0

2

4

6

8

10

0

20

40

60

80

TMB / C

100

120

140

0

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

sp

） ;条件： V

GS

≥

5 V

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

RDS （ ON） /毫欧

VGS / V =

3

BUKX840-55

80

100

ID / A

RDS （ ON）= VDS / ID

10

TP =

1美国

10我们

100美

1毫秒

DC

1

10毫秒

100毫秒

30

70

60

3.2

50

3.4

3.6

4

5

40

0.1

1

VDS / V

10

55

20

0

5

10

ID / A

15

20

25

如图3所示。安全工作区。牛逼

sp

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

1998年1月

4

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHT11N06LT

20

ID / A

2.5

VGS （ TO ） / V

马克斯。

BUK98xx-55

15

2

典型值。

1.5

10

分钟。

1

TJ / C =

150

25

5

0.5

0

1

2

VGS / V

3

4

0

-100

-50

0

50

TJ / C

100

150

200

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;条件： V

DS

= 25 V ;参数T

j

跨导， GFS （ S）

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

亚阈值传导

25

1E-01

20

1E-02

2%

典型值

98%

1E-03

15

1E-04

10

1E-05

5

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

漏极电流ID （ A）

1E-05

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

） ;条件： V

DS

= 25 V

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

2.5

a

BUK98XX-55

RDS（ON）标准化为25degC

2.0

2

数千pF的

1.5

1.0

西塞

1

0.5

-100

-50

0

50

TMB /摄氏度

100

150

200

0

0.01

科斯

CRSS

0.1

1

VDS / V

10

100

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

); I

D

= 5 A; V

GS

= 5 V

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

1998年1月

5

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

概述

N沟道增强模式

逻辑电平场效应功率

晶体管在一个塑料外壳

适合于表面安装。

运用

“海沟”

技术

器件具有极低

通态电阻，并具有

积分齐纳二极管捐赠

ESD保护。其目的是为

在DC-DC转换器的使用，

通用开关

应用程序。

PHT11N06T

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

P

合计

T

j

R

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏极电流（直流）笔

sp

= 25 C

漏极电流（直流）笔

AMB

= 25 C

总功耗

结温

漏极 - 源极导通状态

阻力

V

GS

= 10 V

马克斯。

55

10.7

4.9

8.3

150

40

单位

V

A

W

C

m

钉扎 - SOT223

针

1

2

3

4

门

漏

来源

漏极（选项卡）

描述

引脚配置

4

符号

d

g

s

1

2

3

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DS

V

DGR

±V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

, T

j

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

存储&工作温度

条件

-

R

GS

= 20 k

-

T

sp

= 25 C

T

AMB

= 25 C

T

sp

= 100 C

T

AMB

= 100 C

T

sp

= 25 C

T

AMB

= 25 C

T

sp

= 25 C

T

AMB

= 25 C

-

分钟。

-

- 55

马克斯。

55

20

10.7

4.9

7.5

3.4

42

19

8.3

1.8

150

单位

V

A

W

C

ESD限值

符号

V

C

参数

静电放电电容

电压

条件

人体模型

（ 100 pF的， 1.5千欧）

分钟。

-

马克斯。

2

单位

kV

1997年12月

1

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

热阻

符号

R

日J- SP

R

日J- AMB

参数

从结点到焊点

从结点到环境

条件

安装在任何PCB

安装在印刷电路板图19

典型值。

12

-

PHT11N06T

马克斯。

15

70

单位

K / W

静态特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

I

DSS

I

GSS

±V

（ BR ） GSS

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安

T

j

= -55C

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 150C

T

j

= -55C

V

DS

= 55 V; V

GS

= 0 V;

V

GS

=

±10

V

T

j

= 150C

T

j

= 150C

T

j

= 150C

分钟。

55

50

2.0

1.2

-

16

-

典型值。

-

3.0

-

0.05

-

0.04

-

30

-

马克斯。

-

4.0

-

4.4

10

100

1

10

-

40

74

单位

V

A

V

m

栅极 - 源极击穿电压I

G

=

±1

mA

漏极 - 源极导通状态

V

GS

= 10 V ;我

D

= 5 A

阻力

动态特性

T

mb

= 25 ° C除非另有说明

符号

g

fs

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

输入电容

输出电容

反馈电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

条件

V

DS

= 25 V ;我

D

= 5 A;牛逼

j

= 25C

I

D

= 9 A; V

DD

= 44 V; V

GS

= 10 V

分钟。

3

-

典型值。

12

18

4.5

10

700

200

100

15

50

33

20

马克斯。

-

880

240

140

23

75

50

30

单位

S

nC

pF

ns

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

V

DD

= 30 V ;我

D

= 9 A;

V

GS

= 10 V ;

g

= 10

T

j

= 25C

反向二极管极限值和特性

T

j

= -55至175℃ ，除非另有说明

符号

I

DR

I

DRM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

T

sp

= 25C

T

sp

= 25C

I

F

= 5 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 5 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= -10 V; V

R

= 30 V

分钟。

-

典型值。

-

0.85

45

0.3

马克斯。

10.7

40

1.1

-

单位

A

V

ns

C

1997年12月

2

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

雪崩限值

符号

W

DSS

参数

漏源不重复

非钳位电感关断

能源

条件

I

D

= 3.6 A; V

DD

≤

25 V;

V

GS

= 10 V ;

GS

= 50

;

T

sp

= 25 C

分钟。

-

典型值。

-

PHT11N06T

马克斯。

60

单位

mJ

1997年12月

3

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

PHT11N06T

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

1E+02

3E+01

1E+01

3E+00

1E+00

3E-01

1E-01

3E-02

第Z / （K / W）

BUK9840-55

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

P

D

t

p

= T

T

0

1E-05

1E-03

T / S

1E-01

t

0

20

40

60

80

100

TMB / C

120

140

1E-02

1E-07

1E+01

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

sp

)

ID％

归一化电流降额

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- SP

= F（T） ;参数D = T

p

/T

20

ID / A

10

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

16

8.0

6.5

VGS / V =

6.0

15

5.5

10

5.0

5

4.5

0

20

40

60

80

TMB / C

100

120

140

4.0

0

2

4

6

8

10

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

sp

） ;条件： V

GS

≥

10 V

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

RDS （ ON） /毫欧

VGS / V =

5.5

6

60

BUKX840-55

80

70

100

ID / A

RDS （ ON）= VDS / ID

10

TP =

1美国

10我们

100美

1毫秒

DC

1

10毫秒

100毫秒

50

40

30

20

10

6.5

7

8

10

0.1

1

VDS / V

10

55

0

5

10

ID / A

15

20

25

如图3所示。安全工作区。牛逼

sp

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

1997年12月

4

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

PHT11N06T

20

ID / A

5

VGS （ TO ） / V

马克斯。

BUK78xx-55

15

4

典型值。

3

10

TJ / C =

5

150

25

分钟。

2

1

0

-100

0

1

2

3 VGS / V 4

5

6

7

-50

0

50

TJ / C

100

150

200

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;条件： V

DS

= 25 V ;参数T

j

16

GFS / S

14

12

10

8

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

亚阈值传导

1E-01

1E-02

2%

典型值

98%

1E-03

1E-04

6

4

2

1E-05

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

ID / A

1E-06

0

1

2

3

4

5

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

） ;条件： V

DS

= 25 V

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

1.4

1.2

2.5

a

BUK98XX-55

RDS（ON）标准化为25degC

数千pF的

2

1.0

0.8

西塞

0.6

0.4

0.2

1.5

1

0.5

-100

科斯

CRSS

-50

0

50

TMB /摄氏度

100

150

200

0

0.01

0.1

1

VDS / V

10

100

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

); I

D

= 5 A; V

GS

= 10 V

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

1997年12月

5

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

概述

N沟道增强模式

逻辑电平场效应功率

晶体管在一个塑料外壳

适合于表面安装。

该器件具有非常低

通态电阻，并具有

积分齐纳二极管捐赠

ESD保护。其目的是为

在DC-DC转换器的使用，

通用开关

应用程序。

PHT11N06LT

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

P

合计

T

j

R

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏极电流（直流）笔

sp

= 25 C

漏极电流（直流）笔

AMB

= 25 C

总功耗

结温

漏极 - 源极导通状态

阻力

V

GS

= 5 V

马克斯。

55

10.7

4.9

8.3

150

40

单位

V

A

W

C

m

钉扎 - SOT223

针

1

2

3

4

门

漏

来源

漏极（选项卡）

描述

引脚配置

4

符号

d

g

s

1

2

3

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DS

V

DGR

±V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

, T

j

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

存储&工作温度

条件

-

R

GS

= 20 k

-

T

sp

= 25 C

T

AMB

= 25 C

T

sp

= 100 C

T

AMB

= 100 C

T

sp

= 25 C

T

AMB

= 25 C

T

sp

= 25 C

T

AMB

= 25 C

-

分钟。

-

- 55

马克斯。

55

13

10.7

4.9

7.5

3.4

42

19

8.3

1.8

150

单位

V

A

W

C

ESD限值

符号

V

C

参数

静电放电电容

电压

条件

人体模型

（ 100 pF的， 1.5千欧）

分钟。

-

马克斯。

2

单位

kV

1998年1月

1

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

热阻

符号

R

日J- SP

R

日J- AMB

参数

从结点到焊点

从结点到环境

条件

安装在任何PCB

安装在印刷电路板图18的

典型值。

12

-

PHT11N06LT

马克斯。

15

70

单位

K / W

静态特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

I

DSS

I

GSS

±V

（ BR ） GSS

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安

T

j

= -55C

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 150C

T

j

= -55C

V

DS

= 55 V; V

GS

= 0 V;

V

GS

=

±5

V

T

j

= 150C

T

j

= 150C

T

j

= 150C

分钟。

55

50

1.0

0.6

-

10

-

典型值。

-

1.5

-

0.05

-

0.02

-

30

-

马克斯。

-

2.0

-

2.3

10

100

1

5

-

40

74

单位

V

A

V

m

栅极 - 源极击穿电压I

G

=

±1

mA

漏极 - 源极导通状态

V

GS

= 5 V ;我

D

= 5 A

阻力

动态特性

T

mb

= 25 ° C除非另有说明

符号

g

fs

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

输入电容

输出电容

反馈电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

条件

V

DS

= 25 V ;我

D

= 5 A;牛逼

j

= 25C

I

D

= 9 A; V

DD

= 44 V; V

GS

= 5 V

分钟。

11

-

典型值。

19

17

3.5

10

1050

205

110

17

65

70

马克斯。

-

1400

245

150

25

100

105

单位

S

nC

pF

ns

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

V

DD

= 30 V ;我

D

= 9 A;

V

GS

= 5 V ;

G

= 10

;

T

j

= 25C

反向二极管极限值和特性

T

j

= -55至175℃ ，除非另有说明

符号

I

DR

I

DRM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

T

sp

= 25C

T

sp

= 25C

I

F

= 5 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 5 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= -10 V; V

R

= 30 V

分钟。

-

典型值。

-

0.85

45

.3

马克斯。

10.7

40

1.1

-

单位

A

V

ns

C

1998年1月

2

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

雪崩限值

符号

W

DSS

参数

漏源不重复

非钳位电感关断

能源

条件

I

D

= 3.6 A; V

DD

≤

25 V;

V

GS

= 5 V ;

GS

= 50

;

T

sp

= 25 C

分钟。

-

PHT11N06LT

典型值。

-

马克斯。

60

单位

mJ

1998年1月

3

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHT11N06LT

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

1E+02

3E+01

1E+01

3E+00

1E+00

3E-01

1E-01

3E-02

第Z / （K / W）

BUK9840-55

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

P

D

t

p

= T

T

0

1E-05

1E-03

T / S

1E-01

t

0

20

40

60

80

100

TMB / C

120

140

1E-02

1E-07

1E+01

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

sp

)

ID％

归一化电流降额

20

10

ID / A

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- SP

= F（T） ;参数D = T

p

/T

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

4

3.6

VGS / V =

3.4

15 5

3.2

10

3.0

2.8

5

2.6

2.4

2.2

0

2

4

6

8

10

0

20

40

60

80

TMB / C

100

120

140

0

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

sp

） ;条件： V

GS

≥

5 V

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

RDS （ ON） /毫欧

VGS / V =

3

BUKX840-55

80

100

ID / A

RDS （ ON）= VDS / ID

10

TP =

1美国

10我们

100美

1毫秒

DC

1

10毫秒

100毫秒

30

70

60

3.2

50

3.4

3.6

4

5

40

0.1

1

VDS / V

10

55

20

0

5

10

ID / A

15

20

25

如图3所示。安全工作区。牛逼

sp

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

1998年1月

4

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHT11N06LT

20

ID / A

2.5

VGS （ TO ） / V

马克斯。

BUK98xx-55

15

2

典型值。

1.5

10

分钟。

1

TJ / C =

150

25

5

0.5

0

1

2

VGS / V

3

4

0

-100

-50

0

50

TJ / C

100

150

200

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;条件： V

DS

= 25 V ;参数T

j

跨导， GFS （ S）

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

亚阈值传导

25

1E-01

20

1E-02

2%

典型值

98%

1E-03

15

1E-04

10

1E-05

5

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

漏极电流ID （ A）

1E-05

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

） ;条件： V

DS

= 25 V

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

2.5

a

BUK98XX-55

RDS（ON）标准化为25degC

2.0

2

数千pF的

1.5

1.0

西塞

1

0.5

-100

-50

0

50

TMB /摄氏度

100

150

200

0

0.01

科斯

CRSS

0.1

1

VDS / V

10

100

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

); I

D

= 5 A; V

GS

= 5 V

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

1998年1月

5

启1.100