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飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

PHP9NQ20T ， PHB9NQ20T

PHD9NQ20T

快速参考数据

特点

“海沟”

技术

低通态电阻

快速开关

低热阻

符号

DSS

= 200 V

= 8.7 A

DS （ ON）

≤

400 m

概述

N型沟道，使用增强型的场效应功率晶体管

TRENCH

技术，用于在离线使用

开关电源，电视和电脑显示器电源，直流以直流转换器，电机控制电路

和通用开关应用。

该PHP9NQ20T是在SOT78 （ TO220AB ）传统的引线封装提供

该PHB9NQ20T是在SOT404 （提供

PAK ）表面安装封装

该PHD9NQ20T是在SOT428 （ DPAK ）表面贴装封装提供

钉扎

针

TAB

描述

门

漏

来源

SOT78 （ TO220AB ）

TAB

SOT404 （D

PAK ）

TAB

SOT428 （ DPAK ）

TAB

1 23

漏

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

DSS

DGR

, T

英镑

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

工作结

储存温度

条件

= 25 °C至175℃下

= 25 °C至175℃ ;

= 20 k

= 25 ℃; V

= 10 V

= 100℃ ; V

= 10 V

= 25 C

分钟。

- 55

马克斯。

200

8.7

6.2

175

单位

这是无法接受的连接销：的SOT404或SOT428包装2 。

1999年8月

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

PHP9NQ20T ， PHB9NQ20T

雪崩能量极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

非重复性雪崩

能源

峰值不重复

雪崩电流

条件

非钳位感性负载时，我

= 7.2A;

= 100

雪崩= 25之前;

≤

25 V ;

= 50

;

= 10 V ;参考

图15

分钟。

马克斯。

单位

8.7

热阻

符号参数

日J- MB

日J-一

热阻结

安装基座

热阻结

到环境

条件

分钟。

SOT78封装，在自由空气

SOT404 & SOT428封装，印刷电路板

安装，占用空间最小

典型值。马克斯。单位

1.7

K / W

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

（ BR ） DSS

GS （ TO ）

DS （ ON）

GSS

DSS

G（ TOT ）

D ON

D OFF

国际空间站

OSS

RSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

正向跨导

门源漏电流

零栅压漏

当前

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反馈电容

条件

= 0 V ;我

= 0.25毫安;

= -55C

= V

; I

= 1毫安

= 175C

= -55C

= 10 V ;我

= 4.5 A

= 175C

= 25 V ;我

= 4.5 A

10 V; V

= 0 V

= 200 V; V

= 0 V

= 175C

= 9 A; V

= 160 V; V

= 10 V

分钟。

200

178

3.8

典型值。马克斯。单位

300

0.05

3.5

4.5

7.5

959

400

1.16

100

500

≤ 100 V ;

= 10

;

= 10 V ;

= 5.6

阻性负载

测量标签，模具中心

从测得的漏导致的模具中心

（ SOT78封装）

从源铅源测量

焊盘

= 0 V; V

= 25 V ; F = 1 MHz的

1999年8月

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

PHP9NQ20T ， PHB9NQ20T

反向二极管极限值和特性

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲电流源（体

二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

= 9 A; V

= 0 V

= 9 A; -dI

/ DT = 100 A / μs的;

= -10 V; V

= 25 V

典型值。马克斯。单位

0.85

0.5

1.2

1999年8月

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

PHP9NQ20T ， PHB9NQ20T

归一化功率降额， PD （％）

100

125

安装基座的温度， TMB （ C）

150

175

瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

D = TP / T

1E-04

1E-03

1E-02

1E-01

1E+00

0.01

1E-06

1E-05

脉冲宽度TP （多个）

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

D 25 C

= F （T

)

图4 。瞬态热阻抗。

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

漏极电流ID （ A）

TJ = 25℃

VGS = 10V

5.5 V

归一化电流降额， ID （％）

100

125

安装基座的温度， TMB （ C）

150

175

4.5 V

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

漏 - 源电压， VDS （V ）

1.6

1.8

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

D 25 C

= F （T

); V

≥

10 V

峰值漏电流脉冲， IDM （ A）

图5 。典型的输出特性，T

= 25 C.

= F（V

)

100

0.5

RDS （ ON）= VDS / ID

TP = 10我们

100美

特区

10毫秒

100毫秒

1毫秒

0.45

0.4

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0.1

100

漏 - 源电压， VDS （V ）

1000

漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON）（欧姆）

4.5 V

TJ = 25℃

5.5 V

VGS = 10V

漏极电流ID （ A）

如图3所示。安全工作区

＆放大器;我

= F（V

); I

单脉冲;参数t

图6 。典型通态电阻，T

= 25 C.

DS （ ON）

= F（我

)

1999年8月

启1.100

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的TrenchMOS 晶体管

PHP9NQ20T ， PHB9NQ20T

漏极电流ID （ A）

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

5.5

栅 - 源电压，V GS （V）的

175 C

TJ = 25℃

VDS > ID X RDS （ ON）

4.5

3.5

2.5

1.5

0.5

阈值电压VGS （ TO ）（V ）

最大

典型

最低

-60

-40

-20

100 120 140 160 180

结温TJ（ C）

图7 。典型的传输特性。

= F（V

)

跨导， GFS （ S）

VDS > ID X RDS （ ON）

TJ = 25℃

图10 。栅极阈值电压。

GS （ TO ）

= F （T

） ;条件：我

= 1毫安; V

= V

漏极电流ID （ A）

1.0E-01

1.0E-02

175 C

1.0E-03

最低

典型

1.0E-04

最大

1.0E-05

1.0E-06

漏极电流ID （ A）

0.5

1.5

2.5

3.5

栅 - 源电压，V GS （V）的

4.5

图8 。典型的跨导，T

= 25 C.

= F（我

)

正规化的导通状态电阻

2.9

2.7

2.5

2.3

2.1

1.9

1.7

1.5

1.3

1.1

0.9

0.7

0.5

-60

-40

-20

20 40 60 80 100 120 140 160 180

结温TJ（ C）

图11 。亚阈值漏电流。

= F（V

GS ）

;条件：T已

= 25 C

电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）

10000

西塞

1000

科斯

100

CRSS

0.1

漏 - 源电压， VDS （V ）

100

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

DS （ ON）

DS （ ON） 25 C

= F （T

)

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

C = F（V

） ;条件： V

= 0 V ; F = 1 MHz的

1999年8月

启1.100