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PHP/PHB/PHD98N03LT
N沟道增强模式音响场效晶体管
牧师02 - 二○○一年十月十八日
产品数据
1.描述
N沟道逻辑电平连接的场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性:
PHP98N03LT在SOT78 ( TO- 220AB )
PHB98N03LT在SOT404 (D
2
-Pak )
PHD98N03LT在SOT428 ( D- PAK ) 。
2.特点
s
低通态电阻
s
快速切换。
3.应用
s
计算机主机板高频DC到DC转换器。
4.管脚信息
表1:
穿针 - SOT78 , SOT404 , SOT428简化的外形和符号
简化的轮廓
mb
mb
mb
引脚说明
1
2
3
mb
栅极(G )
符号
d
漏极(四)
源极(S )
安装基座
连接到漏极(D)
[1]
g
s
MBB076
2
2
1
MBK106
1
3
MBK116
3
MBK091
顶视图
1 2 3
SOT78 ( TO- 220AB )
[1]
SOT404 (D
2
-Pak )
SOT428 ( D- PAK )
这是无法接受的连接的SOT404和SOT428封装引脚2 。
1.
的TrenchMOS是Koniklijke飞利浦电子公司的商标。
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD98N03LT
N沟道增强模式音响场效晶体管
5.快速参考数据
表2:
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°C
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A
典型值
-
-
-
-
5.2
6.2
最大
25
75
111
175
5.9
7.3
单位
V
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 :限制值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压(直流)
漏极 - 栅极电压(直流)
栅极 - 源极电压(直流)
栅源电压
漏电流( DC )
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源(二极管的正向)直流(DC )笔
mb
= 25
°C
峰源(二极管正向)电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10
s
t
p
50
s;
脉冲;
占空比25% ;牛逼
j
150
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
T
j
= 25 175
°C
T
j
= 25 175
°C;
R
GS
= 20 k
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
25
25
±15
±20
75
66
240
111
+175
+175
75
240
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
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牧师02 - 二○○一年十月十八日
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飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD98N03LT
N沟道增强模式音响场效晶体管
120
PDER
(%)
80
03aa16
03af00
120
伊德尔
(%)
80
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB ( C)
o
0
0
50
100
150
200
TMB (℃ )
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1,归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
03af02
导通电阻= VDS / ID
TP = 10微秒
102
100 s
1毫秒
DC
10
10毫秒
100毫秒
1
1
10
VDS ( V)
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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飞利浦半导体
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N沟道增强模式音响场效晶体管
7.热特性
表4:
R
日( J- MB )
R
号(j -a)的
热特性
条件
图4
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;最低限度
足迹; SOT404和SOT428封装
数值单位
1.35
60
50
K / W
K / W
K / W
从结点到安装热阻
BASE
从结点到环境的热阻
符号参数
7.1瞬态热阻抗
10
第Z ( J- MB )
(K / W)
1
δ
= 0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
10-2
单脉冲
03af01
P
δ
=
tp
T
tp
T
10-3
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
TP (多个)
t
10
图4.瞬态从结的热阻抗,以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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飞利浦半导体
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N沟道增强模式音响场效晶体管
8.特点
表5 :性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
( BR ) DSS
漏源击穿电压
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS ( TH)
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±15
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;
图7
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
图7
8
T
j
= 25
°C
动态特性
Q
G( TOT )
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极(米勒)电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
源极 - 漏极(二极管的正向)电压余
S
= 25 A; V
GS
= 0 V;
图12
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 10 A;迪
S
/ DT =
100
A / μs的; V
GS
= 0 V
V
DD
= 15 V ;我
D
= 12.5 A; V
GS
= 5 V;
R
G
= 5.6
;
阻性负载
V
GS
= 0 V; V
DS
= 20V; F = 1兆赫;
图11
I
D
= 50 A; V
DD
= 15 V; V
GS
= 5 V;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
16
15
710
510
18
80
104
104
0.9
37
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
5.2
5.9
m
-
-
6.2
10.5
7.3
12.4
m
m
-
-
-
0.05
-
10
1
500
100
A
A
nA
1
0.5
-
1.5
-
-
2
-
2.3
V
V
V
25
22
-
-
-
-
V
V
条件
典型值
最大
单位
3000 -
源极 - 漏极二极管
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