PHP95N03LT ; PHB95N03LT ;
PHE95N03LT
N沟道晶体管的TrenchMOS
版本01 - 2001年2月2日
产品speci fi cation
1.描述
N沟道逻辑电平连接的场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性：
PHP95N03LT在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB95N03LT在SOT404 （D
2
-Pak ）
PHE95N03LT在SOT226 （我
2
-PAK ） 。
2.特点
s
低通态电阻
s
快速切换。
3.应用
s
高频计算机主机板的DC到DC转换器
c
c
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT78 ， SOT404 ， SOT226简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
mb
mb
mb
简化的轮廓
符号
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到
漏极（四）
[1]
d
g
2
1
MBK106
1 2 3
MBK112
MBB076
s
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
1.
SOT404 （D
2
-Pak ）
SOT226 （我
2
-Pak ）
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子公司的商标。
飞利浦半导体
PHP95N03LT系列
N沟道晶体管的TrenchMOS
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A
典型值
5
7.5
最大
25
75
125
175
7
9
单位
V
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
AS
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非重复性雪崩能量
非钳位感性负载;
I
D
= 75 A;吨
p
= 0.1毫秒; V
DD
= 15 V;
R
GS
= 50
;
V
GS
= 5V ;起始物为
j
= 25
°C;
非钳位感性负载;
V
DD
= 15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 5V;
起始物为
j
= 25
°C
t
p
≤
50
s;
脉冲;
占空比25％ ;牛逼
j
≤
150
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
T
j
= 25 175
°C
T
j
= 25 175
°C;
R
GS
= 20 k
民
55
55
最大
25
25
±15
±20
75
61
240
125
+175
+175
75
240
120
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
I
AS
非重复性雪崩电流
75
A
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120
PDER 110
(%) 100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
03ac97
03ad94
120
I
DER
(%)
100
80
60
40
20
120 140 160 180
TMB （℃ ）
0
0
60
120
T
mb
(C) 180
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
103
I
D
(A)
R
DSON
= V
DS
/ I
D
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
03ad77
TP = 10微秒
100 s
102
1毫秒
10
P
特区
δ
=
tp
T
10毫秒
100毫秒
tp
T
t
1
1
10
V
DS
(V)
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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7.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
垂直静止空气中; SOT78封装
垂直静止空气中; SOT226封装
安装在印刷电路板;最低限度
足迹; SOT404和SOT226封装
数值单位
1.2
60
65
50
K / W
K / W
K / W
K / W
从结点到安装热阻
BASE
从结点到环境的热阻
符号参数
7.1瞬态热阻抗
03ad76
10
Z
日（J -SP ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
10-2
单脉冲
tp
T
t
P
tp
T
δ
=
10-3
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
t
p
(s)
10
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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