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飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

PHP8N20E

概述

N沟道增强模式

在场效应功率晶体管

塑料外壳具有高

雪崩能量功能，稳定

阻断电压，开关速度快和

高的热循环性能

具有低的热阻。意

在开关电源的使用

电源（SMPS ），电机控制

电路和通用

开关应用。

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

P

合计

R

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

漏源导通电阻

马克斯。

200

9.2

90

0.4

单位

V

A

W

钉扎 - TO220AB

针

1

2

3

TAB

门

漏

来源

漏

描述

引脚配置

TAB

符号

d

g

1 23

s

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

I

D

I

DM

P

D

P

D

/T

mb

V

GS

E

AS

I

AS

T

j

, T

英镑

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

栅源电压

单脉冲雪崩

能源

峰值雪崩电流

工作结

存储温度范围

条件

T

mb

= 25 ℃; V

GS

= 10 V

T

mb

= 100℃ ; V

GS

= 10 V

T

mb

= 25 C

T

mb

= 25 C

T

mb

> 25 C

V

DD

≤

50 V ;起始物为

j

= 25 ;

GS

= 50

;

V

GS

= 10 V

V

DD

≤

50 V ;起始物为

j

= 25 ;

GS

= 50

;

V

GS

= 10 V

分钟。

-

-

-

-

-

-

-

-

- 55

马克斯。

9.2

6.5

37

90

0.6

±

30

250

9.2

175

单位

A

A

A

W

W / K

V

mJ

A

C

热阻

符号

R

日J- MB

R

日J-一

参数

热阻结到

安装底座

热阻结到

环境

条件

分钟。

-

-

典型值。

-

60

马克斯。

1.67

-

单位

K / W

K / W

1997年2月

1

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

PHP8N20E

电气特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/

T

j

R

DS （ ON）

V

GS （ TO ）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

d

L

d

L

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

漏源击穿

电压

漏源击穿

电压温度系数

漏源导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反馈电容

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安

V

DS

= V

GS

; I

D

= 0.25毫安

V

GS

= 10 V ;我

D

= 6.4 A

V

DS

= V

GS

; I

D

= 0.25毫安

V

DS

= 50 V ;我

D

= 5.4 A

V

DS

= 200 V; V

GS

= 0 V

V

DS

= 160 V; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

= 125 C

V

GS

=

±30

V; V

DS

= 0 V

I

D

= 5.9 A; V

DD

= 160 V; V

GS

= 10 V

分钟。

200

-

-

2.0

3.8

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.25

0.35

3.0

4.7

1

30

10

30

4.5

15

12

45

80

40

3.5

4.5

7.5

700

100

50

马克斯。

-

-

0.4

4.0

-

25

250

100

40

6

20

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

单位

V

V / K

V

S

A

A

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

nH

nH

nH

pF

pF

pF

V

DD

= 100V ;我

D

= 5.9 A;

R

G

= 12

;

R

D

= 16

从螺丝接触测量

标签，模具中心

从漏极引线6毫米测

从包装到模具中心

从源测量导致6毫米

从包装到源焊盘

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

源极 - 漏极二极管额定值和特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲电流源（体

二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

T

mb

= 25C

T

mb

= 25C

I

S

= 9 A; V

GS

= 0 V

I

S

= 5.9 A; V

GS

= 0 V;

的di / dt = 100 A / μs的

分钟。

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

180

1.2

马克斯。

9.2

37

1.5

-

-

单位

A

A

V

ns

C

1997年2月

2

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

PHP8N20E

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

10

第Z / （K / W）

BUKx54-lv

D=

1

0.5

0.2

0.1

0.1

0.05

0.02

0

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

P

D

t

p

D=

t

p

T

t

1E+01

0.01

1E-07

T

1E-05

1E-03

T / S

1E-01

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

mb

)

ID％

归一化电流降额

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

ID / A

VGS / V =

20

10

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

20

BUK444-200A

8

15

7

10

6

5

5

0

4

20

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

0

2

4

6

8

10 12

VDS / V

14

16

18

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

mb

） ;条件： V

GS

≥

10 V

ID / A

/ ID

图5 。典型的输出特性。

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

BUK454-200A

6

6.5

7

VGS / V =

7.5

8

100

BUK454-200A,B

A

B

TP = 10我们

1.5

RDS （ ON） /欧姆

4.5 5

5.5

10

RD

O

S(

N)

=

S

VD

1.0

100美

1毫秒

10毫秒

100毫秒

DC

1

10

0.5

20

0.1

1

10

100

VDS / V

1000

0

0

2

4

6

8

10 12

ID / A

14

16

18

20

如图3所示。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻。

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

1997年2月

3

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

PHP8N20E

20

ID / A

BUK454-200A

4

VGS （ TO ） / V

马克斯。

TJ / C =

15

25

150

典型值。

3

分钟。

2

10

5

1

0

0

0

2

4

VGS / V

6

8

10

-60

-20

20

60

TJ / C

100

140

180

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;参数T

j

GFS / S

BUK454-200A

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 0.25毫安; V

DS

= V

GS

ID / A

亚阈值传导

6

5

4

3

1E-01

1E-02

1E-03

2%

典型值

98 %

1E-04

2

1

0

0

2

4

6

8

10 12

ID / A

14

16

18

20

1E-05

1E-06

0

1

2

VGS / V

3

4

图8 。典型的跨导。

g

fs

= F（我

D

） ;参数T

j

a

归一化的RDS（ON ） = F （TJ）

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

BUK4y4-200

2.8

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

10000

C / pF的

1000

西塞

100

科斯

CRSS

-60

-20

20

60

TJ / C

100

140

180

10

0

20

VDS / V

40

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

); I

D

= 5.9 A; V

GS

= 10 V

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

1997年2月

4

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

PHP8N20E

12

10

8

6

4

2

0

VGS / V

BUK454-200

VDS / V = 40

160

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

EAS ，正常化松开电感能量（％）

0

4

8

12

16

QG / NC

20

24

28

20

40

60

80

开始TJ （ C）

100

120

140

160

180

图13 。典型导通栅极电荷特性。

V

GS

= F （Q

G

） ;参数V

DS

归一化漏源击穿电压

V（ BR ） DSS @ TJ

V（ BR ） DSS @ 25℃

图16 。正常化松开电感能量。

E

AS

（％）= F（T

j

)

1.15

1.1

1.05

1

0.95

0.9

+

L

VDS

VGS

0

RGS

T.U.T.

R 01

分流

VDD

-

-ID/100

0.85

-100

-50

0

50

TJ ，结温（ C）

100

150

图14 。归一化漏源击穿电压。

V

（ BR ） DSS

/V

（ BR ） DSS 25 C

= F （T

j

)

IF / A

BUK454-200A

图17 。非钳位感应测试电路。

2

E

AS

=

0.5

LI

D

V

（ BR ） DSS

/(V

（ BR ） DSS

V

DD

)

20

15

10

TJ / C = 150

5

25

0

0

1

VSDS / V

2

图15 。源极 - 漏极二极管特性。

I

F

= F（V

SDS

） ;参数T

j

1997年2月

5

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