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PHP83N06T
的TrenchMOS 标准水平FET
版本01 - 2002年1月11日
M3D307
产品数据
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术，具有极低的导通电阻。
产品可用性：
PHP83N06T在SOT78
(TO-220AB).
2.特点
s
的TrenchMOS 技术
s
快速开关
s
低通态电阻。
3.应用
s
开关模式电源
s
不间断电源
s
通用开关。
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT78 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
mb
d
简化的轮廓
符号
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
g
s
MBB076
MBK106
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子股份有限公司的商标。
飞利浦半导体
PHP83N06T
的TrenchMOS 标准水平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
9
-
12
24
m
m
典型值
-
-
-
-
最大
60
75
166
175
单位
V
A
W
°C
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
E
DS （ AL ）
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流（DC）的
脉冲反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 65 A;
V
DS
≤
55 V; V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
起始物为
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
60
60
±20
75
59
240
166
+175
+175
75
240
211
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
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产品数据
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飞利浦半导体
PHP83N06T
的TrenchMOS 标准水平FET
120
PDER
(%)
80
03aa16
03ag75
120
伊德尔
(%)
80
40
40
0
0
50
100
150
200
o
TMB （ C）
0
0
50
100
150
200
TMB （℃ ）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
03ag66
导通电阻= VDS / ID
102
TP = 10微秒
100 s
1毫秒
10
DC
10毫秒
100毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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的TrenchMOS 标准水平FET
7.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
SOT78封装;垂直静止空气中
最小典型最大单位
-
-
-
60
0.9
-
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
符号参数
7.1瞬态热阻抗
1
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
03ag65
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
10-2
单脉冲
tp
T
P
δ
=
tp
T
t
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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的TrenchMOS 标准水平FET
8.特点
表5 ：性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 25 A; V
GS
= 0 V;
图12
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的
V
GS
=
10
V; V
DS
= 30 V
V
DD
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 10
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
图11
V
DD
= 44 V ;我
D
= 25 A; V
GS
= 10 V;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
70
10
26
510
290
18
90
84
68
0.85
62
140
-
-
-
645
467
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
-
9
-
12
24
m
m
-
-
-
0.05
-
2
10
500
100
A
A
nA
2
1
-
3
-
-
4
-
4.4
V
V
V
60
55
-
-
-
-
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
2230 3093 pF的
源极 - 漏极二极管
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