【PHP83N03LT ; PHB83N03LT ;PHE83N03LTN沟道晶体管的TrenchMO】,IC型号PHP83N03LT,PHP83N03LT PDF资料,PHP83N03LT经销商,ic,电子元器件-51电子网

PHP83N03LT ; PHB83N03LT ;

PHE83N03LT

N沟道晶体管的TrenchMOS

版本01 - 2001年1月23日

产品speci fi cation

1.描述

N沟道逻辑电平连接的场效电源在一个塑料包装使用的晶体管

的TrenchMOS

技术。

产品可用性：

PHP83N03LT在SOT78 （ TO- 220AB ）

PHB83N03LT在SOT404 （D

-Pak ）

PHE83N03LT在SOT226 （我

-PAK ）。

2.特点

低通态电阻

快速切换。

3.应用

高频计算机主机板的DC到DC转换器

4.管脚信息

表1：

针

穿针 - SOT78 ， SOT404 ， SOT226简化的外形和符号

描述

栅极（G ）

简化的轮廓

符号

漏极（四）

源极（S ）

安装基座

连接到

漏极（四）

[1]

MBK106

1 2 3

MBK112

MBB076

MBK116

1 2 3

SOT78 （ TO- 220AB ）

[1]

SOT404 （D

-Pak ）

SOT226 （我

-Pak ）

这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。

的TrenchMOS是皇家飞利浦电子公司的商标。

飞利浦半导体

PHP83N03LT系列

N沟道晶体管的TrenchMOS

5.快速参考数据

表2：

合计

DSON

快速参考数据

条件

= 25 175

°C

= 25

°C;

= 5 V

= 25

°C

= 10 V ;我

= 25 A;牛逼

= 25

°C

= 5 V ;我

= 25 A;牛逼

= 25

°C

典型值

6.5

最大

115

175

单位

°C

漏极 - 源极电压（直流）

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

漏源导通电阻

符号参数

6.极限值

表3 ：限制值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号参数

DGR

GSM

合计

英镑

漏极 - 源极电压（直流）

漏极 - 栅极电压（直流）

栅极 - 源极电压（直流）

栅源电压

漏电流（ DC ）

峰值漏极电流

总功耗

储存温度

工作结温

源（二极管的正向）直流（DC ）笔

= 25

°C

峰源（二极管正向）电流T

= 25

°C;

脉冲;吨

≤

非重复性雪崩能量

非钳位感性负载;

= 75 A;吨

= 0.1毫秒; V

= 15 V;

= 50

;

= 5V ;起始物为

= 25

°C

非钳位感性负载;

= 15 V ;

= 50

;

= 5 V;

起始物为

= 25

°C

≤

脉冲;

占空比25％ ;牛逼

≤

150

°C

= 25

°C;

= 5 V;

图2

和

= 100

°C;

= 5 V;

图2

= 25

°C;

脉冲;吨

≤

科幻gure 3

= 25

°C;

图1

条件

= 25 175

°C

= 25 175

°C;

= 20 k

民

最大

±15

±20

240

115

+175

240

120

单位

°C

源极 - 漏极二极管

雪崩耐用性

非重复性雪崩电流

9397 750 07815

产品speci fi cation

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2 15

飞利浦半导体

PHP83N03LT系列

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120

PDER 110

(%) 100

03ac97

03ad95

120

DER

(%)

100

120 140 160 180

TMB （℃ ）

120

合计

DER

----------------------

100%

合计

(

25 C

)

DER

------------------

100%

(

25 C

)

看图1，归一化的总功耗为

功能安装基座的温度。

103

(A)

DSON

= V

/ I

图2.归连续漏极电流为

功能安装基座的温度。

03ad86

TP = 10微秒

102

100 s

1毫秒

特区

10毫秒

100毫秒

(V)

102

= 25

°C;

是单一脉冲。

图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。

9397 750 07815

产品speci fi cation

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3 15

飞利浦半导体

PHP83N03LT系列

N沟道晶体管的TrenchMOS

7.热特性

表4：

日（ J- MB ）

号（j -a）的

热特性

条件

图4

垂直静止空气中; SOT78封装

垂直静止空气中; SOT226封装

安装在印刷电路板;最低限度

足迹; SOT404和SOT226封装

数值单位

1.3

K / W

从结点到安装热阻

BASE

从结点到环境的热阻

符号参数

7.1瞬态热阻抗

03ad85

日（J -SP ）

（K / W）

= 0.5

0.2

10-1

0.1

0.05

0.02

10-2

单脉冲

10-3

10-5

10-4

10-3

10-2

10-1

(s)

图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。

9397 750 07815

产品speci fi cation

版本01 - 2001年1月23日

4 15

飞利浦半导体

PHP83N03LT系列

N沟道晶体管的TrenchMOS

8.特点

表5 ：性质

= 25

C除非另有规定编

符号参数

静态特性

（ BR ） DSS

漏源击穿电压

= 0.25毫安; V

= 0 V

= 25

°C

55 °C

GS （ TH）

门源阈值电压

= 1毫安; V

= V

;

图9

= 25

°C

= 175

°C

55 °C

DSS

漏极 - 源极漏电流

= 25 V; V

= 0 V

= 25

°C

= 175

°C

GSS

DSON

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

±5

V; V

= 0 V

= 5 V ;我

= 25 A;

图7

和

= 25

°C

= 175

°C

= 10 V ;我

= 25 A

= 25

°C

动态特性

G（ TOT ）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

源极 - 漏极（二极管的正向）电压余

= 25 A; V

= 0 V;

图13

= 40 A; V

= 0 V

= 15 V ;我

= 1 ; V

= 10 V ;

= 6

;

阻性负载

= 0 V; V

= 25 V ; F = 1兆赫;

图12

= 25 V ;我

= 30 A;

图11

= 30 A; V

= 15 V; V

= 5 V;

图14

12.5

590

380

0.9

0.95

1.2

6.5

20.5

0.05

500

100

0.5

1.5

2.3

条件

民

典型值

最大

单位

1660

源极 - 漏极二极管

9397 750 07815

产品speci fi cation

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5 15

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