【飞利浦半导体产品speci fi cation的TrenchMOS 晶体管逻辑电平FET特点“海沟”】,IC型号PHP80N06LT,PHP80N06LT PDF资料,PHP80N06LT经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

特点

“海沟”

技术

极低的通态电阻

快速开关

稳定的关闭状态特性

高的热循环性能

低热阻

PHP80N06LT ， PHB80N06LT

符号

d

快速参考数据

V

DSS

= 55 V

I

D

= 75 A

g

s

R

DS （ ON）

≤

14毫欧（V

GS

= 5 V)

R

DS （ ON）

≤

13毫欧（V

GS

= 10 V)

概述

N沟道增强模式下，逻辑电平，在使用“沟槽”技术的塑料封套场效应功率晶体管。

该装置具有非常低的导通状态电阻。它是为使用在直流 - 直流转换器和通用切换

应用程序。

该PHP80N06LT是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。

该PHB80N06LT是在SOT404表面安装封装。

钉扎

针

1

2

3

TAB

门

漏

1

来源

漏

描述

SOT78 （ TO220AB ）

TAB

SOT404

TAB

2

1 23

1

3

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

V

DSS

V

DGR

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

j

, T

英镑

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

工作结

储存温度

条件

T

j

= 25 °C至175℃下

T

j

= 25 °C至175℃ ;

GS

= 20 k

T

mb

= 25 C

T

mb

= 100 C

T

mb

= 25 C

T

mb

= 25 C

分钟。

-

- 55

马克斯。

55

±

13

75

56

240

178

175

单位

V

A

W

C

1

这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。

1998年1月

1

启1.300

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

热阻

符号参数

R

日J- MB

R

日J-一

热阻结

安装基座

热阻结

到环境

条件

PHP80N06LT ， PHB80N06LT

典型值。

-

马克斯。

0.84

-

单位

K / W

SOT78封装，在自由空气

SOT404封装，PCB安装，最小值

脚印

60

50

ESD限值

符号参数

V

C

静电放电

电容电压，所有引脚

条件

人体模型（ 100 pF的， 1.5千欧）

分钟。

-

马克斯。

2

单位

kV

电气特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

V

GS （ TO ）

R

DS （ ON）

g

fs

I

GSS

I

DSS

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

d

L

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安;

I

G

=

±1

毫安;

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 175C

T

j

= -55C

V

GS

= 5 V ;我

D

= 25 A

V

GS

= 10 V ;我

D

= 25 A

T

j

= 175C

正向跨导

V

DS

= 25 V ;我

D

= 25 A

门源漏电流V

GS

=

±5

V; V

DS

= 0 V

T

j

= 175C

零栅压漏

当前

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反馈电容

V

DS

= 55 V; V

GS

= 0 V;

T

j

= 175C

I

D

= 50 A; V

DD

= 44 V; V

GS

= 5 V

T

j

= -55C

分钟。

55

50

10

1.0

0.5

-

30

-

典型值。马克斯。单位

-

1.5

-

12

10

-

65

0.02

-

0.05

-

43

13

20

35

95

130

60

3.5

4.5

7.5

2900

500

240

-

2.0

-

2.3

14

13

30

-

1

20

10

500

-

50

145

180

80

-

3800

600

330

V

m

S

A

nC

ns

nH

pF

V

DD

= 30 V ;我

D

= 25 A;

V

GS

= 5 V ;

G

= 10

阻性负载

从测得的标签，模具中心

从测得的漏导致的模具中心

（ SOT78封装）

从源铅源测量

焊盘

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

1998年1月

2

启1.300

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHP80N06LT ， PHB80N06LT

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流

（体二极管）

脉冲电流源（体

二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

-

I

F

= 25 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 65 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 65 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= -10 V; V

R

= 30 V

-

典型值。马克斯。单位

-

0.95

1.0

57

0.14

68

240

1.2

-

A

V

ns

C

雪崩限值

符号参数

W

DSS

条件

分钟。

-

马克斯。

200

单位

mJ

漏源不重复的我

D

= 65 A; V

DD

≤

25 V; V

GS

= 5 V;

非钳位感应关关R

GS

= 50

;

T

mb

= 25 C

能源

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

100

ID （ A）

电流降额

不限按包

80

60

40

20

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

0

20

40

60

80

100

TMB / C

120

140

160

180

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

mb

)

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

mb

） ;条件： V

GS

≥

5 V

1998年1月

3

启1.300

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHP80N06LT ， PHB80N06LT

SOAX514

1000

20

RDS （ ON） /毫欧

VGS / V =

3.6

4

ID / A

RDS （ ON）= VDS / ID

100

TP =

1美国

10我们

100美

DC

1毫秒

10毫秒

100毫秒

18

4.2

16

4.4

4.6

5

14

10

12

1

10

VDS / V

55

100

10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70

75

80

85

90

95 100

ID / A

如图3所示。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

100

ID / A

80

1E+01

第Z / （K / W）

BUKX514-55

1E+00

0.5

1E-01

0.2

0.1

0.05

0.02

1E-02

0

T

t

20

TJ / C = 175

25

60

P

D

t

p

D=

t

p

T

40

1E-03

1E-07

1E-05

1E-03

T / S

1E-01

1E+01

0

1

2

VGS / V 3

4

5

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

漏极电流ID （ A）

10

4

5

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;条件： V

DS

= 25 V ;参数T

j

跨导， GFS （ S）

100

70

80

VGS = 3.8 V

3.6

3.4

60

50

60

3.2

40

30

3.0

2.8

20

10

0

20

2.6

2.4

0

2

4

6

8

漏 - 源电压， VDS （V ）

10

0

20

40

60

漏极电流ID （ A）

80

100

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

） ;条件： V

DS

= 25 V

1998年1月

4

启1.300

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHP80N06LT ， PHB80N06LT

2.5

a

BUK959-60

RDS（ON） normlised到25degC

6

5

2

数千pF的

4

1.5

3

西塞

2

1

0.5

-100

-50

0

50

TMB /摄氏度

100

150

200

0

0.01

科斯

CRSS

0.1

1

VDS / V

10

100

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

); I

D

= 25 A; V

GS

= 5 V

VGS （ TO ） / V

马克斯。

2

典型值。

1.5

分钟。

1

BUK959-60

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

6

VGS / V

5

VDS = 14V

4

VDS = 44V

2.5

3

2

0.5

1

0

-100

-50

0

50

TJ / C

100

150

200

0

10

20

QG / NC 30

40

50

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

亚阈值传导

图13 。典型导通栅极电荷特性。

V

GS

= F （Q

G

） ;条件：我

D

= 50 A;参数V

DS

100

IF / A

80

1E-01

1E-02

2%

典型值

98%

60

1E-03

40

1E-04

20

TJ / C =

175

25

1E-05

0

1E-05

0

0.2

0.4

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

0.6

0.8

VSDS / V

1

1.2

1.4

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

图14 。典型的反向二极管电流。

I

F

= F（V

SDS

） ;条件： V

GS

= 0 V ;参数T

j

1998年1月

5

启1.300