PHP79NQ08LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
版本03 - 2010年4月26日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
1.3应用
的DC- DC转换器
通用开关电源
电机，灯具和螺线管
不间断电源
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
快速参考数据
参数
漏源
电压
漏电流
总功率
耗散
漏源
导通状态
阻力
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大单位
75
73
157
V
A
W
静态特性
R
DSON
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图9 ;
SEE
图10
-
14
16
m
动态特性
Q
GD
栅极 - 漏极电荷V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 60 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11 ;
SEE
图12
-
14
-
nC
恩智浦半导体
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N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号说明
G
D
S
D
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
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TO-220AB
描述
塑料单端封装;散热器安装; 1安装
孔; 3引脚TO - 220AB
VERSION
SOT78
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 °C
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1 ;
SEE
科幻gure 3
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≤
175 ℃;牛逼
j
≥
25 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-15
-
-
-
-
-
-
-55
-55
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
75
75
15
73
47
51
67
240
157
175
175
67
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
A
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
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N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
表4 。
符号
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
- 续
参数
峰源电流
不重复
漏源
雪崩能量
条件
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 35 A;
V
SUP
≤
75 V ;
GS
= 50
;
t
p
= 0.07毫秒;
松开
民
-
-
典型值
-
-
最大
270
120
单位
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
雪崩耐用性
120
I
DER
(%)
80
03aa24
120
P
DER
(%)
80
03aa16
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
标准化的连续漏极电流为
的安装基座温度功能
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
003aaa910
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/I
D
t
p
= 10
μs
1ms
DC
10
10毫秒
100毫秒
1s
1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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