PHP/PHB/PHD78NQ03LT
N沟道增强模式音响场效晶体管
版本01 - 2001年11月14日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
N沟道逻辑电平连接的场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PHP78NQ03LT在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB78NQ03LT在SOT404 （D
2
-Pak ）
PHD78NQ03LT在SOT428 （ D- PAK ） 。
1.2产品特点
s
低通态电阻
s
快速开关
1.3应用
s
电脑主板
s
DC到DC转换
1.4快速参考数据
s
V
DS
= 25 V
s
P
合计
= 93 W (
T
mb
= 25
°C)
s
I
D
= 75 A (
T
mb
= 25
°C)
s
R
DSON
= 9 m (
T
j
= 25
°C)
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT78 ， SOT404 ， SOT428简化的概括和符号
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到
漏极（四）
1
MBK106
简化的轮廓
mb
mb
mb
符号
[1]
d
g
2
3
1
MBK116
2
3
MBK091
MBB076
s
顶视图
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
SOT404 （D
2
-Pak ）
SOT428 （ D- PAK ）
这是无法接受的连接的SOT404或SOT428封装管脚2 。
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD78NQ03LT
N沟道增强模式音响场效晶体管
3.极限值
表2：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
t
p
≤
50
s;
脉冲;
占空比25％ ;牛逼
j
≤
150
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
T
j
= 25 175
°C
T
j
= 25 175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
25
25
±15
±20
61
43
75
53
228
93
+175
+175
75
228
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
9397 750 08916
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产品数据
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飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD78NQ03LT
N沟道增强模式音响场效晶体管
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
03aa24
80
40
40
0
0
50
100
150
200
o
TMB （ C）
0
0
50
100
150
200
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
03aaa175
ID
(A)
导通电阻= VDS / ID
TP = 10微秒
102
100 s
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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N沟道增强模式音响场效晶体管
4.热特性
表3：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;最低限度
足迹; SOT404和SOT428封装
数值单位
1.6
60
50
K / W
K / W
K / W
从结点到安装热阻
BASE
从结点到环境的热阻
符号参数
4.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
03ag18
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
10-1
0.05
P
δ
=
tp
T
0.02
单脉冲
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
tp
T
t
10
TP （多个）
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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PHP78NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
牧师05 - 2005年6月9日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。
1.2产品特点
s
逻辑电平阈值
s
快速开关
1.3应用
s
电脑主板
s
的DC- DC转换器
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
25 V
s
R
DSON
≤
9 m
s
I
D
≤
75 A
s
Q
GD
= 4.2 NC （典型值）
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;地连接到漏
mbb076
简化的轮廓
mb
符号
D
G
S
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
飞利浦半导体
PHP78NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PHP78NQ03LT
SC-46
描述
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导
TO-220AB
VERSION
SOT78
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管正向）电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
25
25
±20
61
43
75
53
228
93
+175
+175
75
228
185
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 43 A;
t
p
= 0.25毫秒; V
DD
≤
25 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;开始在T
j
= 25
°C
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
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2 12
飞利浦半导体
PHP78NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
10
3
I
D
(A)
10
2
图2.归连续漏极电流为
的安装基座温度功能
003aaa175
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
s
100
s
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 5 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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3 12
PHP78NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
牧师06 - 2009年1月30日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
适用于高频
由于快速开关应用
特征
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
1.3应用
电脑主板
的DC- DC转换器
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25 °C
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
25
75
93
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 5 V ;我
D
= 50 A;
V
DS
= 15 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图9 ;
SEE
图10
-
4.2
5.6
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
7.65
9
m
恩智浦半导体
PHP78NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT78
（ TO- 220AB ， SC- 46 ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
类型编号
包
名字
描述
VERSION
PHP78NQ03LT
TO-220AB;
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78
SC-46
TO-220AB
PHP78NQ03LT_6
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
PHP78NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 °C
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1 ;
SEE
科幻gure 3
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
25
25
20
43
75
53
61
228
93
175
175
75
228
185
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 43 A; V
SUP
≤
25 V;
漏源雪崩松开;吨
p
= 0.25毫秒;
GS
= 50
能源
PHP78NQ03LT_6
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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3 13
PHP78NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
牧师05 - 2005年6月9日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。
1.2产品特点
s
逻辑电平阈值
s
快速开关
1.3应用
s
电脑主板
s
的DC- DC转换器
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
25 V
s
R
DSON
≤
9 m
s
I
D
≤
75 A
s
Q
GD
= 4.2 NC （典型值）
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;地连接到漏
mbb076
简化的轮廓
mb
符号
D
G
S
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
飞利浦半导体
PHP78NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PHP78NQ03LT
SC-46
描述
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导
TO-220AB
VERSION
SOT78
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管正向）电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
25
25
±20
61
43
75
53
228
93
+175
+175
75
228
185
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 43 A;
t
p
= 0.25毫秒; V
DD
≤
25 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;开始在T
j
= 25
°C
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
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飞利浦半导体
PHP78NQ03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
10
3
I
D
(A)
10
2
图2.归连续漏极电流为
的安装基座温度功能
003aaa175
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
s
100
s
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 5 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
9397 750 15086
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3 12
QQ：2880707522 复制
