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PHP73N06T ; PHB73N06T
N沟道增强模式音响场效晶体管
版本01 - 2001年3月12日
产品speci fi cation
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性:
PHP73N06T在SOT78 ( TO- 220AB )
PHB73N06T在SOT404 (D
2
-PAK ) 。
2.特点
s
快速开关
s
极低的通态电阻。
3.应用
s
通用开关
s
开关模式电源。
c
4.管脚信息
c
表1:
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78和SOT404 ,简化的外形和符号
描述
栅极(G )
漏极(四)
源极(S )
安装底座;
连接到
漏极(四)
1
MBK106
简化的轮廓
mb
mb
符号
[1]
d
g
s
2
3
MBK116
MBB076
1 2 3
SOT78 ( TO- 220AB )
[1]
1.
SOT404 (D
2-
PAK )
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子公司的商标。
飞利浦半导体
PHP73N06T ; PHB73N06T
N沟道增强模式音响场效晶体管
5.快速参考数据
表2:
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 25
°C
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
典型值
12
最大
55
73
149
175
14
单位
V
A
W
°C
m
漏极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 :限制值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压(直流)
漏极 - 栅极电压(直流)
栅极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
3
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
AS
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源(二极管的正向)直流(DC )笔
mb
= 25
°C
峰源(二极管正向)电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10
s
非重复性雪崩能量
非钳位感性负载;我
AS
= 50 A;
t
p
= 0.1毫秒; V
DD
25 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 5 V ;起始物为
j
= 25
°C;
图4
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
T
j
= 25 175
°C
T
j
= 25 175
°C;
R
GS
= 20 k
55
55
最大
55
55
±20
73
52
266
166
175
175
73
266
125
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
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PHP73N06T ; PHB73N06T
N沟道增强模式音响场效晶体管
120
PDER
(%)
100
03aa16
03aa24
120
I
DER
(%)
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TMB (℃ )
0
0
25
50
75
100
125
150
175 200
o
TMB ( C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1,归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
003aaa083
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
102
IAS
(A)
003aaa085
103
ID
(A)
102
导通电阻= VDS / ID
TP =
1
s
10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
tp
T
t
TP =
25℃
10
10
T
10 1
P
δ
=
tp
特区
TJ前雪崩= 150摄氏度
1
1
10
VDS ( V)
1
102
10-3
10-2
10-1
1
TP MS
10
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
非钳位感性负载; V
DD
25 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 5 V ;起始物为
j
= 25
°C
150
°C
图3.安全工作区;连续和峰值漏极
电流与漏 - 源极电压的函数。
图4.非重复性雪崩耐用电流
由于脉冲持续时间的函数。
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7.热特性
表4:
符号
R
日( J- MB )
R
号(j -a)的
热特性
参数
条件
价值
0.9
60
50
单位
K / W
K / W
K / W
从结点到安装热阻
图5
BASE
从结点到环境的热阻
SOT78封装;垂直静止空气中
SOT404封装;安装在
印刷电路板;最低限度
足迹。
7.1瞬态热阻抗
δ
= 0.5
1
第Z ( J- MB )
(K / W)
10-1
δ
=
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10-2
单脉冲
P
003aaa084
δ
=
tp
T
tp
T
10-3
10-7
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
t
10
TP (多个)
图5.瞬态结点的一个函数的热阻抗,以安装基座
脉冲持续时间。
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8.特点
表5 :性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号参数
静态特性
V
( BR ) DSS
漏源击穿电压
V
GS ( TH)
门源阈值电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图10
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
图8
9
T
j
= 25
o
C
T
j
= 175
°C
动态特性
Q
G( TOT )
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极(米勒)电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极(二极管的正向)电压余
S
= 25 A; V
GS
= 0 V;
图14
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 73 A;
dI
S
/ DT =
100
A / μs的;
V
GS
=
10
V; V
R
= 30 V
V
DD
= 30 V ;
D
= 1.2
;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;
图13
I
D
= 50 A; V
DD
= 44 V;
V
GS
= 10 V;
图15
54
10
19
1848
421
231
17
79
57
51
0.85
54
0.12
2464
506
317
26
119
80
71
1.2
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
C
12
14
28
m
m
0.05
2
10
500
100
A
A
nA
2
1
3
4
V
V
55
V
条件
典型值
最大
单位
源极 - 漏极二极管
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