PHP73N06T ; PHB73N06T
N沟道增强模式音响场效晶体管
版本01 - 2001年3月12日
产品speci fi cation
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性:
PHP73N06T在SOT78 ( TO- 220AB )
PHB73N06T在SOT404 (D
2
-PAK ) 。
2.特点
s
快速开关
s
极低的通态电阻。
3.应用
s
通用开关
s
开关模式电源。
c
4.管脚信息
c
表1:
针
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78和SOT404 ,简化的外形和符号
描述
栅极(G )
漏极(四)
源极(S )
安装底座;
连接到
漏极(四)
1
MBK106
简化的轮廓
mb
mb
符号
[1]
d
g
s
2
3
MBK116
MBB076
1 2 3
SOT78 ( TO- 220AB )
[1]
1.
SOT404 (D
2-
PAK )
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子公司的商标。
飞利浦半导体
PHP73N06T ; PHB73N06T
N沟道增强模式音响场效晶体管
5.快速参考数据
表2:
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 25
°C
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
典型值
12
最大
55
73
149
175
14
单位
V
A
W
°C
m
漏极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 :限制值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压(直流)
漏极 - 栅极电压(直流)
栅极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
AS
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源(二极管的正向)直流(DC )笔
mb
= 25
°C
峰源(二极管正向)电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非重复性雪崩能量
非钳位感性负载;我
AS
= 50 A;
t
p
= 0.1毫秒; V
DD
≤
25 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 5 V ;起始物为
j
= 25
°C;
图4
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
T
j
= 25 175
°C
T
j
= 25 175
°C;
R
GS
= 20 k
民
55
55
最大
55
55
±20
73
52
266
166
175
175
73
266
125
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
9397 750 08107
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