飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
特点
额定重复性雪崩
快速开关
稳定的关闭状态特性
高的热循环性能
低热阻
PHP6N60E ， PHB6N60E
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 600 V
g
I
D
= 5.4 A
R
DS （ ON）
≤
1.8
s
概述
的N-沟道增强型场效应功率晶体管，用于在离线使用开关式电源，
T.V.和电脑显示器电源，直流以直流转换器，电机控制电路和通用切换
应用程序。
该PHP6N60E是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该PHB6N60E是在SOT404表面安装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
门
漏
1
来源
描述
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT404
TAB
2
漏
1 23
1
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
存储温度范围
条件
T
j
= 25 °C至150°C
T
j
= 25 °C至150°C ;
GS
= 20 k
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
600
600
±
30
5.4
3.4
21
125
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
1998年12月
1
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
电气特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
漏源击穿
电压
V
（ BR ） DSS
/漏极 - 源极击穿
T
j
电压温度
系数
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
V
GS （ TO ）
栅极阈值电压
正向跨导
g
fs
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
I
GSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
d
L
d
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
（ BR ） DSS
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
PHP6N60E ， PHB6N60E
分钟。
600
-
-
2.0
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
0.1
1.5
3.0
3.4
2
50
10
50
5
26
15
35
90
40
3.5
4.5
7.5
650
85
50
-
-
1.8
4.0
-
100
500
200
65
8
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
%/K
V
S
A
A
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
pF
pF
pF
V
GS
= 10 V ;我
D
= 2.7 A
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
V
DS
= 30 V ;我
D
= 2.7 A
V
DS
= 600 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 125 C
栅极 - 源极漏电流V
GS
=
±30
V; V
DS
= 0 V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反馈电容
I
D
= 5.4 A; V
DD
= 480 V; V
GS
= 10 V
V
DD
= 300 V ;
D
= 56
;
R
G
= 12
从测得的标签，模具中心
从测得的漏导致的模具中心
（ SOT78封装）
从源铅源测量
焊盘
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲电流源（体
二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
T
mb
= 25C
T
mb
= 25C
I
S
= 5.4 A; V
GS
= 0 V
I
S
= 5.4 A; V
GS
= 0 V ;的di / dt = 100 A / μs的
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
-
480
4
5.4
21
1.2
-
-
A
A
V
ns
C
1998年12月
3
启1.300
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
PHP6N60E ， PHB6N60E
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
10
第i个J- MB ，瞬态热阻抗（K / W）
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0
T
t
P
D
t
p
D=
0.01
t
p
T
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
0.001
1us
为10us 100us的10毫秒1毫秒1秒100毫秒
TP ，脉冲宽度（S ）
PHP6N60E
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
ID％
归一化电流降额
10
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
PHP6N60E
10 V
VGS = 20 V
6.5 V
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ID ，漏极电流（ AMPS ）
TJ = 25℃
8
6V
6
5.5 V
4
5V
2
4.5 V
4V
0
0
20
40
60
80
TMB / C
100
120
140
0
5
10
15
20
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
25
30
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
10 V
图5 。典型的输出特性。
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
100
ID ，漏极电流（ AMPS ）
PHP6N60E
4
3.5
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
4.5 V
5V
5.5 V
6V
PHP6N60E
10
RD
N
S（O
)=
V
/I
DS
D
TP =
10我们
100us
3
2.5
2
1.5
TJ = 25℃
1
6.5 V
10 V
1
DC
1毫秒
10毫秒
0.1s
VGS = 20 V
0.1
10
100
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
1000
0
2
4
6
ID ，漏极电流（ AMPS ）
8
10
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻。
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1998年12月
4
启1.300
QQ：2880707522 复制
