【飞利浦半导体产品speci fi cationN沟道的TrenchMOS 晶体管逻辑电平FET特点“】,IC型号PHP69N03LT,PHP69N03LT PDF资料,PHP69N03LT经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

特点

“海沟”

技术

极低的通态电阻

快速开关

低热阻

兼容逻辑电平

PHP69N03LT ， PHB69N03LT

PHD69N03LT

快速参考数据

符号

DSS

= 25 V

= 69 A

DS （ ON）

≤

12毫欧（V

= 10 V)

DS （ ON）

≤

14毫欧（V

= 5 V)

概述

N沟道增强模式的逻辑电平场效应功率在一个塑料封套使用“地沟”技术的晶体管。

应用： -

高频电脑主板的直流以直流转换器

高电流开关

该PHP69N03LT是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。

该PHB69N03LT是在SOT404 （提供

PAK ）表面贴装封装。

该PHD69N03LT是在SOT428 （ DPAK ）表面贴装封装。

钉扎

针

TAB

描述

门

漏

来源

SOT78 （ TO220AB ）

TAB

SOT404 （D

PAK ）

TAB

SOT428 （ DPAK ）

TAB

1 23

漏

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

DSS

DGR

GSM

合计

, T

英镑

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅极 - 源极电压（直流）

栅极 - 源极电压（脉冲

峰值）

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值

值）

总功耗

工作结

储存温度

条件

= 25 °C至175℃下

= 25 °C至175℃ ;

= 20 k

≤

150C

= 25 C

= 100 C

= 25 C

分钟。

- 55

马克斯。

240

125

175

单位

这是无法接受的连接销：的SOT404或SOT428包装2 。

1999年10月

启1.600

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

热阻

符号参数

日J- MB

日J-一

热阻结

安装基座

热阻结

到环境

条件

PHP69N03LT ， PHB69N03LTT

PHD69N03LT

分钟。

典型值。马克斯。单位

1.2

K / W

SOT78封装，在自由空气

SOT404和SOT428封装，印刷电路板

安装，占用空间最小

雪崩限值

符号参数

DSS

条件

分钟。

马克斯。

单位

漏源不重复的我

= 25 A; V

≤

15 V;

非钳位电感关断V

= 5 V ;

= 50

;

= 25 C

能源

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

（ BR ） DSS

GS （ TO ）

DS （ ON）

GSS

DSS

G（ TOT ）

D ON

D OFF

国际空间站

OSS

RSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

= 0 V ;我

= 0.25毫安;

= -55C

= V

; I

= 1毫安

= 175C

= -55C

= 10 V ;我

= 25 A

= 5 V ;我

= 25 A

= 5 V ;我

= 25 A;牛逼

= 175C

正向跨导

= 25 V ;我

= 25 A

门源漏电流V

±5

V; V

= 0 V

零栅压漏

= 25 V; V

= 0 V;

当前

= 175C

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反馈电容

= 69 A; V

= 15 V; V

= 5 V

分钟。

0.5

典型值。马克斯。单位

1.5

8.5

0.05

7.6

3.5

4.5

7.5

1700

475

300

2.3

100

500

120

= 15 V ;我

= 25 A;

= 10 V ;

= 5

阻性负载

测量标签，模具中心

从测得的漏导致的模具中心

（ SOT78封装）

从源铅源测量

焊盘

= 0 V; V

= 20V; F = 1 MHz的

1999年10月

启1.600

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHP69N03LT ， PHB69N03LTT

PHD69N03LT

反向二极管极限值和特性

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲电流源（体

二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

= 25 A; V

= 0 V

= 69 A; V

= 0 V

= 20 A; -dI

/ DT = 100 A / μs的;

= 0 V; V

= 25 V

典型值。马克斯。单位

0.9

1.0

0.1

240

1.2

归一化功率降额， PD （％）

100

125

安装基座的温度， TMB （ C）

150

175

1000

峰值漏电流脉冲， IDM （ A）

RDS （ ON）= VDS / ID

100

TP = 10我们

100美

1毫秒

特区

10毫秒

100毫秒

漏 - 源电压， VDS （V ）

100

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

D 25 C

= F （T

)

如图3所示。安全工作区

＆放大器;我

= F（V

); I

单脉冲;参数t

瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）

归一化电流降额， ID （％）

100

125

安装基座的温度， TMB （ C）

150

175

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

D = TP / T

单脉冲

0.01

1E-06

1E-05

1E-04

1E-03

脉冲宽度TP （多个）

1E-02

1E-01

1E+00

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

D 25 C

= F （T

); V

≥

5 V

图4 。瞬态热阻抗。

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

1999年10月

启1.600

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHP69N03LT ， PHB69N03LTT

PHD69N03LT

漏极电流ID （ A）

VGS = 10 V

4.5 V

TJ = 25℃

跨导， GFS （ S）

VDS > ID X RDS （ ON）

TJ = 25℃

2.6 V

2.2 V

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

漏 - 源电压， VDS （V ）

1.6

1.8

2.4 V

2.8 V

175 C

漏极电流ID （ A）

图5 。典型的输出特性，T

= 25 C.

= F（V

） ;参数V

图8 。典型的跨导，T

= 25 C.

= F（我

)

正规化的导通状态电阻

漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON）（欧姆）

0.1

2.2 V

0.09

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

10V

漏极电流ID （ A）

VGS = 4.5 V

2.8V

2.4 V

2.6 V

TJ = 25℃

1.9

1.8

1.7

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

-60

-40

-20

100

结温TJ（ C）

120

140

160

180

图6 。典型通态电阻，T

= 25 C.

DS （ ON）

= F（我

） ;参数V

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

DS （ ON） 25 C

= F （T

)

阈值电压VGS （ TO ）（V ）

2.25

1.75

1.5

典型

1.25

最低

最大

漏极电流ID （ A）

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

栅 - 源电压，V GS （V）的

175 C

TJ = 25℃

VDS > ID X RDS （ ON）

0.75

0.5

0.25

-60

-40

-20

100

120

140

160

180

结温TJ（ C）

图7 。典型的传输特性。

= F（V

） ;条件： V

= 25 V ;参数T

图10 。栅极阈值电压。

GS （ TO ）

= F （T

） ;条件：我

= 1毫安; V

= V

1999年10月

启1.600

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHP69N03LT ， PHB69N03LTT

PHD69N03LT

1.0E-01

漏极电流ID （ A）

VDS = 5 V

栅 - 源电压，V GS （V）的

2.5

ID = 69一

TJ = 25℃

VDD = 15 V

1.0E-02

1.0E-03

最低

1.0E-04

典型

最大

1.0E-05

1.0E-06

0.5

1.5

栅 - 源电压，V GS （V）的

栅极电荷QG （ NC）

图11 。亚阈值漏电流。

= F（V

GS ）

;条件：T已

= 25 ℃; V

= V

图13 。典型导通栅极电荷特性。

= F （Q

） ;参数V

源极 - 漏极二极管电流IF （ A）

电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）

10000

VGS = 0 V

西塞

1000

科斯

CRSS

100

0.1

漏 - 源电压， VDS （V ）

100

0.1

0.2

0.3 0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.1 1.2

1.3

1.4

1.5

源极 - 漏极电压， VSDS （V ）

TJ = 25℃

175 C

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

C = F（V

） ;条件： V

= 0 V ; F = 1 MHz的

图14 。典型的反向二极管电流。

= F（V

SDS

） ;条件： V

= 0 V ;参数T

1999年10月

启1.600