PHP/PHU66NQ03LT
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
牧师06 - 2004年8月12日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型网络场效果的塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
逻辑电平阈值
s
低通态电阻。
1.3应用
s
的DC- DC转换器
s
通用开关。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
25 V
s
R
DSON
≤
10.5 m
s
I
D
≤
66 A
s
Q
gd
= 3.6 NC （典型值） 。
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
离散钉扎
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
mb
简化的轮廓
符号
d
g
mbb076
s
1
1 2 3
2
3
SOT78 （ TO- 220AB ）
顶视图
SOT533 （ I- PAK ）
飞利浦半导体
PHP/PHU66NQ03LT
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PHP66NQ03LT
PHU66NQ03LT
TO-220AB
I- PAK
描述
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3领先
TO-220AB
塑料单端封装（飞利浦版本的I- PAK的） ; 3引线（直列）
VERSION
SOT78
SOT533
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 43 A;
t
p
= 0.15毫秒; V
DD
≤
25 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;开始在T
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
25
25
±20
57
40
66
45
228
93
+175
+175
57
228
90
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
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飞利浦半导体
PHP/PHU66NQ03LT
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
10
3
I
D
(A)
10
2
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
03ag19
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
s
100
s
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 5 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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3 13
飞利浦半导体
PHP/PHU66NQ03LT
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
5.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
民
-
-
-
典型值
-
60
70
最大
1.6
-
-
单位
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
SOT78
SOT533
垂直于自由空气
符号参数
5.1瞬态热阻抗
03ag18
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
P
δ
=
t
p
T
10
-1
0.05
0.02
单脉冲
t
p
T
t
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
(s)
10
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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牧师06 - 2004年8月12日
4 13
PHP/PHB/PHD66NQ03LT
N沟道晶体管的TrenchMOS
牧师02 - 二〇〇一年十二月十日
产品数据
1.描述
N沟道逻辑电平连接的场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性：
PHP66NQ03LT在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB66NQ03LT在SOT404 （D
2
-Pak ）
PHD66NQ03LT在SOT428 （ D- PAK ） 。
2.特点
s
低通态电阻
s
快速切换。
3.应用
s
高频计算机主机板的DC到DC转换器。
4.管脚信息
表1：
1
2
3
mb
穿针 - SOT78 ， SOT404 ， SOT428简化的外形和符号
简化的轮廓
[1]
mb
mb
mb
引脚说明
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到漏极（D）
符号
d
g
s
MBB076
2
2
1
MBK106
1
3
MBK116
3
MBK091
顶视图
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
SOT404 （D
2
-Pak ）
SOT428 （ D- PAK ）
这是无法接受的连接的SOT404和SOT428封装引脚2 。
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子股份有限公司的商标。
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD66NQ03LT
N沟道晶体管的TrenchMOS
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
总功耗
结温
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25
°C
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C
典型值
-
-
-
-
-
9.1
12.3
最大
25
66
57
93
175
12
16
单位
V
A
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
符号参数
6.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
峰值栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
t
p
≤
50
s;
脉冲;
占空比25％ ;牛逼
j
≤
150
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
25
25
±15
±20
57
40
66
45
228
93
+175
+175
57
228
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
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飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD66NQ03LT
N沟道晶体管的TrenchMOS
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
03aa24
80
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （ C）
o
0
0
50
100
150
200
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
03ag19
ID
(A)
导通电阻= VDS / ID
TP = 10微秒
102
100 s
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 5 V.
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 09119
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飞利浦半导体
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N沟道晶体管的TrenchMOS
7.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;最低限度
足迹; SOT404和SOT428封装
数值单位
1.6
60
50
K / W
K / W
K / W
从结点到安装热阻
BASE
从结点到环境的热阻
符号参数
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
03ag18
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
10-1
0.05
P
δ
=
tp
T
0.02
单脉冲
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
tp
T
t
10
TP （多个）
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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4 14
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