【飞利浦半导体产品speci fi cation功率MOS晶体管PHP5N20E概述N沟道增强模式在场】,IC型号PHP5N20E,PHP5N20E PDF资料,PHP5N20E经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第235页 > PHP5N20E

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

PHP5N20E

概述

N沟道增强模式

在场效应功率晶体管

塑料外壳具有高

雪崩能量功能，稳定

阻断电压，开关速度快和

高的热循环性能

具有低的热阻。意

在开关电源的使用

电源（SMPS ），电机控制

电路和通用

开关应用。

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

P

合计

R

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

漏源导通电阻

马克斯。

200

5.0

60

0.9

单位

V

A

W

钉扎 - TO220AB

针

1

2

3

TAB

门

漏

来源

漏

描述

引脚配置

TAB

符号

d

g

1 23

s

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

I

D

I

DM

P

D

P

D

/T

mb

V

GS

E

AS

I

AS

T

j

, T

英镑

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

栅源电压

单脉冲雪崩

能源

峰值雪崩电流

工作结

存储温度范围

条件

T

mb

= 25 ℃; V

GS

= 10 V

T

mb

= 100℃ ; V

GS

= 10 V

T

mb

= 25 C

T

mb

= 25 C

T

mb

> 25 C

V

DD

≤

50 V ;起始物为

j

= 25 ;

GS

= 50

;

V

GS

= 10 V

V

DD

≤

50 V ;起始物为

j

= 25 ;

GS

= 50

;

V

GS

= 10 V

分钟。

-

-

-

-

-

-

-

-

- 55

马克斯。

5

3.5

20

60

0.4

±

30

40

5

175

单位

A

A

A

W

W / K

V

mJ

A

C

热阻

符号

R

日J- MB

R

日J-一

参数

热阻结到

安装底座

热阻结到

环境

条件

分钟。

-

-

典型值。

-

60

马克斯。

2.5

-

单位

K / W

K / W

1997年10月

1

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

PHP5N20E

电气特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/

T

j

R

DS （ ON）

V

GS （ TO ）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

d

L

d

L

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

漏源击穿

电压

漏源击穿

电压温度系数

漏源导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反馈电容

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安

V

DS

= V

GS

; I

D

= 0.25毫安

V

GS

= 10 V ;我

D

= 2.5 A

V

DS

= V

GS

; I

D

= 0.25毫安

V

DS

= 50 V ;我

D

= 2.5 A

V

DS

= 200 V; V

GS

= 0 V

V

DS

= 160 V; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

= 150 C

V

GS

=

±30

V; V

DS

= 0 V

I

D

= 4.8 A; V

DD

= 160 V; V

GS

= 10 V

分钟。

200

-

-

2.0

1.5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.25

0.68

3.0

3.5

0.1

1

10

11

2

5.3

7

29

27

22

3.5

4.5

7.5

300

60

20

马克斯。

-

-

0.9

4.0

-

25

250

100

15

3

7

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

单位

V

V / K

V

S

A

A

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

nH

nH

nH

pF

pF

pF

V

DD

= 100V ;我

D

= 4.8 A;

R

G

= 18

;

R

D

= 20

从螺丝接触测量

标签，模具中心

从漏极引线6毫米测

从包装到模具中心

从源测量导致6毫米

从包装到源焊盘

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

源极 - 漏极二极管额定值和特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲电流源（体

二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

T

mb

= 25C

T

mb

= 25C

I

S

= 5.2 A; V

GS

= 0 V

I

S

= 4.8 A; V

GS

= 0 V;

的di / dt = 100 A / μs的

分钟。

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

114

0.8

马克斯。

5

20

1.5

-

-

单位

A

A

V

ns

C

1997年10月

2

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

PHP5N20E

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

1E+01

第i个J- MB / （K / W）

BUKX52

1E+00

0.5

0.2

0.1

0.05

1E-01 0.02

0

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

P

D

t

p

D=

t

p

T

t

1E-02

1E-07

T

1E-05

1E-03

T / S

1E-01

1E+01

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

mb

)

ID％

归一化电流降额

10

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

ID ，漏极电流（ AMPS ）

10 V

7V

TJ = 25℃

PHP5N20

6V

8

5.5 V

6

5V

4

VGS = 4.5 V

2

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

0

0

5

10

15

20

VDS ，漏极 - 源极电压（伏）

25

30

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

mb

） ;条件： V

GS

≥

10 V

ID ，漏极电流（ AMPS ）

PHP5N20E

图5 。典型的输出特性。

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

RDS （ ON），漏源导通电阻（欧姆）

4.5 V

5V

5.5 V

100

3

2.5

PHP5N20

6V

7V

10

R

DS

N)

(O

=V

/

DS

ID

TP = 10我们

100美

1毫秒

2

1.5

VGS = 10 V

1

0.5

TJ = 25℃

0

1

DC

10毫秒

100毫秒

0.1

1

10

100

VDS ，漏极 - 源极电压（伏）

1000

0

2

4

6

ID ，漏极电流（ AMPS ）

8

10

如图3所示。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻。

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

1997年10月

3

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

PHP5N20E

12

10

ID ，漏极电流（ AMPS ）

VDS = 30 V

PHP5N20E

TJ = 25℃

4

VGS （ TO ） / V

马克斯。

典型值。

8

6

4

3

TJ = 175℃

分钟。

2

1

2

0

0

0

2

4

6

VGS ，栅源电压（伏）

8

10

-60

-20

20

60

TJ / C

100

140

180

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;参数T

j

政府飞行服务队，跨导（ S）

VDD = 30 V

4

TJ = 25℃

3

TJ = 175℃

2

PHP5N20E

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 0.25毫安; V

DS

= V

GS

ID / A

亚阈值传导

5

1E-01

1E-02

1E-03

2%

典型值

98 %

1E-04

1

1E-05

0

1E-06

0

2

4

6

8

ID ，漏极电流（ AMPS ）

10

12

0

1

2

VGS / V

3

4

图8 。典型的跨导。

g

fs

= F（我

D

） ;参数T

j

a

归一化的RDS（ON ） = F （TJ）

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

西塞，科斯，的Crss ，结电容（ pF）的PHP5N20E

西塞

科斯

CRSS

2.8

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

1000

100

10

-60

-20

20

60

TJ / C

100

140

180

1

1

10

100

VDS ，漏极 - 源极电压（伏）

1000

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

); I

D

= 2.5 A; V

GS

= 10 V

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

1997年10月

4

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

PHP5N20E

15

VGS ，栅源电压（伏）

ID = 4.8

TJ = 25℃

VDS = 40 V

100 V

PHP5N20E

160 V

20

IF ，源极 - 漏极二极管的电流（安培）

VGS = 0 V

PHP5N20E

15

10

TJ = 175℃

10

5

TJ = 25℃

5

0

0

5

10

QG ，栅极电荷（ NC）

15

20

0

0

0.5

1

VSDS ，源极 - 漏极电压（伏特）

1.5

图13 。典型导通栅极电荷特性。

V

GS

= F （Q

G

） ;参数V

DS

开关时间（纳秒）

PHP5N20E

图16 。源极 - 漏极二极管特性。

I

F

= F（V

SDS

） ;参数T

j

EAS ，正常化松开电感能量（％）

100

tr

TD （关闭）

tf

10

TD （上）

VDD = 100V

VGS = 10 V

RD = 20欧姆

ID = 4.8

TJ = 25℃

20

40

60

RG ，栅极电阻（欧姆）

80

100

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

1

0

20

40

60

80

开始TJ （ C）

100

120

140

160

180

图14 。典型的开关时间。

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

= F （r

G

)

归一化漏源击穿电压

V（ BR ） DSS @ TJ

V（ BR ） DSS @ 25℃

图17 。正常化松开电感能量。

E

AS

（％）= F（T

j

)

1.15

1.1

1.05

1

0.95

0.9

+

L

VDS

VGS

0

RGS

T.U.T.

R 01

分流

VDD

-

-ID/100

0.85

-100

-50

0

50

TJ ，结温（ C）

100

150

图15 。归一化漏源击穿电压。

V

（ BR ） DSS

/V

（ BR ） DSS 25 C

= F （T

j

)

图18 。非钳位感应测试电路。

2

E

AS

=

0.5

LI

D

V

（ BR ） DSS

/(V

（ BR ） DSS

V

DD

)

1997年10月

5

启1.100

查看更多PHP5N20EPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

PHP5N20E

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

PHP5N20E

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

上海熠富电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：892174007 复制

点击这里给我发消息

QQ：2300949663 复制

点击这里给我发消息

QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318

联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

PHP5N20E

PH

2024

20918

TO-220

原装现货上海库存，欢迎查询

北京元坤国际科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1584878981 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

PHP5N20E

N

21+

61888

TO220AB

全新原装正品/质量有保证

北京显周科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

PHP5N20E

√ 欧美㊣品

▲10/11+

9706

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

深圳市金泽顺电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1101329890 复制

点击这里给我发消息

QQ：1803862608 复制

电话：0755-８２７８９２９６

联系人：朱先生／公司可以开13％的税

地址：深圳市福田区华强北振兴路华康大厦2栋211室。

PHP5N20E

PHI

1504+

8600

TO-220

一级代理原装现货热卖!

深圳市创芯联盈电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

PHP5N20E

NXP/恩智浦

2443+

23000

SOT78(TO-220)

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市成源运利电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：3003494137 复制

点击这里给我发消息

QQ：3003494136 复制

电话：0755-15913992480

联系人：林

地址：深圳市福田区东方时代A2705

PHP5N20E

PHILIPS

23+

8721

TO-220

火爆销售.全新原装.深圳市场最低价!

源辰芯科技（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1076493713 复制

点击这里给我发消息

QQ：173779730 复制

电话：0755-82170267

联系人：李经理

地址：深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210

PHP5N20E

PHILIPS/飞利浦

20+

33881

SOP16

有挂就有货支持订货.备货

北京首天伟业科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1584878981 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

PHP5N20E

渠道现货，技术支持！

21+

12540

TO-220

全新原装正品/质量有保证

深圳诚思涵科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：280773285 复制

点击这里给我发消息

QQ：2748708193 复制

电话：0755-83015506-23947236

联系人：朱先生

地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室

PHP5N20E

NXP

24+

9850

TO-220

100%原装正品，可长期订货

深圳市金鑫弈科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：358410056 复制

电话：755-83349415/83229300

联系人：侯先生

地址：深圳市福田区华强北赛格科技园2栋中809室.

PHP5N20E

ph

13+

1000

进口原装假一赔十

查询更多PHP5N20E供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！