飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
特点
“海沟”
技术
极低的通态电阻
快速开关
稳定的关闭状态特性
高的热循环性能
低热阻
PHP50N06LT ， PHB50N06LT ， PHD50N06LT
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 55 V
I
D
= 50 A
g
s
R
DS （ ON）
≤
24毫欧（V
GS
= 5 V)
R
DS （ ON）
≤
22毫欧（V
GS
= 10 V)
概述
N沟道增强模式下，逻辑电平，在使用“沟槽”技术的塑料封套场效应功率晶体管。
该装置具有非常低的导通状态电阻。它是为使用在直流 - 直流转换器和通用切换
应用程序。
该PHP50N06LT是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该PHB50N06LT是在SOT404表面安装封装。
该PHD50N06LT是在SOT428表面安装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
描述
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT404
TAB
SOT428
TAB
门
漏
1
来源
2
2
漏
1 23
1
3
1
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
55
55
±
13
50
35
200
125
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
1
这是无法接受的连接的SOT428或SOT404封装管脚2 。
1998年9月
1
启1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
热阻
符号参数
R
日J- MB
R
日J-一
热阻结
安装基座
热阻结
到环境
PHP50N06LT ， PHB50N06LT ， PHD50N06LT
条件
典型值。
-
马克斯。
1.2
-
-
单位
K / W
K / W
K / W
SOT78封装，在自由空气
SOT404和SOT428封装，印刷电路板
安装，占用空间最小
60
50
ESD限值
符号参数
V
C
静电放电
电容电压，所有引脚
条件
人体模型（ 100 pF的， 1.5千欧）
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
电气特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
V
GS （ TO ）
R
DS （ ON）
g
fs
I
GSS
I
DSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安;
I
G
=
±1
毫安;
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 175C
T
j
= -55C
V
GS
= 5 V ;我
D
= 12.5 A
V
GS
= 10 V ;我
D
= 12.5 A
T
j
= 175C
正向跨导
V
DS
= 25 V ;我
D
= 25 A
门源漏电流V
GS
=
±5
V; V
DS
= 0 V
T
j
= 175C
零栅压漏
当前
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反馈电容
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V;
T
j
= 175C
I
D
= 50 A; V
DD
= 44 V; V
GS
= 5 V
T
j
= -55C
分钟。
55
50
10
1.0
0.5
-
-
-
-
15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
-
1.5
-
-
19
17
-
40
0.02
-
0.05
-
27
4
14
30
80
95
40
3.5
4.5
7.5
1500
300
150
-
-
-
2.0
-
2.3
24
22
50
-
1
20
10
500
-
-
-
45
130
135
55
-
-
-
2000
360
200
V
V
V
V
V
V
m
m
m
S
A
A
A
A
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
pF
pF
pF
V
DD
= 30 V ;我
D
= 25 A;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
阻性负载
从测得的标签，模具中心
从测得的漏导致的模具中心
（ SOT78封装）
从源铅源测量
焊盘
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
1998年9月
2
启1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
PHP50N06LT ， PHB50N06LT ， PHD50N06LT
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲电流源（体
二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
分钟。
-
-
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 40 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 40 A; - 二
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
0.95
1.0
40
0.07
50
200
1.2
-
-
-
A
A
V
V
ns
C
雪崩限值
符号参数
W
DSS
条件
分钟。
-
马克斯。
80
单位
mJ
漏源不重复的我
D
= 40 A; V
DD
≤
25 V; V
GS
= 5 V;
非钳位感应关关R
GS
= 50
;
T
mb
= 25 C
能源
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ID％
归一化电流降额
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
5 V
1998年9月
3
启1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
PHP50N06LT ， PHB50N06LT ， PHD50N06LT
1000
ID / A
7524-55
40
RDS （ ON） /毫欧
35
RDS （ ON）= VDS / ID
100
VGS / V =
4
4.2
TP = 10我们
100美
30
4.4
4.6
4.8
5
25
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
20
1
1
10
VDS / V
100
1000
15
10
15
20
25
30
35
40 45
ID / A
50
55
60
65
70
75
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
瞬态热阻抗，第Z （K / W）
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
100
ID / A
80
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
60
0.1
40
0.01
0
T
20
TJ / C = 175
0
25
0.001
10us
1ms
脉冲宽度TP （多个）
0.1s
10s
0
1
2
3
VGS / V
4
5
6
7
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
漏极电流ID （ A）
10
8
6
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
跨导， GFS （ S）
40
100
VGS = 5.0 V
4.8
4.6
4.4
4.2
35
30
25
20
15
10
5
80
60
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
2.6
3.0
2.8
10
40
20
0
0
2
4
6
8
漏 - 源电压， VDS （V ）
0
20
40
60
漏极电流ID （ A）
80
100
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
1998年9月
4
启1.400
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
PHP50N06LT ， PHB50N06LT ， PHD50N06LT
2.5
a
BUK959-60
RDS（ON） normlised到25degC
3
2.5
2
数千pF的
2
1.5
1.5
西塞
1
1
0.5
0.5
-100
-50
0
50
TMB /摄氏度
100
150
200
0
0.01
0.1
1
VDS / V
10
科斯
CRSS
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 5 V
VGS （ TO ） / V
马克斯。
2
典型值。
1.5
BUK959-60
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
6
VGS / V
5
VDS = 14V
4
VDS = 44V
3
2.5
分钟。
1
2
0.5
1
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
0
0
5
10
15
QG / NC
20
25
30
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
亚阈值传导
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;条件：我
D
= 50 A;参数V
DS
100
IF / A
1E-01
1E-02
2%
典型值
98%
80
1E-03
60
1E-04
40
TJ / C =
20
175
25
1E-05
1E-05
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.5
VSDS / V
1
1.5
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
1998年9月
5
启1.400
QQ：2880707522 复制
