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飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
概述
N沟道增强模式
标准级场效应功率
使用晶体管在一个塑料外壳
“沟”技术。该装置
具有非常低的导通电阻
并拥有完整的齐纳二极管捐赠
ESD保护高达2kV的。这是
旨在用于直流 - 直流
转换器和通用
开关应用。
PHP50N03T
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V
马克斯。
30
50
94
175
21
单位
V
A
W
C
m
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
门
漏
来源
漏
描述
引脚配置
TAB
符号
d
g
s
1 23
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
存储&工作温度
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
30
30
20
50
29
200
94
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
-
在自由空气
典型值。
-
60
马克斯。
1.6
-
单位
K / W
K / W
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压，所有引脚
条件
人体模型
（ 100 pF的， 1.5千欧）
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
1997年9月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
静态特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
GSS
±V
（ BR ） GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 175C
T
j
= -55C
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V;
V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
T
j
= 175C
T
j
= 175C
T
j
= 175C
分钟。
30
27
2.0
1.0
-
-
-
-
-
16
-
-
典型值。
-
-
3.0
-
-
0.05
-
0.02
-
-
19
-
PHP50N03T
马克斯。
-
-
4.0
-
4.4
10
500
1
20
-
21
39
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
A
V
m
m
栅极 - 源极击穿电压I
G
=
±1
毫安;
漏极 - 源极导通状态
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
阻力
动态特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
g
fs
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
s
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 25 A
I
D
= 25 A; V
DD
= 30 V; V
GS
= 10 V
分钟。
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
19
28
7
11
974
325
152
10
45
30
32
3.5
4.5
7.5
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
S
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V ;我
D
= 25 A;
V
GS
= 10 V ;
G
= 10
阻性负载
从螺丝接触测量
标签，模具中心
从漏极引线6毫米测
从包装到模具中心
从源测量导致6毫米
从包装到源焊盘
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
分钟。
-
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 25 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 25 V
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.95
1.0
100
0.4
马克斯。
50
200
1.2
-
-
-
单位
A
A
V
ns
C
1997年9月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
雪崩限值
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 25 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
T
mb
= 25 C
分钟。
-
典型值。
-
PHP50N03T
马克斯。
70
单位
mJ
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
1000
ID ，漏极电流（ AMPS ）
PHP50N03T
100
S
RD
)
（上
D
=V
D
S / I
TP =
10我们
100美
1毫秒
10
DC
10毫秒
TMB = 25℃
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
1
1
10
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
100
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
归一化电流降额
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W） PHP50N03T
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ID％
10
D=
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0
0.01
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
T
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
1us
为10us 100us的10毫秒1毫秒
脉冲宽度TP （多个）
0.1s
1s
10s
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
5 V
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
1997年9月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
PHP50N03T
50
ID ，漏极电流（ AMPS ）
10 V
20 V
6.5 V
PHP50N03T
25
跨导， GFS （ S）
VDS = 30 V
PHP50N03T
40
TJ = 25℃
6V
20
TJ = 25℃
30
5.5 V
15
175 C
20
5V
10
10
4.5 V
VGS = 24 V
5
0
0
5
10
15
20
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
25
30
0
0
10
20
30
漏极电流ID （ A）
40
50
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） ，漏源导通电阻（欧姆）
VGS = 24 V
0.05
4.5 V
5V
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
RDS（ON） normlised到25degC
BUK959-60
0.06
PHP50N03T
2.5
5.5 V
2
0.04
0.03
TJ = 25℃
0.02
0.01
0
10 V
1
1.5
20 V
0.5
-100
0
10
20
30
ID ，漏极电流（ AMPS ）
40
50
-50
0
50
TMB /摄氏度
100
150
200
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 5 V
VGS （ TO ） / V
马克斯。
BUK759-60
50
漏极电流ID （ A）
VDS = 30 V
PHP50N03T
5
40
4
典型值。
30
3
分钟。
20
175 C
10
TJ = 25℃
2
1
0
0
2
4
6
栅 - 源电压，V GS （V）的
8
10
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;参数T
j
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
1997年9月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
PHP50N03T
1E-01
亚阈值传导
50
源极 - 漏极二极管的电流IF （ A）
VGS = 0 V
PHP50N03T
1E-02
2%
典型值
98%
40
1E-03
30
175 C
TJ = 25℃
1E-04
20
10
1E-05
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
源极 - 漏极电压， VSDS （V ）
1.2
1.4
1E-06
0
1
2
3
4
5
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;参数T
j
WDSS ％
10000
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
PHP50N03T
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1000
西塞
科斯
CRSS
100
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
20
40
60
80
100
120
TMB / C
140
160
180
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
VGS ，栅源电压（伏）
VDD = 30 V
ID = 25 A
TJ = 25℃
15
图15 。正常化雪崩能量等级。
W
DSS
（％）= F（T
mb
)
20
PHP50N03T
+
L
VDS
VDD
10
VGS
0
T.U.T.
-
-ID/100
5
RGS
0
R 01
分流
0
10
20
30
40
QG ，栅极电荷（ NC）
50
60
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;参数V
DS
图16 。雪崩能量测试电路。
2
W
DSS
=
0.5
LI
D
BV
DSS
/ （ BV
DSS
V
DD
)
1997年9月
5
启1.100
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PL4GLA
P13VB
P5C090-60
PIC16F767-I/ML
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PCN11A-64P-2.54KH
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