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PHP/PHB45NQ15T
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
版本01 - 2004年11月8日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型网络场效果的塑料封装晶体管
使用的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
低通态电阻
s
低热阻
s
快速开关
s
低栅极电荷。
1.3应用
s
直流 - 直流初级侧开关
s
AC到DC次级侧
整流器阳离子。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
150 V
s
R
DSON
≤
42 m
s
I
D
≤
45.1 A
s
Q
gd
= 10.3 NC （典型值） 。
2.管脚信息
表1：
1
2
3
mb
门
漏
来源
安装底座;
地连接到漏
[1]
离散钉扎
简化的轮廓
mb
mb
引脚说明
符号
D
G
mbb076
S
2
1
1 2 3
3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
这是无法接受的SOT404封装的管脚2的连接。
SOT404 （D
2
-Pak ）
飞利浦半导体
PHP/PHB45NQ15T
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PHP45NQ15T
PHB45NQ15T
TO-220AB
D
2
-PAK
描述
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3领先
TO-220AB
VERSION
SOT78
类型编号
塑料单端表面安装封装（D
2
-PAK ） ; 3导线（一根导线SOT404
裁剪）
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 19.1 A;
t
p
= 0.1毫秒; V
DD
≤
150 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;开始在T
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
150
150
±20
45.1
31.9
90.2
230
+175
+175
45.1
90.2
180
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
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版本01 - 2004年11月8日
2 13
飞利浦半导体
PHP/PHB45NQ15T
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
10
2
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
03ao18
t
p
= 10
s
I
D
(A)
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
100
s
10
DC
1毫秒
10毫秒
1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
5.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
民
-
-
-
典型值
-
60
50
最大
0.65
-
-
单位
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
SOT78
SOT404
垂直于自由空气
安装在印刷电路
板;最小的足迹;
垂直静止空气中
符号参数
5.1瞬态热阻抗
03ao17
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
10
-1
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-2
单脉冲
t
p
T
P
δ
=
t
p
T
t
10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
6.特性
表5：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
和
10
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 120 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 20 A;
图6
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 25 A; V
GS
= 0 V;
图12
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的; V
GS
= 0 V
V
DS
= 75 V ;
L
= 3
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 5.6
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
图13
I
D
= 25 A; V
DS
= 75 V; V
GS
= 10 V;
图11
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
32
5.6
10.3
1770
290
90
11.5
22
42
31
0.88
115
360
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
-
34
91.8
42
m
113.4 m
-
-
-
-
-
10
1
100
100
A
A
nA
2
1
-
3
-
-
4
-
4.4
V
V
V
150
135
-
-
-
-
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
源极 - 漏极二极管
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