添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1346页 > PHP45NQ10T
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHB45NQ10T ， PHP45NQ10T
PHW45NQ10T
快速参考数据
d
特点
“海沟”
技术
极低的通态电阻
快速开关
低热阻
符号
V
DSS
= 100 V
I
D
= 47 A
g
R
DS （ ON）
≤
25 m
s
概述
N沟道增强型场效应功率在一个塑料封套使用“地沟”技术的晶体管。
应用： -
直流以直流转换器
开关模式电源
该PHP45NQ10T是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该PHB45NQ10T是在SOT404 （提供
2
PAK ）表面贴装封装。
该PHW45NQ10T是在SOT429 （ TO247 ）传统的含铅封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
描述
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT404 （D
2
PAK ）
TAB
SOT429 （ TO247 ）
门
漏
1
来源
2
漏
1 23
1
3
1
2
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
100
100
±
20
47
33
188
150
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
1
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
1999年8月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHB45NQ10T ， PHP45NQ10T
PHW45NQ10T
雪崩能量极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
E
AS
非重复性雪崩
能源
非重复性雪崩
当前
条件
非钳位感性负载时，我
AS
= 40 A;
t
p
= 100
s;
T
j
雪崩= 25之前;
V
DD
≤
25 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;参考
图： 15
分钟。
-
马克斯。
260
单位
mJ
I
AS
-
47
A
热阻
符号参数
R
日J- MB
R
日J-一
热阻结
安装基座
热阻结
到环境
条件
分钟。
-
SOT78封装，在自由空气
SOT429封装，在自由空气
SOT404封装，PCB安装，最小值
脚印
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
60
45
50
1
-
-
-
K / W
K / W
K / W
K / W
电气特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号参数
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
R
DS （ ON）
I
GSS
I
DSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 175C
T
j
= -55C
漏极 - 源极导通状态
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
阻力
门源漏电流V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
零栅压漏
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V;
当前
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反馈电容
T
j
= 175C
T
j
= 175C
分钟。
100
89
2
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
3
-
-
22
-
0.02
0.05
-
61
13
25
18
72
69
58
3.5
4.5
7.5
2600
340
195
-
-
4
-
6
25
68
100
10
500
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
m
m
nA
A
A
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
pF
pF
pF
I
D
= 45 A; V
DD
= 80 V; V
GS
= 10 V
V
DD
= 50 V ;
D
= 1.8
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 5.6
阻性负载
测量标签，模具中心
从测得的漏导致的模具中心
（ SOT78和SOT429封装）
从源铅源测量
焊盘
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
1999年8月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHB45NQ10T ， PHP45NQ10T
PHW45NQ10T
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲电流源（体
二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
分钟。
-
-
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 20 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 25 V
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
0.87
82
0.26
47
188
1.2
-
-
A
A
V
ns
C
1999年8月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHB45NQ10T ， PHP45NQ10T
PHW45NQ10T
归一化功率降额， PD （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
安装基座的温度， TMB （ C）
150
175
1
瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
D
tp
D = TP / T
T
0.001
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
脉冲宽度TP （多个）
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
漏极电流ID （ A）
VGS = 10V
35
30
25
20
15
10
5
4V
4.4 V
4.2 V
1.8
2
5V
4.8 V
4.6 V
8V
6V
TJ = 25℃
归一化电流降额， ID （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
安装基座的温度， TMB （ C）
150
175
40
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
漏 - 源电压， VDS （V ）
1.6
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
); V
GS
≥
10 V
峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
)
1000
0.16
RDS （ ON）= VDS / ID
100
TP = 10我们
100美
10
特区
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
0.04
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
4.2 V
4V
4.4 V
4.6 V
4.8 V
TJ = 25℃
5V
8V
0.02
0.1
1
10
100
漏 - 源电压， VDS （V ）
1000
0
0
2
4
6
8
10
12
漏极电流ID （ A）
14
16
18
6V
VGS = 10V
20
如图3所示。安全工作区
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
)
1999年8月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHB45NQ10T ， PHP45NQ10T
PHW45NQ10T
漏极电流ID （ A）
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
栅 - 源电压，V GS （V）的
175 C
TJ = 25℃
VDS > ID X RDS （ ON）
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
阈值电压VGS （ TO ） （V ）
最大
典型
最低
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
)
跨导， GFS （ S）
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
漏极电流ID （ A）
40
45
50
175 C
VDS > ID X RDS （ ON）
TJ = 25℃
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
漏极电流ID （ A）
1.0E-01
1.0E-02
最低
典型
1.0E-04
最大
1.0E-05
1.0E-03
1.0E-06
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
栅 - 源电压，V GS （V）的
4
4.5
5
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
正规化的导通状态电阻
2.9
2.7
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
-60
-40
-20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
10000
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 C
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
西塞
1000
科斯
100
CRSS
10
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1999年8月
5
启1.000
查看更多PHP45NQ10TPDF信息
推荐型号
P4C1282-35CM
PD55025S-E
PWR1312AC
PIC16F010T-E/MSSQTP
PSD814F4-12J
PDU-17F-9
PTA1554-2210CIB203
PTN04050CAST
PT6627P
PSD833F2-90MT
P170N2-E40BR100K
PTMA401120N2AD
PL34020101000BDBF
PIC12F675T-I/MD
PAL20H4AN
P1200SBL
PZ8GG-1505E
PWC-30-5
PWC30-5
PP0640SA
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PHP45NQ10T
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市欧立现代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ：1950791264 复制
电话：0755-23999932 / 0755-83222787
联系人：胡先生 林小姐 朱先生
地址：广东省深圳市福田区上步工业区101栋西座602（公司是一般纳税人企业，可开17%增值税）公司网址：http://www.szolxd.com
PHP45NQ10T
NXP
24+
4950
TO-220
全新原装现货,低价出售,欢迎询购！
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
PHP45NQ10T
NXP
1926+
28562
TO-220
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
PHP45NQ10T
NXP/恩智浦
1926+
28562
TO-220
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市华雄半导体(集团)有限公司
QQ：
电话：0512-67241533
联系人：王
地址：虎丘区龙湖中心1302室
PHP45NQ10T
NXP
2229+
3615
TO-220
一级代理，全新原装正品，公司现货！
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885348339 复制

电话：0755-83209630 82519391
联系人：许小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
PHP45NQ10T
PARADE
23+
18650
QFN
原装新到货，公司现货
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1472701163 复制 点击这里给我发消息 QQ：1374504490 复制

电话：0755－82812004／82811605
联系人：朱先生
地址：广东深圳福田区华强北上步工业区405栋6楼607
PHP45NQ10T
NXP
24+
36000
TO-220
进口原装！现货!假一赔十
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
PHP45NQ10T
PHILIPS/飞利浦
2407+
5999
TO-220
专业做场效管MOS原装现货
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
PHP45NQ10T
NXP/恩智浦
24+
9634
TO-220
全新原装现货，原厂代理。
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ：1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
PHP45NQ10T
-
1925+
6523
TO220
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市百润电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1943137555 复制 点击这里给我发消息 QQ：23610956 复制

电话：17876146278/15814081976
联系人：梁小姐
地址：华强广场B座7楼001室
PHP45NQ10T
NXP
22+
3000
TO-220铁头
原装正品 现货库存 价钱优势 联系电话：15814081976（同微信）梁小姐
查询更多PHP45NQ10T供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！