PHP/PHB/PHD45N03LTA
N沟道增强模式音响场效晶体管
牧师02 - 2001年11月2日
产品数据
1.描述
N沟道逻辑电平连接的场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性：
PHP45N03LTA在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB45N03LTA在SOT404 （D
2
-Pak ）
PHD45N03LTA在SOT428 （ D- PAK ） 。
2.特点
s
低通态电阻
s
快速切换。
3.应用
s
计算机主机板高频DC到DC转换器。
4.管脚信息
表1：
穿针 - SOT78 ， SOT404 ， SOT428简化的外形和符号
简化的轮廓
mb
mb
mb
引脚说明
1
2
3
mb
栅极（G ）
符号
d
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到漏极（D）
[1]
g
s
MBB076
2
2
1
MBK106
1
3
MBK116
3
MBK091
顶视图
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
SOT404 （D
2
-Pak ）
SOT428 （ D- PAK ）
这是无法接受的连接的SOT404和SOT428封装引脚2 。
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子股份有限公司的商标。
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD45N03LTA
N沟道增强模式音响场效晶体管
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 3.5 V ;我
D
= 5.2 A
典型值
-
-
-
-
13
17.5
22
最大
25
40
65
175
21
24
40
单位
V
A
W
°C
m
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
AS
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非重复性雪崩能量
非钳位感性负载;
I
D
= 40 A;牛逼
p
= 0.1毫秒; V
DD
= 15 V;
R
GS
= 50
;
V
GS
= 5V ;起始物为
j
= 25
°C;
t
p
≤
50
s;
脉冲;
占空比25％ ;牛逼
j
≤
150
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
T
j
= 25 175
°C
T
j
= 25 175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
25
25
±15
±20
40
30
160
65
+175
+175
40
160
60
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
9397 750 09023
皇家飞利浦电子有限公司2001年版权所有。
产品数据
牧师02 - 2001年11月2日
2 14
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD45N03LTA
N沟道增强模式音响场效晶体管
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
03aa24
80
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （ C）
o
0
0
50
100
150
200
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
导通电阻= VDS / ID
102
TP = 10微秒
03af58
100 s
10
P
δ
=
tp
T
特区
1毫秒
10毫秒
tp
T
t
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 09023
皇家飞利浦电子有限公司2001年版权所有。
产品数据
牧师02 - 2001年11月2日
3 14
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD45N03LTA
N沟道增强模式音响场效晶体管
7.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;最低限度
足迹; SOT404和SOT428封装
数值单位
2.3
60
50
K / W
K / W
K / W
从结点到安装热阻
BASE
从结点到环境的热阻
符号参数
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
03af57
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
10-1
0.02
P
δ
=
tp
T
单脉冲
tp
T
t
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 09023
皇家飞利浦电子有限公司2001年版权所有。
产品数据
牧师02 - 2001年11月2日
4 14
QQ：2881677436 复制
