【飞利浦半导体产品speci fi cation的TrenchMOS 晶体管逻辑电平FET特点“海沟”】,IC型号PHP45N03LT,PHP45N03LT PDF资料,PHP45N03LT经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

特点

“海沟”

技术

极低的通态电阻

快速开关

稳定的关闭状态特性

高的热循环性能

低热阻

PHP45N03LT

符号

快速参考数据

DSS

= 30 V

= 45 A

DS （ ON）

≤

24毫欧（V

= 5 V)

DS （ ON）

≤

21毫欧（V

= 10 V)

概述

N沟道增强模式

逻辑电平场效应功率

晶体管在一个塑料外壳

使用“地沟”技术。该

器件具有极低的导通状态

性。其目的是为在使用中

直流到直流转换器和一般

用开关应用。

该PHP45N03LT在所提供的

SOT78 （ TO220AB ）常规

引线封装。

钉扎

针

TAB

门

漏

来源

漏

描述

SOT78 （ TO220AB ）

TAB

1 23

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

DGR

±V

合计

英镑

, T

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

存储&工作温度

条件

= 20 k

= 25 C

= 100 C

= 25 C

分钟。

- 55

马克斯。

180

175

单位

热阻

符号

日J- MB

日J-一

参数

热阻结到

安装底座

热阻结到

环境

条件

在自由空气

典型值。

马克斯。

1.75

单位

K / W

1997年11月

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

静态特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

（ BR ） DSS

GS （ TO ）

DSS

GSS

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

= 0 V ;我

= 0.25毫安;

= -55C

= V

; I

= 1毫安

= 175C

= -55C

= 30 V; V

= 0 V;

= 175C

±5

V; V

= 0 V

= 5 V ;我

= 25 A

= 10 V ;我

= 25 A

= 5 V ;我

= 25 A;牛逼

= 175C

分钟。

0.5

PHP45N03LT

典型值。

1.5

0.05

马克斯。

2.3

500

100

单位

动态特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

G（ TOT ）

国际空间站

OSS

RSS

D ON

D OFF

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

输入电容

输出电容

反馈电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

条件

= 25 V ;我

= 25 A

= 40 A; V

= 24 V; V

= 5 V

分钟。

典型值。

2000

380

250

3.5

4.5

7.5

马克斯。

2500

450

300

130

135

单位

= 0 V; V

= 25 V ; F = 1 MHz的

= 15 V ;我

= 25 A;

= 5 V ;

= 5

阻性负载

从螺丝接触测量

标签，模具中心

从漏极引线6毫米测

从包装到模具中心

从源测量导致6毫米

从包装到源焊盘

反向二极管极限值和特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

DRM

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

= 25 A; V

= 0 V

= 40 A; V

= 0 V

= 40 A; - 二

/ DT = 100 A / μs的;

= -10 V; V

= 25 V

典型值。

0.95

1.0

0.08

马克斯。

180

1.2

单位

1997年11月

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

雪崩限值

符号

DSS

参数

漏源不重复

非钳位电感关断

能源

条件

= 25 A; V

≤

25 V;

= 10 V ;

= 50

;

= 25 C

分钟。

PHP45N03LT

典型值。

马克斯。

单位

1997年11月

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHP45N03LT

120

110

100

PD ％

归一化功率降额

第i个J- MB / （K / W）

7528-30

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

80 100

TMB / C

120

140

160

180

0.01

1E-07

1E-05

1E-03

T / S

1E-01

1E+01

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

D 25 C

= F （T

)

ID％

归一化电流降额

图4 。瞬态热阻抗。

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

ID / A

VGS / V =

3.5

120

110

100

9528-30

4.5

2.5

80 100

TMB / C

120

140

160

180

VDS / V

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

D 25 C

= F （T

） ;条件： V

≥

5 V

图5 。典型的输出特性，T

= 25 C.

= F（V

） ;参数V

RDS （ ON） /毫欧

9528-30

4.5

1000

ID / A

7528-30

100

S（O

TP = 10我们

100美

VGS / V =

1毫秒

10毫秒

VDS / V

100

ID / A

如图3所示。安全工作区。牛逼

= 25 C

＆放大器;我

= F（V

); I

单脉冲;参数t

图6 。典型通态电阻，T

= 25 C.

DS （ ON）

= F（我

） ;参数V

1997年11月

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHP45N03LT

ID / A

9528-30

2.5

VGS （ TO ） / V

马克斯。

BUK959-60

TJ / C = 25

175

典型值。

1.5

分钟。

0.5

VGS / V

-100

-50

TJ / C

100

150

200

图7 。典型的传输特性。

= F（V

） ;条件： V

= 25 V ;参数T

GFS / S

9528-30

图10 。栅极阈值电压。

GS （ TO ）

= F （T

） ;条件：我

= 1毫安; V

= V

亚阈值传导

1E-01

TJ / C = 25

175

1E-02

典型值

98%

1E-03

1E-04

1E-05

ID / A

1E-05

0.5

1.5

2.5

图8 。典型的跨导，T

= 25 C.

= F（我

） ;条件： V

= 25 V

图11 。亚阈值漏电流。

= F（V

GS ）

;条件：T已

= 25 ℃; V

= V

C / pF的

30V的TrenchMOS

10000

9528-30

1.5

西塞

1000

0.5

科斯

CRSS

-100

-50

TJ / C

100

150

200

100

0.1

VDS / V

100

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

DS （ ON） 25 C

= F （T

); I

= 25 A; V

= 5 V

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

C = F（V

） ;条件： V

= 0 V ; F = 1 MHz的

1997年11月

启1.200

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