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PHP/PHB33NQ20T
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
版本01 - 2004年11月8日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型网络场效果的塑料封装晶体管
使用的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
低通态电阻
s
低热阻
s
快速开关
s
低栅极电荷。
1.3应用
s
直流 - 直流初级侧开关。
1.4快速参考数据
s
V
DS
200 V
s
R
DSON
77 m
s
I
D
32.7 A
s
Q
gd
= 9.6 NC (典型值) 。
2.管脚信息
表1:
1
2
3
mb
来源
安装底座;
地连接到漏
[1]
离散钉扎
简化的轮廓
mb
mb
引脚说明
符号
D
G
mbb076
S
2
1
1 2 3
3
SOT78 ( TO- 220AB )
[1]
这是无法接受的SOT404封装的管脚2的连接。
SOT404 (D
2
-Pak )
飞利浦半导体
PHP/PHB33NQ20T
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
3.订购信息
表2:
订购信息
名字
PHP33NQ20T
PHB33NQ20T
TO-220AB
D
2
-PAK
描述
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3领先
TO-220AB
VERSION
SOT78
类型编号
塑料单端表面安装封装(D
2
-PAK ) ; 3导线(一根导线SOT404
裁剪)
4.极限值
表3:
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压(直流)
漏极 - 栅极电压(直流)
栅极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源(二极管的正向)直流(DC )笔
mb
= 25
°C
峰源(二极管正向)电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 10.4 A;
t
p
= 0.14毫秒; V
DD
200 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;开始在T
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
175
°C
25
°C ≤
T
j
175
°C;
R
GS
= 20 k
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
200
200
±20
32.7
23.1
65.4
230
+175
+175
32.7
65.4
190
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS ( AL )S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
9397 750 14003
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据表
版本01 - 2004年11月8日
2 13
飞利浦半导体
PHP/PHB33NQ20T
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1,归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
10
2
I
D
(A)
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
03ao10
t
p
= 10
s
100
s
10
DC
1毫秒
10毫秒
1
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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5.热特性
表4:
R
日( J- MB )
R
号(j -a)的
热特性
条件
-
-
-
典型值
-
60
50
最大
0.65
-
-
单位
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
SOT78
SOT404
垂直于自由空气
安装在印刷电路
板;最小的足迹;
垂直静止空气中
符号参数
5.1瞬态热阻抗
03ao09
10
Z
日( J- MB )
(K / W)
1
δ
= 0.5
10
-1
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-2
单脉冲
P
δ
=
t
p
T
t
p
T
t
10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4.瞬态从结的热阻抗,以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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6.特性
表5:
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
( BR ) DSS
漏源击穿电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS ( TH)
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
10
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 160 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
图6
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
动态特性
Q
G( TOT )
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极(米勒)电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极(二极管的正向)电压余
S
= 25 A; V
GS
= 0 V;
图12
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的; V
GS
= 0 V
V
DS
≤ 100 V ;
L
= 4
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 6
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
图13
I
D
= 25 A; V
DS
= 100 V; V
GS
= 10 V;
图11
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
32.2
6.5
9.6
1870
230
70
12
35
43
45
0.87
150
645
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
-
65
182
77
215
m
m
-
-
-
-
-
10
1
500
100
A
A
nA
2
1
-
3
-
-
4
-
4.4
V
V
V
200
180
-
-
-
-
V
V
条件
典型值
最大
单位
源极 - 漏极二极管
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N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
版本01 - 2004年11月8日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型网络场效果的塑料封装晶体管
使用的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
低通态电阻
s
低热阻
s
快速开关
s
低栅极电荷。
1.3应用
s
直流 - 直流初级侧开关。
1.4快速参考数据
s
V
DS
200 V
s
R
DSON
77 m
s
I
D
32.7 A
s
Q
gd
= 9.6 NC (典型值) 。
2.管脚信息
表1:
1
2
3
mb
来源
安装底座;
地连接到漏
[1]
离散钉扎
简化的轮廓
mb
mb
引脚说明
符号
D
G
mbb076
S
2
1
1 2 3
3
SOT78 ( TO- 220AB )
[1]
这是无法接受的SOT404封装的管脚2的连接。
SOT404 (D
2
-Pak )
飞利浦半导体
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N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
3.订购信息
表2:
订购信息
名字
PHP33NQ20T
PHB33NQ20T
TO-220AB
D
2
-PAK
描述
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3领先
TO-220AB
VERSION
SOT78
类型编号
塑料单端表面安装封装(D
2
-PAK ) ; 3导线(一根导线SOT404
裁剪)
4.极限值
表3:
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压(直流)
漏极 - 栅极电压(直流)
栅极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源(二极管的正向)直流(DC )笔
mb
= 25
°C
峰源(二极管正向)电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 10.4 A;
t
p
= 0.14毫秒; V
DD
200 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;开始在T
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
175
°C
25
°C ≤
T
j
175
°C;
R
GS
= 20 k
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
200
200
±20
32.7
23.1
65.4
230
+175
+175
32.7
65.4
190
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS ( AL )S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
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飞利浦半导体
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N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1,归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
10
2
I
D
(A)
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
03ao10
t
p
= 10
s
100
s
10
DC
1毫秒
10毫秒
1
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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5.热特性
表4:
R
日( J- MB )
R
号(j -a)的
热特性
条件
-
-
-
典型值
-
60
50
最大
0.65
-
-
单位
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
SOT78
SOT404
垂直于自由空气
安装在印刷电路
板;最小的足迹;
垂直静止空气中
符号参数
5.1瞬态热阻抗
03ao09
10
Z
日( J- MB )
(K / W)
1
δ
= 0.5
10
-1
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-2
单脉冲
P
δ
=
t
p
T
t
p
T
t
10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4.瞬态从结的热阻抗,以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
6.特性
表5:
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
( BR ) DSS
漏源击穿电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS ( TH)
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
10
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 160 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
图6
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
动态特性
Q
G( TOT )
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极(米勒)电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极(二极管的正向)电压余
S
= 25 A; V
GS
= 0 V;
图12
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的; V
GS
= 0 V
V
DS
≤ 100 V ;
L
= 4
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 6
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
图13
I
D
= 25 A; V
DS
= 100 V; V
GS
= 10 V;
图11
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
32.2
6.5
9.6
1870
230
70
12
35
43
45
0.87
150
645
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
-
65
182
77
215
m
m
-
-
-
-
-
10
1
500
100
A
A
nA
2
1
-
3
-
-
4
-
4.4
V
V
V
200
180
-
-
-
-
V
V
条件
典型值
最大
单位
源极 - 漏极二极管
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产品数据表
版本01 - 2004年11月8日
5 13
PHP33NQ20T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
牧师02 - 2009年2月3日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管( FET)在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算,通信,消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
更高的运行功率因低
热阻
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
由于要求低的简单栅极驱动
栅极电荷
适用于高频
由于快速开关应用
特征
1.3应用
DC至DC转换器的开关
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1 ;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
200
32.7
230
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
25 ℃;牛逼
j
175 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
V
DS
= 100V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25°C ;看
图9 ;
SEE
图10
-
9.6
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
65
77
m
恩智浦半导体
PHP33NQ20T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
来源
安装底座;连接
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT78
( TO- 220AB , SC- 46 )
3.订购信息
表3中。
订购信息
类型编号
名字
描述
VERSION
PHP33NQ20T
TO-220AB;
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78
SC-46
TO-220AB
PHP33NQ20T_2
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恩智浦半导体
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N沟道的TrenchMOS标准水平FET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS ( AL )S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1 ;
SEE
科幻gure 3
t
p
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
25 ℃;牛逼
j
175 °C
T
j
25 ℃;牛逼
j
175 ℃;
GS
= 20 k
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
200
200
20
23.1
32.7
65.4
230
175
175
32.7
65.4
190
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J(下INIT )
= 25°C ;我
D
= 10.4 ; V
SUP
200 V;
漏源雪崩松开;吨
p
= 0.14毫秒;
GS
= 50
能源
120
I
DER
(%)
80
03aa24
120
P
DER
(%)
80
03aa16
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
标准化的连续漏极电流为
的安装基座温度功能
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
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10
2
I
D
(A)
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
μ
s
03ao10
100
μ
s
10
DC
1毫秒
10毫秒
1
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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5.热特性
表5 。
符号
R
号(j -a)的
R
日( J- MB )
热特性
参数
条件
-
-
典型值
60
-
最大
-
0.65
单位
K / W
K / W
从垂直方向在静止空气的热阻
结到环境
自从看到热阻
图4
路口安装
BASE
10
Z
日( J- MB )
(K / W)
1
δ
= 0.5
10
-1
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-2
单脉冲
P
03ao09
δ
=
t
p
T
t
p
T
t
10
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
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    -
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