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PHP32N06LT ; PHB32N06LT
N沟道增强型网络场效晶体管
版本01 - 2001年11月6日
产品数据
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性:
PHP32N06LT在SOT78 ( TO220AB )
PHB32N06LT在SOT404 (D
2
-PAK ) 。
2.特点
s
的TrenchMOS 技术
s
兼容逻辑电平。
3.应用
s
通用开关
s
开关模式电源。
4.管脚信息
表1:
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78 ( TO- 220AB ) , SOT404 (D
2
-PAK ) ,简化的外形和符号
描述
栅极(G )
mb
mb
d
简化的轮廓
符号
漏极(四)
源极(S )
安装底座;
连接到漏极(D)
[1]
g
s
MBB076
2
1
MBK106
3
MBK116
1 2 3
SOT78 ( TO- 220AB )
[1]
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
SOT404 (D
2
-Pak )
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子股份有限公司的商标。
飞利浦半导体
PHP32N06LT ; PHB32N06LT
N沟道增强型网络场效晶体管
5.快速参考数据
表2:
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°C
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 5 V ;我
D
= 20 A
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 20 A
典型值
-
-
-
-
30
-
最大
60
34
97
175
40
43
单位
V
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 :限制值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
W
DSS
漏极 - 源极电压(直流)
漏极 - 栅极电压(直流)
栅极 - 源极电压(直流)
非重复性的栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流(DC)的
脉冲反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 20 A;
t
p
= 0.11毫秒; V
DS
25 V; V
GS
= 5 V;
R
GS
= 50
;
起始物为
j
= 25
°C
t
p
50
s
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
60
60
±15
±20
34
24
136
97
+175
+175
34
136
100
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
9397 750 09024
皇家飞利浦电子有限公司2001年版权所有。
产品数据
版本01 - 2001年11月6日
2 13
飞利浦半导体
PHP32N06LT ; PHB32N06LT
N沟道增强型网络场效晶体管
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
03aa24
80
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB ( C)
o
0
0
50
100
150
200
o
TMB ( C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1,归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
导通电阻= VDS / ID
03ah48
102
TP = 10微秒
100 s
10
DC
1毫秒
10毫秒
1
1
10
VDS ( V)
102
T
AMB
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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N沟道增强型网络场效晶体管
7.热特性
表4:
R
号(j -a)的
热特性
条件
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;
最小的足迹; SOT404封装
R
日( J- MB )
从结热阻安装基座
图4
数值单位
60
50
1.55
K / W
K / W
K / W
从结点到环境的热阻
符号参数
7.1瞬态热阻抗
10
第Z ( J- MB )
(K / W)
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
10-1
0.05
0.02
P
03ah47
10-2
单脉冲
tp
T
δ
=
tp
T
t
10-3
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP (多个)
1
图4.瞬态从结的热阻抗,以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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N沟道增强型网络场效晶体管
8.特点
表5 :性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号参数
静态特性
V
( BR ) DSS
漏源击穿电压
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS ( TH)
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 60 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V ;我
D
= 20 A;
图7
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 20 A;
V
GS
= 10 V ;我
D
= 20 A;
动态特性
Q
G( TOT )
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极(米勒)电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
;
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
图11
I
D
= 20 A; V
DD
= 44 V; V
GS
= 5 V;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
17
3
8.5
920
160
100
14
120
45
55
-
-
-
200
155
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
30
-
31.5
26
40
84
43
37
m
m
m
m
-
-
-
0.05
-
2
10
500
100
A
A
nA
1
0.5
-
1.5
-
-
2
-
2.3
V
V
V
60
55
-
-
-
-
V
V
条件
典型值
最大
单位
1280 pF的
9397 750 09024
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产品数据
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PHP32N06LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
牧师02 - 二零零九年十一月三十日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管( FET)在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算,通信,消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
1.3应用
通用开关
开关模式电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 5 V;
SEE
图1
3
T
mb
= 25°C ;看
图2
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
60
34
97
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
25 ℃;牛逼
j
175 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 5 V ;我
D
= 20 A;
V
DS
= 44 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图12
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 20 A;
T
j
= 25 °C
V
GS
= 5 V ;我
D
= 20 A;
T
j
= 25 °C;
SEE
图10
11
-
8.5
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
-
31.5
30
43
40
m
m
恩智浦半导体
PHP32N06LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
来源
安装底座;连接
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT78 ( TO- 220AB )
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
PHP32N06LT
TO-220AB
描述
VERSION
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78
TO-220AB
类型编号
PHP32N06LT_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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2 12
恩智浦半导体
PHP32N06LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
V
GSM
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
峰值栅源
电压
源出电流
峰源电流
脉冲;吨
p
50 s
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
3
t
p
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
25 ℃;牛逼
j
175 °C
R
GS
= 20 k
-
-
-15
-
-
-
-
-55
-55
-20
最大
60
60
15
24
34
136
97
175
175
20
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
V
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
源极 - 漏极二极管
I
S
I
SM
E
DS ( AL )S
T
mb
= 25 °C
t
p
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
-
-
-
34
136
100
A
A
mJ
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 5 V ;牛逼
J(下INIT )
= 25°C ;我
D
= 20 A; V
SUP
25 V;
漏源雪崩松开;吨
p
= 0.11毫秒;
GS
= 50
能源
120
I
DER
(%)
80
03aa24
120
P
DER
(%)
80
03aa16
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
标准化的连续漏极电流为
的安装基座温度功能
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
PHP32N06LT_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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3 12
恩智浦半导体
PHP32N06LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
10
3
I
D
(A)
03ah48
t
p
= 10
μs
10
2
R
DSON
= V
DS
/I
D
100
μs
10
DC
1毫秒
10毫秒
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
5.热特性
表5 。
符号
R
日( J- MB )
热特性
参数
条件
-
典型值
-
最大
1.55
单位
K / W
自从看到热阻
图4
路口安装
BASE
从垂直方向在静止空气的热阻
结到环境
R
号(j -a)的
-
60
-
K / W
10
Z
日( J- MB )
(K / W)
1
δ
= 0.5
0.2
10
1
0.1
0.05
0.02
P
03ah47
δ
=
t
p
T
10
2
单脉冲
10
3
10
5
t
p
T
t
10
4
10
3
10
2
10
1
t
p
(s)
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
PHP32N06LT_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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4 12
恩智浦半导体
PHP32N06LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
6.特性
表6 。
符号
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55 °C;
SEE
图9
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C;
SEE
图9
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 175 °C;
SEE
图9
I
DSS
I
GSS
R
DSON
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 60 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 60 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 175 °C
V
GS
= 10 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -10 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 20 A;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 5 V ;我
D
= 20 A;牛逼
j
= 175 °C;
SEE
图10
11
V
GS
= 10 V ;我
D
= 20 A;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 5 V ;我
D
= 20 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图10
11
动态特性
Q
G( TOT )
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 25 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图8
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT = -100 A / μs的; V
GS
= -10 V;
V
DS
= 30 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 5 V;
R
G( EXT )
= 10
;
T
j
= 25 °C
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25°C ;看
图13
I
D
= 20 A; V
DS
= 44 V; V
GS
= 5 V;
T
j
= 25°C ;看
图12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
17
3
8.5
920
160
100
14
120
45
55
1
36
70
-
-
-
1280
200
155
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
55
60
-
1
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
1.5
-
0.05
-
2
2
31.5
-
26
30
最大
-
-
2.3
2
-
10
500
100
100
43
84
37
40
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
m
m
m
m
静态特性
源极 - 漏极二极管
PHP32N06LT_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 二零零九年十一月三十日
5 12
PHP32N06LT ; PHB32N06LT
N沟道增强型网络场效晶体管
版本01 - 2001年11月6日
产品数据
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性:
PHP32N06LT在SOT78 ( TO220AB )
PHB32N06LT在SOT404 (D
2
-PAK ) 。
2.特点
s
的TrenchMOS 技术
s
兼容逻辑电平。
3.应用
s
通用开关
s
开关模式电源。
4.管脚信息
表1:
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78 ( TO- 220AB ) , SOT404 (D
2
-PAK ) ,简化的外形和符号
描述
栅极(G )
mb
mb
d
简化的轮廓
符号
漏极(四)
源极(S )
安装底座;
连接到漏极(D)
[1]
g
s
MBB076
2
1
MBK106
3
MBK116
1 2 3
SOT78 ( TO- 220AB )
[1]
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
SOT404 (D
2
-Pak )
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子股份有限公司的商标。
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N沟道增强型网络场效晶体管
5.快速参考数据
表2:
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°C
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 5 V ;我
D
= 20 A
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 20 A
典型值
-
-
-
-
30
-
最大
60
34
97
175
40
43
单位
V
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 :限制值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
W
DSS
漏极 - 源极电压(直流)
漏极 - 栅极电压(直流)
栅极 - 源极电压(直流)
非重复性的栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流(DC)的
脉冲反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 20 A;
t
p
= 0.11毫秒; V
DS
25 V; V
GS
= 5 V;
R
GS
= 50
;
起始物为
j
= 25
°C
t
p
50
s
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
60
60
±15
±20
34
24
136
97
+175
+175
34
136
100
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
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120
PDER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
03aa24
80
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB ( C)
o
0
0
50
100
150
200
o
TMB ( C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1,归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
导通电阻= VDS / ID
03ah48
102
TP = 10微秒
100 s
10
DC
1毫秒
10毫秒
1
1
10
VDS ( V)
102
T
AMB
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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7.热特性
表4:
R
号(j -a)的
热特性
条件
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;
最小的足迹; SOT404封装
R
日( J- MB )
从结热阻安装基座
图4
数值单位
60
50
1.55
K / W
K / W
K / W
从结点到环境的热阻
符号参数
7.1瞬态热阻抗
10
第Z ( J- MB )
(K / W)
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
10-1
0.05
0.02
P
03ah47
10-2
单脉冲
tp
T
δ
=
tp
T
t
10-3
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP (多个)
1
图4.瞬态从结的热阻抗,以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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8.特点
表5 :性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号参数
静态特性
V
( BR ) DSS
漏源击穿电压
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS ( TH)
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 60 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V ;我
D
= 20 A;
图7
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 20 A;
V
GS
= 10 V ;我
D
= 20 A;
动态特性
Q
G( TOT )
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极(米勒)电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
;
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
图11
I
D
= 20 A; V
DD
= 44 V; V
GS
= 5 V;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
17
3
8.5
920
160
100
14
120
45
55
-
-
-
200
155
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
30
-
31.5
26
40
84
43
37
m
m
m
m
-
-
-
0.05
-
2
10
500
100
A
A
nA
1
0.5
-
1.5
-
-
2
-
2.3
V
V
V
60
55
-
-
-
-
V
V
条件
典型值
最大
单位
1280 pF的
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