PHP32N06LT ; PHB32N06LT
N沟道增强型网络场效晶体管
版本01 - 2001年11月6日
产品数据
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性：
PHP32N06LT在SOT78 （ TO220AB ）
PHB32N06LT在SOT404 （D
2
-PAK ） 。
2.特点
s
的TrenchMOS 技术
s
兼容逻辑电平。
3.应用
s
通用开关
s
开关模式电源。
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78 （ TO- 220AB ） ， SOT404 （D
2
-PAK ） ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
mb
mb
d
简化的轮廓
符号
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
[1]
g
s
MBB076
2
1
MBK106
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
SOT404 （D
2
-Pak ）
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子股份有限公司的商标。
飞利浦半导体
PHP32N06LT ; PHB32N06LT
N沟道增强型网络场效晶体管
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°C
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 5 V ;我
D
= 20 A
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 20 A
典型值
-
-
-
-
30
-
最大
60
34
97
175
40
43
单位
V
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
W
DSS
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
非重复性的栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流（DC）的
脉冲反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 20 A;
t
p
= 0.11毫秒; V
DS
≤
25 V; V
GS
= 5 V;
R
GS
= 50
;
起始物为
j
= 25
°C
t
p
≤
50
s
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
60
60
±15
±20
34
24
136
97
+175
+175
34
136
100
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
9397 750 09024
皇家飞利浦电子有限公司2001年版权所有。
产品数据
版本01 - 2001年11月6日
2 13
飞利浦半导体
PHP32N06LT ; PHB32N06LT
N沟道增强型网络场效晶体管
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
03aa24
80
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （ C）
o
0
0
50
100
150
200
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
导通电阻= VDS / ID
03ah48
102
TP = 10微秒
100 s
10
DC
1毫秒
10毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
AMB
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 09024
皇家飞利浦电子有限公司2001年版权所有。
产品数据
版本01 - 2001年11月6日
3 13
飞利浦半导体
PHP32N06LT ; PHB32N06LT
N沟道增强型网络场效晶体管
7.热特性
表4：
R
号（j -a）的
热特性
条件
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;
最小的足迹; SOT404封装
R
日（ J- MB ）
从结热阻安装基座
图4
数值单位
60
50
1.55
K / W
K / W
K / W
从结点到环境的热阻
符号参数
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
10-1
0.05
0.02
P
03ah47
10-2
单脉冲
tp
T
δ
=
tp
T
t
10-3
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 09024
皇家飞利浦电子有限公司2001年版权所有。
产品数据
版本01 - 2001年11月6日
4 13
PHP32N06LT ; PHB32N06LT
N沟道增强型网络场效晶体管
版本01 - 2001年11月6日
产品数据
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性：
PHP32N06LT在SOT78 （ TO220AB ）
PHB32N06LT在SOT404 （D
2
-PAK ） 。
2.特点
s
的TrenchMOS 技术
s
兼容逻辑电平。
3.应用
s
通用开关
s
开关模式电源。
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78 （ TO- 220AB ） ， SOT404 （D
2
-PAK ） ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
mb
mb
d
简化的轮廓
符号
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
[1]
g
s
MBB076
2
1
MBK106
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
SOT404 （D
2
-Pak ）
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子股份有限公司的商标。
飞利浦半导体
PHP32N06LT ; PHB32N06LT
N沟道增强型网络场效晶体管
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V
T
mb
= 25
°C
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 5 V ;我
D
= 20 A
T
j
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 20 A
典型值
-
-
-
-
30
-
最大
60
34
97
175
40
43
单位
V
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
W
DSS
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
非重复性的栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流（DC）的
脉冲反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 20 A;
t
p
= 0.11毫秒; V
DS
≤
25 V; V
GS
= 5 V;
R
GS
= 50
;
起始物为
j
= 25
°C
t
p
≤
50
s
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
60
60
±15
±20
34
24
136
97
+175
+175
34
136
100
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
9397 750 09024
皇家飞利浦电子有限公司2001年版权所有。
产品数据
版本01 - 2001年11月6日
2 13
飞利浦半导体
PHP32N06LT ; PHB32N06LT
N沟道增强型网络场效晶体管
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
03aa24
80
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （ C）
o
0
0
50
100
150
200
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
导通电阻= VDS / ID
03ah48
102
TP = 10微秒
100 s
10
DC
1毫秒
10毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
AMB
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 09024
皇家飞利浦电子有限公司2001年版权所有。
产品数据
版本01 - 2001年11月6日
3 13
飞利浦半导体
PHP32N06LT ; PHB32N06LT
N沟道增强型网络场效晶体管
7.热特性
表4：
R
号（j -a）的
热特性
条件
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;
最小的足迹; SOT404封装
R
日（ J- MB ）
从结热阻安装基座
图4
数值单位
60
50
1.55
K / W
K / W
K / W
从结点到环境的热阻
符号参数
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
10-1
0.05
0.02
P
03ah47
10-2
单脉冲
tp
T
δ
=
tp
T
t
10-3
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 09024
皇家飞利浦电子有限公司2001年版权所有。
产品数据
版本01 - 2001年11月6日
4 13
QQ：2880707522 复制
