PHP30NQ15T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
牧师03 - 2010年3月3日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
适用于高频
由于快速开关应用
特征
1.3应用
的DC- DC转换器
开关模式电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
和
2
T
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
150
29
150
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 10 V ;我
D
= 30 A;
V
DS
= 120 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图13
V
GS
= 10 V ;我
D
= 15 A;
T
j
= 25 °C;
SEE
图11
和
12
-
20
27
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
60
63
m
恩智浦半导体
PHP30NQ15T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PHP30NQ15T
TO-220AB
描述
VERSION
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78
TO-220AB
类型编号
PHP30NQ15T_3
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产品数据表
牧师03 - 2010年3月3日
2 13
恩智浦半导体
PHP30NQ15T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
和
2
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
图2
T
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
150
150
20
29
20
116
150
175
175
29
116
502
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 26 A; V
SUP
≤
25 V;
漏源雪崩松开;
GS
= 50
;
t
p
= 0.2毫秒;看
图4
能源
不重复
雪崩电流
V
SUP
≤
25 V; V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25 °C;
R
GS
= 50
;
松开;看
图4
I
AS
-
29
A
120
I
DER
(%)
80
03aa24
003aaa055
10
3
I
D
(A)
10
2
t
p
= 10
μs
10
100
μs
1毫秒
R
DSON
= V
DS
/ I
D
40
1
特区
10毫秒
100毫秒
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
10
1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
图1 。
标准化的连续漏极电流为
的安装基座温度功能
图2 。
安全工作区;连续和峰值漏极
电流与漏源电压的函数
PHP30NQ15T_3
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产品数据表
牧师03 - 2010年3月3日
3 13
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHP30NQ15T ， PHB30NQ15T
特点
“海沟”
技术
极低的通态电阻
快速开关
低热阻
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 150 V
I
D
= 29 A
g
R
DS （ ON）
≤
63 m
s
概述
N沟道增强型场效应功率在一个塑料封套使用“地沟”技术的晶体管。该装置
具有非常低的导通状态电阻。它是为使用在直流 - 直流转换器和通用开关应用。
该PHP30NQ15T是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该PHB30NQ15T是在SOT404 （提供
2
PAK ）表面贴装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
门
漏
1
来源
漏
描述
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT404 （D
2
PAK ）
TAB
2
1 23
1
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
150
150
±
20
29
20
116
150
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
1
这是无法接受的连接销：该SOT404包2中
1999年8月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHP30NQ15T ， PHB30NQ15T
归一化功率降额， PD （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
安装基座的温度， TMB （ C）
150
175
10
瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P
D
tp
D = TP / T
0.01
单脉冲
T
0.001
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
脉冲宽度TP （多个）
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
漏极电流ID （ A）
TJ = 25℃
30
6V
25
20
15
10
4.8 V
5
4.6 V
4.4 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
漏 - 源电压， VDS （V ）
1.6
1.8
2
5.4 V
5.2 V
5V
VGS = 10V
8V
归一化电流降额， ID （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
安装基座的温度， TMB （ C）
150
175
35
0
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
); V
GS
≥
10 V
峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
)
1000
0.2
RDS （ ON）= VDS / ID
100
TP = 10我们
10
特区
1
100美
1毫秒
0.08
10毫秒
100毫秒
0.06
0.04
0.02
0.1
1
10
100
漏 - 源电压， VDS （V ）
1000
0
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
4.4 V
4.6V
4.8 V
5V
5.2V
TJ = 25℃
5.4V
8V
6V
VGS = 10V
0
5
10
15
20
漏极电流ID （ A）
25
30
如图3所示。安全工作区
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
)
1999年8月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHP30NQ15T ， PHB30NQ15T
漏极电流ID （ A）
30
VDS > ID X RDS （ ON）
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
栅 - 源电压，V GS （V）的
175 C
TJ = 25℃
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
阈值电压VGS （ TO ） （V ）
最大
典型
最低
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
)
跨导， GFS （ S）
VDS > ID X RDS （ ON）
35
30
25
175 C
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
漏极电流ID （ A）
25
30
TJ = 25℃
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
漏极电流ID （ A）
40
1.0E-01
1.0E-02
最低
典型
1.0E-04
最大
1.0E-05
1.0E-03
1.0E-06
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
栅 - 源电压，V GS （V）的
4
4.5
5
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
正规化的导通状态电阻
2.9
2.7
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
-60
-40
-20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 C
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
10000
西塞
1000
科斯
100
CRSS
10
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1999年8月
5
启1.000
QQ：2880707522 复制
