飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHP3055E ， PHD3055E
特点
“海沟”
技术
低通态电阻
快速开关
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 55 V
I
D
= 10.3 A
g
R
DS （ ON）
≤
150毫欧（V
GS
= 10 V)
s
概述
N沟道增强模式，在使用“沟槽”技术的塑料封套场效应功率晶体管。
应用： -
直流以直流转换器
开关模式电源
该PHP3055E是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该PHD3055E是在SOT428 （ DPAK ）表面贴装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
门
漏
1
来源
描述
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT428 （ DPAK ）
TAB
2
漏
1 23
1
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
55
55
±
20
10.3
7.3
41
33
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
1
这是无法接受的连接销：该SOT428包2中
1999年8月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHP3055E PHD3055E
归一化功率降额， PD （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
安装基座的温度， TMB （ C）
150
175
10
瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）
D = 0.5
0.2
1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.1
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
T
1E-01
1E+00
P
D
tp
D = TP / T
脉冲宽度TP （多个）
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
漏极电流ID （ A）
TJ = 25℃
VGS = 10V
8V
7V
6.5 V
6V
5.5 V
5V
4.5 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
漏 - 源电压， VDS （V ）
1.6
1.8
2
归一化电流降额， ID （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
安装基座的温度， TMB （ C）
150
175
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
10 V
峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
)
100
0.5
RDS （ ON）= VDS / ID
TP = 10我们
10
100美
特区
1
100毫秒
1毫秒
10毫秒
0.45
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
0
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
5V
5.5V
6V
TJ = 25℃
6.5 V
7V
8V
VGS = 10V
0
1
2
3
4
5
6
漏极电流ID （ A）
7
8
9
10
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
)
1999年8月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHP3055E PHD3055E
漏极电流ID （ A）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
栅 - 源电压，V GS （V）的
TJ = 25℃
VDS > ID X RDS （ ON）
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
175 C
阈值电压VGS （ TO ） （V ）
最大
典型
最低
1
0.5
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
)
跨导， GFS （ S）
VDS > ID X RDS （ ON）
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
漏极电流ID （ A）
7
8
9
10
175 C
TJ = 25℃
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
漏极电流ID （ A）
4
1.0E-01
1.0E-02
最低
典型
1.0E-04
最大
1.0E-05
1.0E-03
1.0E-06
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
栅 - 源电压，V GS （V）的
4
4.5
5
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
正规化的导通状态电阻
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-60
-40
-20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
1000
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
西塞
100
科斯
CRSS
10
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1999年8月
5
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHP3055E ， PHD3055E
特点
“海沟”
技术
低通态电阻
快速开关
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 55 V
I
D
= 10.3 A
g
R
DS （ ON）
≤
150毫欧（V
GS
= 10 V)
s
概述
N沟道增强模式，在使用“沟槽”技术的塑料封套场效应功率晶体管。
应用： -
直流以直流转换器
开关模式电源
该PHP3055E是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该PHD3055E是在SOT428 （ DPAK ）表面贴装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
门
漏
1
来源
描述
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT428 （ DPAK ）
TAB
2
漏
1 23
1
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
55
55
±
20
10.3
7.3
41
33
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
1
这是无法接受的连接销：该SOT428包2中
1999年8月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHP3055E PHD3055E
归一化功率降额， PD （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
安装基座的温度， TMB （ C）
150
175
10
瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）
D = 0.5
0.2
1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.1
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
T
1E-01
1E+00
P
D
tp
D = TP / T
脉冲宽度TP （多个）
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
漏极电流ID （ A）
TJ = 25℃
VGS = 10V
8V
7V
6.5 V
6V
5.5 V
5V
4.5 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
漏 - 源电压， VDS （V ）
1.6
1.8
2
归一化电流降额， ID （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
安装基座的温度， TMB （ C）
150
175
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
10 V
峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
)
100
0.5
RDS （ ON）= VDS / ID
TP = 10我们
10
100美
特区
1
100毫秒
1毫秒
10毫秒
0.45
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
0
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
5V
5.5V
6V
TJ = 25℃
6.5 V
7V
8V
VGS = 10V
0
1
2
3
4
5
6
漏极电流ID （ A）
7
8
9
10
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
)
1999年8月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHP3055E PHD3055E
漏极电流ID （ A）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
栅 - 源电压，V GS （V）的
TJ = 25℃
VDS > ID X RDS （ ON）
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
175 C
阈值电压VGS （ TO ） （V ）
最大
典型
最低
1
0.5
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
)
跨导， GFS （ S）
VDS > ID X RDS （ ON）
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
漏极电流ID （ A）
7
8
9
10
175 C
TJ = 25℃
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
漏极电流ID （ A）
4
1.0E-01
1.0E-02
最低
典型
1.0E-04
最大
1.0E-05
1.0E-03
1.0E-06
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
栅 - 源电压，V GS （V）的
4
4.5
5
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
正规化的导通状态电阻
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-60
-40
-20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
1000
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
西塞
100
科斯
CRSS
10
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1999年8月
5
启1.200
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