PHP29N08T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
牧师02 - 2009年3月12日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
高抗干扰性，由于高门
阈值电压
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
1.3应用
工业电机控制
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 11 V;
SEE
图1 ;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
75
27
88
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 10 V ;我
D
= 29 A;
V
DS
= 60 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
V
GS
= 11 V ;我
D
= 14 A;
T
j
= 175℃ ;看
图9 ;
SEE
图10
V
GS
= 11 V ;我
D
= 14 A;
T
j
= 25°C ;看
图9 ;
SEE
图10
-
9
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
96
120
m
-
40
50
m
恩智浦半导体
PHP29N08T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装基座，连接到
漏
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT78
（ TO- 220AB ， SC- 46 ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
类型编号
包
名字
描述
VERSION
PHP29N08T
TO-220AB;
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78
SC-46
TO-220AB
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= 11 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 11 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1 ;
SEE
科幻gure 3
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≤
175 ℃;牛逼
j
≥
25 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-30
-
-
-
-
-55
-55
-
-
最大
75
75
30
19.2
27
108
88
175
175
27
108
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
PHP29N08T_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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2 12
PHP/PHB29N08T
的TrenchMOS 标准水平FET
版本01 - 2002年5月29日
产品数据
1.描述
N沟道标准级科幻场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PHP29N08T在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB29N08T在SOT404 （D
2
-PAK ） 。
2.特点
s
高噪声抗扰度
s
低通态电阻。
3.应用
s
工业电机控制。
4.管脚信息
表1：
穿针 - SOT78 ， SOT404简化的外形和符号
简化的轮廓
mb
mb
引脚说明
1
2
3
mb
栅极（G ）
符号
d
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到漏极（D）
[1]
g
s
MBB076
2
1
MBK106
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
SOT404 （D
2
-Pak ）
飞利浦半导体
PHP/PHB29N08T
的TrenchMOS 标准水平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 11 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 11 V ;我
D
= 14 A
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
40
96
50
120
m
m
典型值
-
-
-
-
最大
75
27
88
175
单位
V
A
W
°C
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 11 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 11 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
75
75
±30
27
19.2
108
88
+175
+175
27
108
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
9397 750 09651
皇家飞利浦电子有限公司2002年版权所有。
产品数据
版本01 - 2002年5月29日
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飞利浦半导体
PHP/PHB29N08T
的TrenchMOS 标准水平FET
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
03aj06
102
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10微秒
10
100 s
DC
1毫秒
1
1
10
102
VDS （ V）
103
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 11V.
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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飞利浦半导体
PHP/PHB29N08T
的TrenchMOS 标准水平FET
7.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
SOT78封装;垂直静止空气中
SOT404封装;
SOT404最低足迹;
安装在PCB上
最小典型最大单位
-
-
-
-
60
50
1.7
-
-
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
符号参数
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
03aj05
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
10-1
0.02
单脉冲
P
δ
=
tp
T
tp
T
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
t
TP （多个）
10-1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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PHP/PHB29N08T
的TrenchMOS 标准水平FET
版本01 - 2002年5月29日
产品数据
1.描述
N沟道标准级科幻场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PHP29N08T在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB29N08T在SOT404 （D
2
-PAK ） 。
2.特点
s
高噪声抗扰度
s
低通态电阻。
3.应用
s
工业电机控制。
4.管脚信息
表1：
穿针 - SOT78 ， SOT404简化的外形和符号
简化的轮廓
mb
mb
引脚说明
1
2
3
mb
栅极（G ）
符号
d
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到漏极（D）
[1]
g
s
MBB076
2
1
MBK106
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
SOT404 （D
2
-Pak ）
飞利浦半导体
PHP/PHB29N08T
的TrenchMOS 标准水平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 11 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 11 V ;我
D
= 14 A
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
40
96
50
120
m
m
典型值
-
-
-
-
最大
75
27
88
175
单位
V
A
W
°C
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 11 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 11 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
75
75
±30
27
19.2
108
88
+175
+175
27
108
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
9397 750 09651
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产品数据
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飞利浦半导体
PHP/PHB29N08T
的TrenchMOS 标准水平FET
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
03aj06
102
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10微秒
10
100 s
DC
1毫秒
1
1
10
102
VDS （ V）
103
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 11V.
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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飞利浦半导体
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的TrenchMOS 标准水平FET
7.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
SOT78封装;垂直静止空气中
SOT404封装;
SOT404最低足迹;
安装在PCB上
最小典型最大单位
-
-
-
-
60
50
1.7
-
-
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
符号参数
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
03aj05
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
10-1
0.02
单脉冲
P
δ
=
tp
T
tp
T
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
t
TP （多个）
10-1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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的TrenchMOS 标准水平FET
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产品数据
1.描述
N沟道标准级科幻场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PHP29N08T在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB29N08T在SOT404 （D
2
-PAK ） 。
2.特点
s
高噪声抗扰度
s
低通态电阻。
3.应用
s
工业电机控制。
4.管脚信息
表1：
穿针 - SOT78 ， SOT404简化的外形和符号
简化的轮廓
mb
mb
引脚说明
1
2
3
mb
栅极（G ）
符号
d
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到漏极（D）
[1]
g
s
MBB076
2
1
MBK106
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
SOT404 （D
2
-Pak ）
飞利浦半导体
PHP/PHB29N08T
的TrenchMOS 标准水平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 11 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 11 V ;我
D
= 14 A
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
40
96
50
120
m
m
典型值
-
-
-
-
最大
75
27
88
175
单位
V
A
W
°C
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 11 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 11 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
75
75
±30
27
19.2
108
88
+175
+175
27
108
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
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飞利浦半导体
PHP/PHB29N08T
的TrenchMOS 标准水平FET
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
03aj06
102
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10微秒
10
100 s
DC
1毫秒
1
1
10
102
VDS （ V）
103
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 11V.
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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PHP/PHB29N08T
的TrenchMOS 标准水平FET
7.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
SOT78封装;垂直静止空气中
SOT404封装;
SOT404最低足迹;
安装在PCB上
最小典型最大单位
-
-
-
-
60
50
1.7
-
-
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
符号参数
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
03aj05
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
10-1
0.02
单脉冲
P
δ
=
tp
T
tp
T
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
t
TP （多个）
10-1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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PHP/PHB29N08T
的TrenchMOS 标准水平FET
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1.描述
N沟道标准级科幻场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PHP29N08T在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB29N08T在SOT404 （D
2
-PAK ） 。
2.特点
s
高噪声抗扰度
s
低通态电阻。
3.应用
s
工业电机控制。
4.管脚信息
表1：
穿针 - SOT78 ， SOT404简化的外形和符号
简化的轮廓
mb
mb
引脚说明
1
2
3
mb
栅极（G ）
符号
d
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到漏极（D）
[1]
g
s
MBB076
2
1
MBK106
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
SOT404 （D
2
-Pak ）
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的TrenchMOS 标准水平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 11 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 11 V ;我
D
= 14 A
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
40
96
50
120
m
m
典型值
-
-
-
-
最大
75
27
88
175
单位
V
A
W
°C
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 11 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 11 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
75
75
±30
27
19.2
108
88
+175
+175
27
108
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
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的TrenchMOS 标准水平FET
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
03aj06
102
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10微秒
10
100 s
DC
1毫秒
1
1
10
102
VDS （ V）
103
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 11V.
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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7.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
SOT78封装;垂直静止空气中
SOT404封装;
SOT404最低足迹;
安装在PCB上
最小典型最大单位
-
-
-
-
60
50
1.7
-
-
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
符号参数
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
03aj05
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
10-1
0.02
单脉冲
P
δ
=
tp
T
tp
T
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
t
TP （多个）
10-1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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