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PHP28NQ15T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
版本02 - 2010年3月22日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
切换过程中提高效率
由于低体二极管恢复
收费
适用于高频
由于快速开关应用
特征
1.3应用
D类音频放大器
直流 - 交流逆变器
的DC- DC转换器
开关模式电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
j
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
和
3
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
150
28.5
150
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A;
V
DS
= 75 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图12
和
11
V
GS
= 10 V ;我
D
= 18 A;
T
j
= 25°C ;看
图9
和
10
-
7.5
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
54
65
m
恩智浦半导体
PHP28NQ15T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PHP28NQ15T
TO-220AB
描述
VERSION
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78
TO-220AB
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 9.9 A; V
SUP
≤
150 V;
R
GS
= 50
;
t
p
= 0.1毫秒;松开
V
GS
= 10 V ;牛逼
j
= 25°C ;看
图1
和
3
V
GS
= 10 V ;牛逼
j
= 100 ℃;看
图1
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
150
150
20
28.5
20.2
57.1
150
175
175
28.5
57.1
100
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
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产品数据表
版本02 - 2010年3月22日
2 13
恩智浦半导体
PHP28NQ15T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
120
I
DER
(%)
80
03aa23
120
P
DER
(%)
80
03aa16
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
标准化的连续漏极电流为
的安装基座温度功能
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
003aab102
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
μ
s
10
DC
1
100
μ
s
1毫秒
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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恩智浦半导体
PHP28NQ15T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
SEE
图4
垂直静止空气中
民
-
-
典型值
-
60
最大
1
-
单位
K / W
K / W
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
1
δ =
0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
p
T
P
003aab103
δ
=
t
p
T
t
t
p
(s)
10
-1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
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恩智浦半导体
PHP28NQ15T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
6.特性
表6 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55°C ;看
图7
和
8
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 175℃ ;看
图7
和
8
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25°C ;看
图7
和
8
I
DSS
I
GSS
R
DSON
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 120 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 120 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 175 °C
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= -20 V; V
DS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 18 A;牛逼
j
= 175℃ ;看
图9
和
10
V
GS
= 10 V ;我
D
= 18 A;牛逼
j
= 25°C ;看
图9
和
10
R
G
内部栅极电阻F = 1MHz的;牛逼
j
= 25 °C
（AC）的
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅源高原
电压
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= 75 V ;
L
= 3
;
V
GS
= 10 V;
R
G（ EXT ）
= 5.6
;
T
j
= 25 °C
V
DS
= 75 V ;
L
= 3
;
V
GS
= 10 V ;
G（ EXT ）
5.6
;
T
j
= 25 °C
V
DS
= 75 V ;
L
= 3
;
V
GS
= 10 V;
R
G（ EXT ）
= 5.6
;
T
j
= 25 °C
I
S
= 25 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25°C ;看
图14
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT = -100 A / μs的; V
GS
= 0 V;
V
DS
= 25 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 10 A; V
DS
= 75 V; V
GS
= 10 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
和
12
I
D
= 10 A; V
DS
= 75 V; V
GS
= 10 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图12
和
11
I
D
= 25 A; V
DS
= 75 V ;牛逼
j
= 25°C ;看
图11
和
12
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图13
民
135
150
-
1
2
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
3
-
-
10
10
145
54
1.1
最大
-
-
4.4
-
4
1
500
100
100
175
65
-
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
m
m
静态特性
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
V
GS （ PL ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
24
6
7.5
5
1250
185
55
12
20
12
55
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管
V
SD
t
rr
Q
r
源 - 漏电压
反向恢复时间
恢复电荷
-
-
-
0.87
110
170
1.2
-
-
V
ns
nC
PHP28NQ15T_2
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PZ3064-10BC
PCN13-090S-2.54DSA
PAL14X8VC
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PALCE20V8H-7JI
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    -
    -
    -
    -
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