【飞利浦半导体产品speci fi cation的TrenchMOS 晶体管逻辑电平FET特点“海沟”】,IC型号PHP24N03LT,PHP24N03LT PDF资料,PHP24N03LT经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

特点

“海沟”

技术

极低的通态电阻

快速开关

稳定的关闭状态特性

高的热循环性能

低热阻

PHP24N03LT ， PHB24N03LT

符号

快速参考数据

DSS

= 30 V

= 24 A

DS （ ON）

≤

56毫欧（V

= 5 V)

DS （ ON）

≤

50毫欧（V

= 10 V)

概述

N沟道增强模式的逻辑电平场效应功率在一个塑料封套使用“地沟”技术的晶体管。

该装置具有非常低的导通状态电阻。它是为使用在直流 - 直流转换器和通用切换

应用程序。

该PHP24N03LT是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。

该PHB24N03LT是在SOT404表面安装封装。

钉扎

针

TAB

门

漏

来源

漏

描述

SOT78 （ TO220AB ）

TAB

SOT404

TAB

1 23

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

DSS

DGR

, T

英镑

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

工作结

储存温度

条件

= 25 °C至175℃下

= 25 °C至175℃ ;

= 20 k

= 25 ℃; V

= 5 V

= 100℃ ; V

= 5 V

= 25 C

分钟。

- 55

马克斯。

175

单位

这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。

1998年1月

启1.300

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

ESD限值

符号参数

静电放电

电容电压，所有引脚

条件

PHP24N03LT ， PHB24N03LT

分钟。

马克斯。

单位

人体模型（ 100 pF的， 1.5千欧）

热阻

符号参数

日J- MB

日J-一

热阻结

安装基座

热阻结

到环境

条件

分钟。

SOT78封装，在自由空气

SOT404封装，PCB安装，最小值

脚印

典型值。马克斯。单位

2.5

K / W

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GS （ TO ）

DS （ ON）

GSS

DSS

G（ TOT ）

D ON

D OFF

国际空间站

OSS

RSS

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

= 0 V ;我

= 0.25毫安;

= -55C

= 1毫安

= V

; I

= 1毫安

= 175C

= -55C

= 5 V ;我

= 25 A

= 10 V ;我

= 25 A

= 5 V ;我

= 12 A;牛逼

= 175C

正向跨导

= 25 V ;我

= 12 A

栅极 - 源极漏电流V

±5

V; V

= 0 V;

= 175C

零栅压漏

= 30 V; V

= 0 V;

当前

= 175C

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反馈电容

= 10 A; V

= 30 V; V

= 5 V

分钟。

0.5

典型值。马克斯。单位

1.5

0.02

0.05

2.3

5.4

3.5

4.5

7.5

460

144

2.3

104

500

= 30 V ;我

= 25 A;

= 5 V ;

= 10

阻性负载

测量标签，模具中心

从测得的漏导致的模具中心

（ SOT78封装）

从源铅源测量

焊盘

= 0 V; V

= 25 V ; F = 1 MHz的

1998年1月

启1.300

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHP24N03LT ， PHB24N03LT

反向二极管极限值和特性

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲电流源（体

二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

= 25 A; V

= 0 V

= 12 A; - 二

/ DT = 100 A / μs的;

= -10 V; V

= 25 V

典型值。马克斯。单位

1.05

0.1

1.5

雪崩限值

符号参数

DSS

条件

分钟。

马克斯。

单位

漏源不重复的我

= 12 A; V

≤

15 V;

非钳位电感关断V

= 5 V ;

= 50

;

= 25 C

能源

120

110

100

PD ％

归一化功率降额

120

110

100

ID％

归一化电流降额

80 100

TMB / C

120

140

160

180

80 100

TMB / C

120

140

160

180

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

D 25 C

= F （T

)

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

D 25 C

= F （T

） ;条件： V

≥

5 V

1998年1月

启1.300

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHP24N03LT ， PHB24N03LT

100

ID ，漏极电流（ AMPS ）

PHP24N03T

0.12

0.1

0.08

RDS （ ON），漏源导通电阻（欧姆）

PHP24N03LT

VGS = 2.5 V

)

10我们

100美

1毫秒

10毫秒

TMB = 25℃

0.06

0.04

0.02

TJ = 25℃

3.5 V

15 V

VDS ，漏极 - 源极电压（伏）

100

ID ，漏极电流（ AMPS ）

如图3所示。安全工作区。牛逼

= 25 C

＆放大器;我

= F（V

); I

单脉冲;参数t

瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W） PHP24N03T

图6 。典型通态电阻，T

= 25 C.

DS （ ON）

= F（我

） ;参数V

漏极电流ID （ A）

VDS = 25 V

PHP24N03LT

0.5

0.2

0.1

0.05

0.1

0.02

175 C

TJ = 25℃

0.01

1us

为10us 100us的10毫秒1毫秒

脉冲宽度TP （多个）

0.1s

10s

栅 - 源电压，V GS （V）的

图4 。瞬态热阻抗。

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

ID ，漏极电流（ AMPS ）

15 V

PHP24N03LT

3.5 V

图7 。典型的传输特性。

= F（V

） ;参数T

PHP24N03LT

跨导， GFS （ S）

VDS = 25 V

TJ = 25℃

175 C

VGS = 2.5 V

TJ = 25℃

VDS ，漏极 - 源极电压（伏）

漏极电流ID （ A）

图5 。典型的输出特性，T

= 25 C.

= F（V

） ;参数V

图8 。典型的跨导，T

= 25 C.

= F（我

)

1998年1月

启1.300

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHP24N03LT ， PHB24N03LT

30V的TrenchMOS

1000

电容西塞，科斯，的Crss （PF ）

西塞

PHP24N03LT

1.5

100

科斯

CRSS

0.5

TJ = 25℃

-100

-50

TJ / C

100

150

200

100

漏 - 源电压， VDS （V ）

1000

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

DS （ ON） 25 C

= F （T

); I

= 12 A; V

= 5 V

VGS （ TO ） / V

马克斯。

典型值。

1.5

分钟。

BUK959-60

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

C = F（V

） ;条件： V

= 0 V ; F = 1 MHz的

VGS ，栅源电压（伏）

VDD = 30 V

ID = 10 A

TJ = 25℃

2.5

PHP24N03LT

0.5

-100

-50

TJ / C

100

150

200

QG ，栅极电荷（ NC）

图10 。栅极阈值电压。

GS （ TO ）

= F （T

） ;条件：我

= 1毫安; V

= V

亚阈值传导

图13 。典型导通栅极电荷特性。

= F （Q

） ;参数V

PHP24N03LT

1E-01

源极 - 漏极二极管的电流IF （ A）

VGS = 0 V

1E-02

典型值

98%

1E-03

1E-04

175 C

TJ = 25℃

1E-05

0.2

0.4

0.6

0.8

源极 - 漏极电压， VSDS （V ）

1.2

1.4

1E-05

0.5

1.5

2.5

图11 。亚阈值漏电流。

= F（V

GS ）

;条件：T已

= 25 ℃; V

= V

图14 。典型的反向二极管电流。

= F（V

SDS

） ;参数T

1998年1月

启1.300