【分立半导体数据表PHP225双P沟道增强模式的MOS晶体管产品speci fi cation取代19】,IC型号PHP225/T3,PHP225/T3 PDF资料,PHP225/T3经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

PHP225

双P沟道增强

模式的MOS晶体管

产品speci fi cation

取代1994年11月数据

在分离式半导体， SC13b文件

1997年6月20日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双P沟道增强

模式的MOS晶体管

特点

高速开关

无二次击穿

非常低的导通电阻。

应用

电机和驱动器

电源管理

同步整流。

描述

两个P沟道增强型MOS晶体管中的一个

8引脚塑料SOT96-1 （ SO8 ）封装。

小心

该器件采用防静电包装中提供。

栅源输入必须加以保护，防止静电

运输或装卸过程中排出。

d1 d1

PHP225

钉扎 - SOT96-1 （ SO8 ）

针

符号

描述

源1

门1

源2

门2

排水2

排水1

手册， halfpage

d2 d2

MAM119

Fig.1简化外形和符号。

快速参考数据

符号

每个P沟道

GSO

gsth

DSON

合计

漏极 - 源极电压（直流）

源极 - 漏极二极管正向电压

栅极 - 源极电压（直流）

门源阈值电压

漏电流（ DC ）

漏源导通电阻

总功耗

A; V

= 80

°C

1.25

漏极开路

毫安; V

= V

1.6

±20

2.8

2.3

0.25

参数

条件

分钟。

马克斯。

单位

1997年6月20日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双P沟道增强

模式的MOS晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

每个P沟道

GSO

合计

漏极 - 源极电压（直流）

栅极 - 源极电压（直流）

漏电流（ DC ）

峰值漏极电流

总功耗

漏极开路

≤

°C

注1

= 80

°C;

注2

AMB

= 25

°C;

注3

AMB

= 25

°C;

注4

AMB

= 25

°C;

注5

英镑

笔记

1，脉冲宽度和占空比限制的最高结温。

储存温度

工作结温

≤

°C

注1

±20

参数

条件

分钟。

PHP225

马克斯。

单位

°C

2.3

1.3

+150

150

1.25

源极 - 漏极二极管

源电流（ DC）的

峰值脉冲电流源

每个MOS晶体管2.最大允许耗散。这两个设备可以被加载到2 W的同时。

每个MOS晶体管3.最大允许耗散。器件安装在印刷电路板用的R

TH A- TP

（环境，以配合点）的27.5 K / W 。

每个MOS晶体管4最大允许耗散。器件安装在印刷电路板用的R

TH A- TP

（环境，以配合点） 90 K / W 。

如果只有一个MOS晶体管的功耗5.最大允许耗散。器件安装在印刷电路板与

的R

TH A- TP

（环境，以配合点） 90 K / W 。

1997年6月20日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双P沟道增强

模式的MOS晶体管

PHP225

2.5

手册， halfpage

P合计

(W)

2.0

MLB836

手册， halfpage

(A)

(1)

TP =

MBE155

1.5

1.0

0.5

100

150

牛逼S（ C）

1毫秒

= T

0.1 s

200

(V)

= 0.01.

= 80

°C.

(1) R

DSON

限制。

图2功率降额曲线。

图3一飞冲天。

1997年6月20日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双P沟道增强

模式的MOS晶体管

热特性

符号

第j个-S

参数

热阻结到焊接点

价值

PHP225

单位

K / W

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

每个P沟道

（ BR ） DSS

gsth

DSS

GSS

DON

DSON

国际空间站

OSS

RSS

漏源击穿电压

门源阈值电压

漏极 - 源极漏电流

栅极漏电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 0; I

10 A

= V

; I

= 0; V

±20

V; V

= 0

V; V

4.5

V; V

4.5

V ;我

0.5

V ;我

= 0; V

V ; F = 1 MHz的

= 0; V

V ; F = 1 MHz的

= 0; V

V ; F = 1 MHz的

V; V

2.3

V; V

2.3

V; V

2.3

= 0到

V; V

= 20

为0 V ; V

= 20

= 0; I

1.25

A;的di / dt = 100 A / μs的

2.3

0.33

0.22

250

140

2.8

100

±100

0.4

0.25

参数

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

开关时间

关闭

开启时间

打开-O FF时间

140

源极 - 漏极二极管

源漏二极管正向

电压

反向恢复时间

150

1.6

200

1997年6月20日