【飞利浦半导体产品speci fi cationN沟道的TrenchMOS 晶体管逻辑电平FET特点“】,IC型号PHP21N06,PHP21N06 PDF资料,PHP21N06经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

特点

“海沟”

技术

低通态电阻

快速开关

兼容逻辑电平

g

PHP21N06LT ， PHB21N06LT

PHD21N06LT

快速参考数据

d

符号

V

DSS

= 55 V

I

D

= 19 A

R

DS （ ON）

≤

75毫欧（V

GS

= 5 V)

R

DS （ ON）

≤

70毫欧（V

GS

= 10 V)

s

概述

N沟道增强模式下，逻辑电平，在使用“沟槽”技术的塑料封套场效应功率晶体管。

应用： -

直流以直流转换器

开关模式电源

该PHP21N06LT是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。

该PHB21N06LT是在SOT404 （提供

2

PAK ）表面贴装封装。

该PHD21N06LT是在SOT428 （ DPAK ）表面贴装封装。

钉扎

针

1

2

3

TAB

描述

门

漏

1

来源

SOT78 （ TO220AB ）

TAB

SOT404 （D

2

PAK ）

TAB

SOT428 （ DPAK ）

TAB

2

1 23

2

1

3

1

3

漏

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

V

DSS

V

DGR

V

GS

V

GSM

I

D

I

DM

P

D

T

j

, T

英镑

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

脉冲栅极 - 源极电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

工作结

储存温度

条件

T

j

= 25 °C至175℃下

T

j

= 25 °C至175℃ ;

GS

= 20 k

T

j

≤

150C

T

mb

= 25 C

T

mb

= 100 C

T

mb

= 25 C

T

mb

= 25 C

分钟。

-

- 55

马克斯。

55

±

15

±

20

19

13

76

56

175

单位

V

A

W

C

1

这是无法接受的连接销：的SOT404或SOT428包装2 。

1999年8月

1

启1.500

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

雪崩能量极限值

PHP21N06LT ， PHB21N06LT

PHD21N06LT

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

E

AS

非重复性雪崩

能源

峰值不重复

雪崩电流

条件

非钳位感性负载时，我

AS

= 9.7 A;

t

p

= 100

s;

T

j

雪崩= 25之前;

V

DD

≤

25 V ;

GS

= 50

;

V

GS

= 5 V ;指

图： 15

分钟。

-

马克斯。

34

单位

mJ

I

AS

-

19

A

热阻

符号参数

R

日J- MB

R

日J-一

热阻结

安装基座

热阻结

到环境

条件

典型值。

-

SOT78封装，在自由空气

SOT428和SOT404封装，印刷电路板

安装，占用空间最小

60

50

马克斯。

2.7

-

单位

K / W

电气特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

R

DS （ ON）

g

fs

I

GSS

I

DSS

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

d

L

s

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安;

T

j

= -55C

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 175C

T

j

= -55C

V

GS

= 10 V ;我

D

= 10 A

V

GS

= 5 V ;我

D

= 10 A

T

j

= 175C

正向跨导

V

DS

= 25 V ;我

D

= 10 A

门源漏电流V

GS

=

±5

V; V

DS

= 0 V

零栅压漏

V

DS

= 55 V; V

GS

= 0 V;

当前

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反馈电容

I

D

= 20 A; V

DD

= 44 V; V

GS

= 5 V

分钟。

55

50

1.0

0.5

-

5

-

典型值。马克斯。单位

-

1.5

-

55

60

-

13

10

0.05

-

9.4

2.2

5.4

7

88

25

3.5

4.5

7.5

466

95

71

-

2.0

-

2.3

70

75

158

-

100

10

500

-

15

120

40

45

-

650

135

85

V

m

S

nA

A

nC

ns

nH

pF

T

j

= 175C

V

DD

= 30 V ;

D

= 1.2

;

R

G

= 10

;

V

GS

= 5 V

阻性负载

从测得的标签，模具中心

从测得的漏导致的模具中心

（ SOT78封装）

从源铅源测量

焊盘

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

1999年8月

2

启1.500

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHP21N06LT ， PHB21N06LT

PHD21N06LT

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流

（体二极管）

脉冲电流源（体

二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

-

I

F

= 20 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 20 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= 0 V; V

R

= 30 V

-

典型值。马克斯。单位

-

1.2

43

94

19

76

1.5

-

A

V

ns

nC

归一化功率降额， PD （％）

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

安装基座的温度， TMB （ C）

150

175

100

峰值漏电流脉冲， IDM （ A）

RDS （ ON）= VDS / ID

TP = 10我们

10

100美

1毫秒

10毫秒

100毫秒

特区

1

0.1

1

10

漏 - 源电压， VDS （V ）

100

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

mb

)

如图3所示。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）

归一化电流降额， ID （％）

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

安装基座的温度， TMB （ C）

150

175

10

D = 0.5

1

0.2

0.1

0.05

0.1

0.02

单脉冲

T

0.01

1E-06

1E-05

1E-04

1E-03

1E-02

1E-01

1E+00

P

D

tp

D = TP / T

脉冲宽度TP （多个）

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

mb

） ;条件： V

GS

≥

5 V

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

1999年8月

3

启1.500

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHP21N06LT ， PHB21N06LT

PHD21N06LT

35

30

25

20

15

10

5

0

漏极电流ID （ A）

TJ = 25℃

VGS = 10V

5V

3.4 V

3.2 V

3V

2.8 V

2.6 V

2.4 V

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

漏 - 源电压， VDS （V ）

1.6

1.8

2

15

14

13

12

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

跨导， GFS （ S）

VDS > ID X RDS （ ON）

TJ = 25℃

175 C

0

2

4

6

8

10

12

14

漏极电流ID （ A）

16

18

20

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

)

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

)

正规化的导通状态电阻

0.3

0.25

漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON）（欧姆）

2.6 V

2.4 V

2.8V

TJ = 25℃

0.2

0.15

0.1

0.05

3V

3.2 V

3.4 V

5V

VGS = 10V

0

5

10

15

20

漏极电流ID （ A）

25

30

35

2.4

2.2

2

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

-60

-40

-20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

结温TJ（ C）

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

)

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

R

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

)

阈值电压VGS （ TO ）（V ）

最大

漏极电流ID （ A）

20

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

4.5

5

栅 - 源电压，V GS （V）的

175 C

TJ = 25℃

VDS > ID X RDS （ ON）

2.25

2

1.75

1.5

1.25

1

0.75

0.5

0.25

0

典型

最低

-60

-40 -20

0

20

40

60

80

100 120 140 160 180

结温TJ（ C）

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

)

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

1999年8月

4

启1.500

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

逻辑电平FET

PHP21N06LT ， PHB21N06LT

PHD21N06LT

1.0E-01

漏极电流ID （ A）

30

源极 - 漏极二极管电流IF （ A）

VGS = 0 V

1.0E-02

25

20

1.0E-03

最低

典型

15

1.0E-04

175 C

TJ = 25℃

最大

10

5

0

1.0E-05

1.0E-06

0

0.5

1

1.5

2

栅 - 源电压，V GS （V）的

2.5

3

0

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

1

1.1 1.2 1.3 1.4 1.5

源极 - 漏极电压， VSDS （V ）

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

图14 。典型的反向二极管电流。

I

F

= F（V

SDS

） ;条件： V

GS

= 0 V ;参数T

j

最大雪崩电流，I

AS

(A)

10000

电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）

100

10

1000

西塞

25 C

100

科斯

1

TJ前雪崩= 150℃

CRSS

10

0.1

1

10

漏 - 源电压， VDS （V ）

100

0.1

0.001

0.01

0.1

雪崩时间，t

AV

（女士）

1

10

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

栅 - 源电压，V GS （V）的

ID = 20A

TJ = 25℃

VDD = 11 V

图15 。最大允许非重复

雪崩电流（I

AS

）与雪崩时间（t

AV

);

非钳位感性负载

15

14

13

12

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

VDD = 44 V

0

2

4

6

8

10

12

14

栅极电荷QG （ NC）

16

18

20

图13 。典型导通栅极电荷特性。

V

GS

= F （Q

G

)

1999年8月

5

启1.500

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

概述

N沟道增强模式

标准级场效应功率

使用晶体管在一个塑料外壳

“沟”技术。该装置

具有非常低的导通电阻

并拥有完整的齐纳二极管捐赠

ESD保护高达2kV的。这是

旨在用于直流 - 直流

转换器和通用

开关应用。

PHP21N06T

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

P

合计

T

j

R

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

漏极 - 源极导通状态

阻力

V

GS

= 10 V

马克斯。

55

21

69

175

75

单位

V

A

W

C

m

钉扎 - TO220AB

针

1

2

3

TAB

门

漏

来源

漏

描述

引脚配置

TAB

符号

d

g

s

1 23

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DS

V

DGR

±V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

, T

j

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

存储&工作温度

条件

-

R

GS

= 20 k

-

T

mb

= 25 C

T

mb

= 100 C

T

mb

= 25 C

T

mb

= 25 C

-

分钟。

-

- 55

马克斯。

55

20

21

14.7

84

69

175

单位

V

A

W

C

ESD限值

符号

V

C

参数

静电放电电容

电压，所有引脚

条件

人体模型

（ 100 pF的， 1.5千欧）

分钟。

-

马克斯。

2

单位

kV

热阻

符号

R

日J- MB

R

日J-一

参数

热阻结到

安装底座

热阻结到

环境

条件

-

在自由空气

典型值。

-

60

马克斯。

2.18

-

单位

K / W

1997年12月

1

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

静态特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

I

DSS

I

GSS

±V

（ BR ） GSS

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安;

T

j

= -55C

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 175C

T

j

= -55C

V

DS

= 55 V; V

GS

= 0 V;

V

GS

=

±10

V; V

DS

= 0 V

T

j

= 175C

T

j

= 175C

T

j

= 175C

分钟。

55

50

2.0

1.0

-

16

-

典型值。

-

3.0

-

0.05

-

0.04

-

60

-

PHP21N06T

马克斯。

-

4.0

-

4.4

10

500

1

20

-

75

157

单位

V

A

V

m

栅极 - 源极击穿电压I

G

=

±1

毫安;

漏极 - 源极导通状态

V

GS

= 10 V ;我

D

= 10 A

阻力

动态特性

T

mb

= 25 ° C除非另有说明

符号

g

fs

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

d

L

s

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

输入电容

输出电容

反馈电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

条件

V

DS

= 25 V ;我

D

= 10 A

I

D

= 20 A; V

DD

= 44 V; V

GS

= 10 V

分钟。

1

-

典型值。

-

13

4

5

365

110

60

9

16

14

13

3.5

4.5

7.5

马克斯。

-

500

135

85

14

21

25

20

-

单位

S

nC

pF

ns

nH

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

V

DD

= 30 V ;我

D

= 10 A;

V

GS

= 10 V ;

G

= 10

阻性负载

从螺丝接触测量

标签，模具中心

从漏极引线6毫米测

从包装到模具中心

从源测量导致6毫米

从包装到源焊盘

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

I

DR

I

DRM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

-

I

F

= 19.7 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 19.7 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= -10 V; V

R

= 30 V

-

典型值。

-

0.95

32

0.12

马克斯。

21

84

1.2

-

单位

A

V

ns

C

1997年12月

2

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

雪崩限值

符号

W

DSS

参数

漏源不重复

非钳位电感关断

能源

条件

I

D

= 10 A; V

DD

≤

25 V;

V

GS

= 10 V ;

GS

= 50

;

T

mb

= 25 C

分钟。

-

典型值。

-

PHP21N06T

马克斯。

30

单位

mJ

1997年12月

3

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

PHP21N06T

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

10

第Z / （K / W）

1

0.5

0.2

0.1

0.05

P

D

t

p

D=

t

p

T

t

0.1

0.02

T

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

0.01

1.0E-06

0.0001

T / S

0.01

1

100

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

mb

)

ID％

归一化电流降额

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

50

16

ID / A

40

10.0

9.5

9.0

8.5

8.0

7.5

7.0

20

6.5

6.0

10

5.5

5.0

4.5

4.0

14

12

VGS / V =

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

30

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

0

2

4

VDS / V 6

8

10

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

mb

） ;条件： V

GS

≥

10 V

100

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

RDS （ ON） /毫欧

VGS / V =

6

6.5

100

120

TP =

1美国

RDS （ ON）= VDS / ID

10us

ID / A

110

7

8

9 10

90

10

100美

80

70

DC

1毫秒

10ms

100ms

1

10

60

50

1

VDS / V

100

0

5

10 ID / A

15

20

25

30

如图3所示。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

1997年12月

4

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

PHP21N06T

25

ID / A

20

5

VGS （ TO ） / V

马克斯。

BUK759-60

4

典型值。

15

3

分钟。

10

2

5

TJ / C =

0

175

25

1

0

1

2

3

4

5

VGS / V

6

7

8

9

0

-100

-50

0

50

TJ / C

100

150

200

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;条件： V

DS

= 25 V ;参数T

j

9

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

亚阈值传导

GFS / S

8

7

6

5

1E-01

1E-02

2%

典型值

98%

1E-03

1E-04

4

3

2

1E-05

0

5

10

ID / A

15

20

25

1E-06

0

1

2

3

4

5

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

） ;条件： V

DS

= 25 V

BUK959-60

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

1

.9

.8

2.5

a

RDS（ON） normlised到25degC

2

数千pF的

.7

.6

.5

.4

.3

.2

.1

西塞

1.5

1

0.5

-100

-50

0

50

TMB /摄氏度

100

150

200

0

0.01

0.1

1

VDS / V

10

科斯

CRSS

100

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

); I

D

= 10 A; V

GS

= 10 V

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

1997年12月

5

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

概述

N沟道增强模式

标准级场效应功率

使用晶体管在一个塑料外壳

“沟”技术。该装置

具有非常低的导通电阻

并拥有完整的齐纳二极管捐赠

ESD保护高达2kV的。这是

旨在用于直流 - 直流

转换器和通用

开关应用。

PHP21N06T

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

P

合计

T

j

R

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

漏极 - 源极导通状态

阻力

V

GS

= 10 V

马克斯。

55

21

69

175

75

单位

V

A

W

C

m

钉扎 - TO220AB

针

1

2

3

TAB

门

漏

来源

漏

描述

引脚配置

TAB

符号

d

g

s

1 23

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DS

V

DGR

±V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

, T

j

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

存储&工作温度

条件

-

R

GS

= 20 k

-

T

mb

= 25 C

T

mb

= 100 C

T

mb

= 25 C

T

mb

= 25 C

-

分钟。

-

- 55

马克斯。

55

20

21

14.7

84

69

175

单位

V

A

W

C

ESD限值

符号

V

C

参数

静电放电电容

电压，所有引脚

条件

人体模型

（ 100 pF的， 1.5千欧）

分钟。

-

马克斯。

2

单位

kV

热阻

符号

R

日J- MB

R

日J-一

参数

热阻结到

安装底座

热阻结到

环境

条件

-

在自由空气

典型值。

-

60

马克斯。

2.18

-

单位

K / W

1997年12月

1

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

静态特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

I

DSS

I

GSS

±V

（ BR ） GSS

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安;

T

j

= -55C

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

T

j

= 175C

T

j

= -55C

V

DS

= 55 V; V

GS

= 0 V;

V

GS

=

±10

V; V

DS

= 0 V

T

j

= 175C

T

j

= 175C

T

j

= 175C

分钟。

55

50

2.0

1.0

-

16

-

典型值。

-

3.0

-

0.05

-

0.04

-

60

-

PHP21N06T

马克斯。

-

4.0

-

4.4

10

500

1

20

-

75

157

单位

V

A

V

m

栅极 - 源极击穿电压I

G

=

±1

毫安;

漏极 - 源极导通状态

V

GS

= 10 V ;我

D

= 10 A

阻力

动态特性

T

mb

= 25 ° C除非另有说明

符号

g

fs

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

d

L

s

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

输入电容

输出电容

反馈电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

条件

V

DS

= 25 V ;我

D

= 10 A

I

D

= 20 A; V

DD

= 44 V; V

GS

= 10 V

分钟。

1

-

典型值。

-

13

4

5

365

110

60

9

16

14

13

3.5

4.5

7.5

马克斯。

-

500

135

85

14

21

25

20

-

单位

S

nC

pF

ns

nH

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

V

DD

= 30 V ;我

D

= 10 A;

V

GS

= 10 V ;

G

= 10

阻性负载

从螺丝接触测量

标签，模具中心

从漏极引线6毫米测

从包装到模具中心

从源测量导致6毫米

从包装到源焊盘

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 ° C除非另有说明

符号

I

DR

I

DRM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

-

I

F

= 19.7 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 19.7 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= -10 V; V

R

= 30 V

-

典型值。

-

0.95

32

0.12

马克斯。

21

84

1.2

-

单位

A

V

ns

C

1997年12月

2

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

雪崩限值

符号

W

DSS

参数

漏源不重复

非钳位电感关断

能源

条件

I

D

= 10 A; V

DD

≤

25 V;

V

GS

= 10 V ;

GS

= 50

;

T

mb

= 25 C

分钟。

-

典型值。

-

PHP21N06T

马克斯。

30

单位

mJ

1997年12月

3

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

PHP21N06T

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

10

第Z / （K / W）

1

0.5

0.2

0.1

0.05

P

D

t

p

D=

t

p

T

t

0.1

0.02

T

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

0.01

1.0E-06

0.0001

T / S

0.01

1

100

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

mb

)

ID％

归一化电流降额

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

50

16

ID / A

40

10.0

9.5

9.0

8.5

8.0

7.5

7.0

20

6.5

6.0

10

5.5

5.0

4.5

4.0

14

12

VGS / V =

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

30

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

0

2

4

VDS / V 6

8

10

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

mb

） ;条件： V

GS

≥

10 V

100

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

RDS （ ON） /毫欧

VGS / V =

6

6.5

100

120

TP =

1美国

RDS （ ON）= VDS / ID

10us

ID / A

110

7

8

9 10

90

10

100美

80

70

DC

1毫秒

10ms

100ms

1

10

60

50

1

VDS / V

100

0

5

10 ID / A

15

20

25

30

如图3所示。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

1997年12月

4

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

的TrenchMOS 晶体管

标准水平FET

PHP21N06T

25

ID / A

20

5

VGS （ TO ） / V

马克斯。

BUK759-60

4

典型值。

15

3

分钟。

10

2

5

TJ / C =

0

175

25

1

0

1

2

3

4

5

VGS / V

6

7

8

9

0

-100

-50

0

50

TJ / C

100

150

200

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;条件： V

DS

= 25 V ;参数T

j

9

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

亚阈值传导

GFS / S

8

7

6

5

1E-01

1E-02

2%

典型值

98%

1E-03

1E-04

4

3

2

1E-05

0

5

10

ID / A

15

20

25

1E-06

0

1

2

3

4

5

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

） ;条件： V

DS

= 25 V

BUK959-60

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

1

.9

.8

2.5

a

RDS（ON） normlised到25degC

2

数千pF的

.7

.6

.5

.4

.3

.2

.1

西塞

1.5

1

0.5

-100

-50

0

50

TMB /摄氏度

100

150

200

0

0.01

0.1

1

VDS / V

10

科斯

CRSS

100

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

); I

D

= 10 A; V

GS

= 10 V

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

1997年12月

5

启1.100