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分立半导体
数据表
PHP212L
双P沟道增强
模式的MOS晶体管
客观的特定网络阳离子
在分离式半导体， SC13b文件
1997年6月20日
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
双P沟道增强
模式的MOS晶体管
特点
高速开关
无二次击穿
极低的通态电阻
低门槛。
应用
电机和驱动器
电源管理
同步整流。
描述
两个P沟道增强型MOS晶体管中的一个
8引脚塑料SOT96-1 （ SO8 ）封装。
小心
该器件采用防静电包装中提供。
栅源输入必须加以保护，防止静电
运输或装卸过程中排出。
1
4
s1
g
1
手册， halfpage
PHP212L
钉扎 - SOT96-1 （ SO8 ）
针
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
s
1
g
1
s
2
g
2
d
2
d
2
d
1
d
1
描述
源1
门1
源2
门2
排水2
排水2
排水1
排水1
d1 d1
5
d2 d2
8
MAM119
s2
g
2
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
符号
V
DS
V
SD
V
GS
V
gsth
I
D
R
DSON
P
合计
参数
漏极 - 源极电压（直流）
源极 - 漏极二极管正向电压
栅极 - 源极电压（直流）
门源阈值电压
漏电流（ DC ）
漏源导通电阻
总功耗
I
D
=
1
毫安; V
DS
= V
GS
T
s
= 80
°C
I
D
=
2
A; V
GS
=
4.5
V
T
s
= 80
°C
I
S
=
1.25
A
条件
0.5
分钟。
马克斯。
30
1.3
±12
1.1
4
0.12
3.5
V
V
V
V
A
W
单位
1997年6月20日
2
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
双P沟道增强
模式的MOS晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
每个P沟道
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
漏极 - 源极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
T
s
= 80
°C;
注1
注2
T
s
= 80
°C;
注3
T
AMB
= 25
°C;
注4
T
AMB
= 25
°C;
注5
T
AMB
= 25
°C;
注6
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
笔记
1. T
s
是在漏极引线的焊接点的温度。
2.脉冲宽度和占空比限制的最高结温。
储存温度
工作结温
T
s
= 80
°C
注2
55
55
参数
条件
分钟。
PHP212L
马克斯。
30
±12
4
16
3.5
2.6
1.1
1.5
+150
+150
2.6
10
单位
V
V
A
A
W
W
W
W
°C
°C
源极 - 漏极二极管
源电流（ DC）的
峰值脉冲电流源
A
A
每个MOS晶体管3.最大允许耗散。这两个设备可以被加载到3.5W的同时。
每个MOS晶体管4最大允许耗散。器件安装在印刷电路板用的R
TH A- TP
（环境，以配合点）的27.5 K / W 。
每个MOS晶体管5.最大允许耗散。器件安装在印刷电路板用的R
TH A- TP
（环境，以配合点） 90 K / W 。
如果只有一个MOS晶体管的功耗6.最大允许耗散。器件安装在印刷电路板与
的R
TH A- TP
（环境，以配合点） 90 K / W 。
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
价值
20
单位
K / W
1997年6月20日
3
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
双P沟道增强
模式的MOS晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每个P沟道
V
（ BR ） DSS
V
gsth
I
DSS
I
GSS
R
DSON
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G
Q
GS
Q
GD
t
D（上）
t
r
t
on
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
漏源击穿电压
门源阈值电压
漏极 - 源极漏电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
GS
= 0; I
D
=
10 A
V
GS
= V
DS
; I
D
=
1
mA
V
GS
= 0; V
DS
=
24
V
V
GS
=
±12
V; V
DS
= 0
V
GS
=
2.5
V ;我
D
=
1
A
V
GS
=
4.5
V ;我
D
=
2
A
V
GS
= 0; V
DS
=
24
V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
=
24
V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
=
24
V ; F = 1 MHz的
V
GS
=
6
V; V
DD
=
15
V ;我
D
=
1
A
V
GS
=
6
V; V
DD
=
15
V ;我
D
=
1
A
V
GS
=
6
V; V
DD
=
15
V ;我
D
=
1
A
V
GS
= 0到
6
V; V
DD
=
15
V;
I
D
=
1
A;
根
= 6
V
GS
= 0到
6
V; V
DD
=
15
V;
I
D
=
1
A;
根
= 6
V
GS
= 0到
6
V; V
DD
=
15
V;
I
D
=
1
A;
根
= 6
V
GS
=
6
为0 V ; V
DD
=
15
V;
I
D
=
1
A;
根
= 6
V
GS
=
6
为0 V ; V
DD
=
15
V;
I
D
=
1
A;
根
= 6
V
GS
=
6
为0 V ; V
DD
=
15
V;
I
D
=
1
A;
根
= 6
V
GD
= 0; I
S
=
1.25
A
I
S
=
1.25
A;的di / dt = 100 A / μs的
30
0.5
450
200
100
13
1
4
参数
条件
分钟。
典型值。
PHP212L
马克斯。
1.1
100
±100
0.25
0.12
单位
V
V
nA
nA
pF
pF
pF
nC
nC
nC
开关时间
导通延迟时间
上升时间
导通开关时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断开关时间
6
4
10
29
16
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管
V
SD
t
rr
源极 - 漏极二极管的正向
电压
反向恢复时间
75
1.3
V
ns
1997年6月20日
4
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
双P沟道增强
模式的MOS晶体管
包装外形
SO8 ：塑料小外形封装; 8线索;体宽3.9毫米
PHP212L
SOT96-1
D
E
A
X
c
y
H
E
v
M
A
Z
8
5
Q
A
2
A
1
PIN 1 INDEX
θ
L
p
1
e
b
p
4
w
M
L
细节X
(A
3
)
A
0
2.5
规模
5 mm
尺寸（英寸尺寸是从原始的毫米尺寸得到）
单位
mm
英寸
A
马克斯。
1.75
0.069
A
1
0.25
0.10
A
2
1.45
1.25
A
3
0.25
0.01
b
p
0.49
0.36
c
0.25
0.19
D
(1)
5.0
4.8
0.20
0.19
E
(2)
4.0
3.8
0.16
0.15
e
1.27
0.050
H
E
6.2
5.8
L
1.05
L
p
1.0
0.4
Q
0.7
0.6
v
0.25
0.01
w
0.25
0.01
y
0.1
0.004
Z
(1)
0.7
0.3
0.028
0.012
θ
0.010 0.057
0.004 0.049
0.019 0.0100
0.014 0.0075
0.244
0.039 0.028
0.041
0.228
0.016 0.024
8
0
o
o
笔记
不包括1.塑料或金属的每一侧0.15毫米最大突起。
不包括2.塑料或金属的每一侧0.25毫米最大突起。
概要
VERSION
SOT96-1
参考文献：
IEC
076E03S
JEDEC
MS-012AA
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
95-02-04
97-05-22
1997年6月20日
5
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推荐型号
PCF2103
PAL12H1C
PM12639S-1R2M-RC
PD070-HL2-520
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