飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
双P沟道增强模式
MOS晶体管
特点
高速开关
无二次击穿
极低的通态电阻。
应用
电机驱动器
电源管理
DC- DC转换器
通用开关。
描述
两个P沟道增强型MOS晶体管中的一个
8引脚塑料SOT96-1 （ SO8 ）封装。
小心
该器件采用防静电包装中提供。
栅源输入必须加以保护，防止静电
运输或装卸过程中排出。欲了解更多
信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 ，
SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
快速参考数据
符号
每个P沟道
V
DS
V
SD
V
GS
V
gsth
I
D
R
DSON
P
合计
漏极 - 源极电压（直流）
源极 - 漏极二极管正向电压
栅极 - 源极电压（直流）
门源阈值电压
漏电流（ DC ）
漏源导通电阻
总功耗
V
DS
= V
GS
; I
D
=
1
mA
T
s
= 80
°C
V
GS
=
10
V ;我
D
=
2.8
A
T
s
= 80
°C
V
GD
= 0; I
S
=
1.25
A
1
30
1.3
±20
5.6
65
3.5
参数
条件
分钟。
1
4
s1
g
1
手册， halfpage
PHP206
钉扎 - SOT96-1 （ SO8 ）
针
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
s
1
g
1
s
2
g
2
d
2
d
2
d
1
d
1
描述
源1
门1
源2
门2
排水2
排水2
排水1
排水1
d1 d1
5
d2 d2
8
MAM119
s2
g
2
Fig.1简化外形和符号。
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
m
W
1998年2月5日
2
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
双P沟道增强模式
MOS晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
每个P沟道
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
漏极 - 源极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
T
s
= 80
°C;
注1
注2
T
s
= 80
°C;
注3
T
AMB
= 25
°C;
注4
T
AMB
= 25
°C;
注5
T
AMB
= 25
°C;
注6
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
笔记
1. T
s
是在漏极引线的焊接点的温度。
2.脉冲宽度和占空比限制的最高结温。
储存温度
工作结温
T
s
= 80
°C
注2
55
55
30
±20
参数
条件
分钟。
PHP206
马克斯。
单位
V
V
A
A
W
W
W
W
°C
°C
5.6
22.5
3.5
2.63
1.14
1.56
+150
+150
2.7
10.8
源极 - 漏极二极管
源电流（ DC）的
峰值脉冲电流源
A
A
每个MOS晶体管3.最大允许耗散。这两个设备可以被装载到3.5瓦的同时。
每个MOS晶体管4最大允许耗散。器件安装在印刷电路板用的R
TH A- TP
（环境，以配合点）的27.5 K / W 。
每个MOS晶体管5.最大允许耗散。器件安装在印刷电路板用的R
TH A- TP
（环境，以配合点） 90 K / W 。
如果只有一个MOS晶体管的功耗6.最大允许耗散。器件安装在印刷电路板与
的R
TH A- TP
（环境，以配合点） 90 K / W 。
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
价值
20
单位
K / W
1998年2月5日
3
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
双P沟道增强模式
MOS晶体管
包装外形
SO8 ：塑料小外形封装; 8线索;体宽3.9毫米
PHP206
SOT96-1
D
E
A
X
c
y
H
E
v
M
A
Z
8
5
Q
A
2
A
1
PIN 1 INDEX
θ
L
p
1
e
b
p
4
w
M
L
细节X
(A
3
)
A
0
2.5
规模
5 mm
尺寸（英寸尺寸是从原始的毫米尺寸得到）
单位
mm
英寸
A
马克斯。
1.75
0.069
A
1
0.25
0.10
A
2
1.45
1.25
A
3
0.25
0.01
b
p
0.49
0.36
c
0.25
0.19
D
(1)
5.0
4.8
0.20
0.19
E
(2)
4.0
3.8
0.16
0.15
e
1.27
0.050
H
E
6.2
5.8
L
1.05
L
p
1.0
0.4
Q
0.7
0.6
v
0.25
0.01
w
0.25
0.01
y
0.1
0.004
Z
(1)
0.7
0.3
0.028
0.012
θ
0.010 0.057
0.004 0.049
0.019 0.0100
0.014 0.0075
0.244
0.039 0.028
0.041
0.228
0.016 0.024
8
0
o
o
笔记
不包括1.塑料或金属的每一侧0.15毫米最大突起。
不包括2.塑料或金属的每一侧0.25毫米最大突起。
概要
VERSION
SOT96-1
参考文献：
IEC
076E03S
JEDEC
MS-012AA
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
95-02-04
97-05-22
1998年2月5日
5
SENSITRON
半导体
技术参数
数据表564 ， REV 。一
PHP8.4至PHP500 &
PIP8.4到PIP500
瞬态电压抑制器，单向
产品特点：
相当于工业标准零件编号 - PHP8.4至PHP500 & PIP8.4到PIP500
7500和15,000瓦峰值脉冲功率耗散
可提供从8.4到500伏特的范围
每个器件都经过100％测试
专为军事（ PHP系列）和商业（ PIP系列）
PHP / PIP是专为需要“跨线”交流电源保护的应用程序。
这些TVS模块在应用中极端的电压瞬变会永久损坏电压敏感的使用
的系统或组件。
最大额定值
等级
峰值脉冲功率
耗散
平均稳态
功耗
t
夹紧
操作&储存温度。
条件
@ 25 ° ， 1ms的
@ 50°C
0伏特至V
（ BR ）
-
最低
-
-
-
-65
最大
7500 &
15,000
7.5
＆ LT ;
1x 10 –8
+ 150
单位
瓦
瓦
秒
°C
产品型号
PHP8.4
PHP24
PHP30
PHP60
PHP120
PHP206
PHP250
PHP440
PHP500
PIP8.4
PIP24
PIP30
PIP60
PIP120
PIP206
PIP250
PIP440
PIP500
平均
RMS
电压
伏交流电
8.4
24.0
30.0
60.0
120.0
208.0
250.0
440.0
500.0
8.4
24.0
30.0
60.0
120.0
208.0
250.0
440.0
500.0
反向
对峙
电压
（注1 ）V
WM
直流电压
12.0
34.0
42.5
85.0
170.0
295.0
354.0
623.0
708.0
12.0
34.0
42.5
85.0
170.0
295.0
354.0
623.0
708.0
最低
击穿
电压
V
（ BR ）
@ I
t
伏毫安
14 10
40 10
50 1.0
100 1.0
200 1.0
347 1.0
418 1.0
735 1.0
835 1.0
14 10
40 10
50 1.0
100 1.0
200 1.0
347 1.0
418 1.0
735 1.0
835 1.0
最大
反向漏
@ V
wm
I
D
@ V
WM
A
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
最大
夹紧
电压
V
c
@ I
PP
直流电压
22
67
84
167
319
536
652
1138
1292
22
67
84
167
319
536
652
1138
1292
最大峰值
脉冲电流
I
PP
安培
341
112
90
90
47
28
23
13.2
11.6
341
112
90
90
47
28
23
13.2
11.6
最大峰值
脉冲功率
（一毫秒）
P
P
万千瓦
7.5
7.5
7.5
15.0
15.0
15.0
15.0
15.0
15.0
7.5
7.5
7.5
15.0
15.0
15.0
15.0
15.0
15.0
221西工业苑鹿园，NY 11729 （ 631 ） 586 7600 ，传真（ 631 ） 242 9798
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电子邮件地址 - sales@sensitron.com
PHP8.4 PHP500 &
PIP8.4 PIP500
技术参数
数据表564 ， REV 。一
特殊电压可从工厂。
注1 ：
器件通常选择按照反“关断电压” （V
WM
），其应该是等于或大于
比DC或者连续峰值工作电压电平。
机械特性
案例：模压情况。
终端：热浸焊
极性：双向
重量： 50克（ APPX ）。
安装位置：任意
军事应用
PHP的一系列子组件被封装在一个密闭玻璃 - 金属封装，可与设计的一致性，以
MIL-PRF-19500/507
商业应用
画中画一系列子组件被封装在一个模制的环氧树脂的情况下
机械尺寸：单位：英寸/毫米
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技术参数
数据表564 ， REV 。一
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
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值超过绝对最大额定值。
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半导体。
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