PHP18NQ11T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
版本02 - 2010年3月10日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
更高的运行功率因低
热阻
适用于高频
由于快速开关应用
特征
1.3应用
D类音频放大器
的DC- DC转换器
逆变器
开关模式电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
和
3
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
110
18
79
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 10 V ;我
D
= 18 A;
V
DS
= 80 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
V
GS
= 10 V ;我
D
= 9 A;
T
j
= 25 °C;
SEE
图9
和
10
-
8
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
80
90
m
恩智浦半导体
PHP18NQ11T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PHP18NQ11T
TO-220AB
描述
VERSION
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78
TO-220AB
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
和
3
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
最大
110
110
20
13
18
72
79
175
175
18
72
70
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 11 A; V
SUP
≤
25 V;
漏源雪崩松开;吨
p
= 0.1毫秒;
GS
= 50
能源
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PHP18NQ11T_2
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本02 - 2010年3月10日
2 13
PHP18NQ11T
的TrenchMOS 标准水平FET
版本01 - 2003年11月13日
M3D307
产品数据
1.产品廓
1.1说明
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
快速开关
s
低热阻。
1.3应用
s
的DC- DC转换器
s
逆变器
s
开关模式电源
s
D类音频放大器器。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
110 V
s
P
合计
≤
79 W
s
I
D
≤
18 A
s
R
DSON
≤
90 m
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78 （ TO- 220AB ） ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
mb
d
简化的轮廓
符号
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
g
s
MBB076
MBK106
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
飞利浦半导体
PHP18NQ11T
的TrenchMOS 标准水平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PHP18NQ11T
TO220AB
描述
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3领先
TO220AB.
VERSION
SOT78
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 11 A;
t
p
= 0.1毫秒; V
DD
≤
25 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;开始在T
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
110
110
±20
18
13
72
79
+175
+175
18
72
70
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
9397 750 12305
皇家飞利浦电子有限公司2003年版权所有。
产品数据
版本01 - 2003年11月13日
2 12
飞利浦半导体
PHP18NQ11T
的TrenchMOS 标准水平FET
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
102
003aaa591
ID
(A)
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
10
100
s
DC
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
10-1
1
10
102
VDS （ V）
103
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V.
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 12305
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产品数据
版本01 - 2003年11月13日
3 12
飞利浦半导体
PHP18NQ11T
的TrenchMOS 标准水平FET
5.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
在自由空气
民
-
-
典型值
-
60
最大
1.9
-
单位
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
符号参数
5.1瞬态热阻抗
10
003aaa592
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
1
0.2
0.1
0.05
10-1
0.02
P
δ
=
tp
T
单脉冲
tp
T
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
t
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 12305
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产品数据
版本01 - 2003年11月13日
4 12
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