飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHP18NQ10T ， PHB18NQ10T
PHD18NQ10T
快速参考数据
d
特点
“海沟”
技术
低通态电阻
快速开关
低热阻
符号
V
DSS
= 100 V
I
D
= 18 A
g
R
DS （ ON）
≤
90 m
s
概述
N沟道增强型场效应功率在一个塑料封套使用“地沟”技术的晶体管。
应用： -
直流以直流转换器
开关模式电源
该PHP18NQ10T是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该PHB18NQ10T是在SOT404 （提供
2
PAK ）表面贴装封装。
该PHD18NQ10T是在SOT428 （ DPAK ）表面贴装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
描述
门
漏
1
来源
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT404 （D
2
PAK ）
TAB
SOT428 （ DPAK ）
TAB
2
1 23
2
1
3
1
3
漏
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
100
100
±
20
18
13
72
79
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
1
这是无法接受的连接销：的SOT404或SOT428包装2 。
1999年8月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHP18NQ10T ， PHB18NQ10T
PHD18NQ10T
归一化功率降额， PD （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
安装基座的温度， TMB （ C）
150
175
10
瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
单脉冲
P
D
tp
D = TP / T
T
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
0.01
1E-06
1E-05
脉冲宽度TP （多个）
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
漏极电流ID （ A）
VGS = 10V
TJ = 25℃
8V
6V
归一化电流降额， ID （ ％ ）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
安装基座的温度， TMB （ C）
150
175
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5.4 V
5.2 V
5V
4.8 V
4.6 V
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
漏 - 源电压， VDS （V ）
1.6
4.4 V
1.8
2
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
10 V
峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
RDS （ ON）= VDS / ID
TP = 10我们
10
100美
特区
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
)
100
0.2
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
4.8V
4.6V
5V
5.2 V
5.4 V
6V
TJ = 25℃
8V
VGS = 10V
0.1
1
10
100
漏 - 源电压， VDS （V ）
1000
0
0
2
4
6
8
10
12
漏极电流ID （ A）
14
16
18
20
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
)
1999年8月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHP18NQ10T ， PHB18NQ10T
PHD18NQ10T
漏极电流ID （ A）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
栅 - 源电压，V GS （V）的
175 C
TJ = 25℃
VDS > ID X RDS （ ON）
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
阈值电压VGS （ TO ） （V ）
最大
典型
最低
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
)
跨导， GFS （ S）
VDS > ID X RDS （ ON）
TJ = 25℃
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
漏极电流ID （ A）
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1.0E-01
1.0E-02
175 C
最低
典型
1.0E-04
最大
1.0E-05
1.0E-03
1.0E-06
0
2
4
6
8
10
12
14
漏极电流ID （ A）
16
18
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
栅 - 源电压，V GS （V）的
4
4.5
5
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
正规化的导通状态电阻
2.9
2.7
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
-60
-40
-20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
10000
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
1000
西塞
100
科斯
CRSS
10
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1999年8月
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启1.000
QQ：800888908 复制
