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飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
PHP18N20E
概述
N沟道增强模式
在场效应功率晶体管
塑料外壳具有高
雪崩能量功能，稳定
阻断电压，开关速度快和
高的热循环性能
具有低的热阻。意
在开关电源的使用
电源（SMPS ） ，电机控制
电路和通用
开关应用。
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
漏源导通电阻
马克斯。
200
18
150
0.18
单位
V
A
W
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
门
漏
来源
漏
描述
引脚配置
TAB
符号
d
g
1 23
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
I
D
I
DM
P
D
P
D
/T
mb
V
GS
E
AS
I
AS
T
j
, T
英镑
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
线性降额因子
栅源电压
单脉冲雪崩
能源
峰值雪崩电流
工作结
存储温度范围
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
T
mb
> 25 C
V
DD
≤
50 V ;起始物为
j
= 25 ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V
V
DD
≤
50 V ;起始物为
j
= 25 ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
18
12.5
72
150
1.0
±
30
150
18
175
单位
A
A
A
W
W / K
V
mJ
A
C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
分钟。
-
-
典型值。
-
60
马克斯。
1
-
单位
K / W
K / W
1997年3月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
PHP18N20E
电气特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/
T
j
R
DS （ ON）
V
GS （ TO ）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
d
L
d
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿
电压
漏源击穿
电压温度系数
漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反馈电容
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
V
GS
= 10 V ;我
D
= 11 A
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
V
DS
= 50 V ;我
D
= 11 A
V
DS
= 200 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 160 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 150 C
V
GS
=
±30
V; V
DS
= 0 V
I
D
= 18 A; V
DD
= 160 V; V
GS
= 10 V
分钟。
200
-
-
2.0
6.7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.25
0.13
3.0
13
1
4
10
53
8
25
15
63
66
50
3.5
4.5
7.5
1370
240
70
马克斯。
-
-
0.18
4.0
-
25
250
100
60
10
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V / K
V
S
A
A
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
pF
pF
pF
V
DD
= 100V ;我
D
= 18 A;
R
G
= 9.1
;
R
D
= 5.4
从螺丝接触测量
标签，模具中心
从漏极引线6毫米测
从包装到模具中心
从源测量导致6毫米
从包装到源焊盘
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲电流源（体
二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
T
mb
= 25C
T
mb
= 25C
I
S
= 18 A; V
GS
= 0 V
I
S
= 18 A; V
GS
= 0 V;
的di / dt = 100 A / μs的
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
200
1.5
马克斯。
18
72
1.5
-
-
单位
A
A
V
ns
C
1997年3月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
PHP18N20E
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
10
第i个J- MB / （K / W）
BUKx56-lv
1
D=
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
P
D
0
t
p
t
p
T
t
1E+01
0.01
D=
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
0.001
1E-05
1E-03
T / S
T
1E-01
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
ID％
归一化电流降额
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
ID ，漏极电流（ AMPS ）
10 V
TJ = 25℃
30
5.5 V
20
5V
10
7V
PHP18N20
6V
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
40
VGS = 4.5 V
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
0
0
5
10
15
20
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
25
30
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
10 V
ID ，漏极电流（ AMPS ）
PHP18N20E
图5 。典型的输出特性。
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） ，漏源导通电阻（欧姆）
4.5 V
5V
5.5 V
PHP18N20
6V
100
10
RD
N)
(O
S
D
=V
S/
ID
0.4
TP = 10我们
100美
1毫秒
0.3
7V
0.2
DC
1
10毫秒
100毫秒
0.1
VGS = 10 V
TJ = 25℃
0.1
1
10
100
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
1000
0
0
10
20
ID ，漏极电流（ AMPS ）
30
40
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻。
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1997年3月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
PHP18N20E
40
ID ，漏极电流（ AMPS ）
VDS = 30 V
TJ = 25℃
PHP18N20E
TJ = 175℃
4
VGS （ TO ） / V
马克斯。
30
3
典型值。
20
分钟。
2
10
1
0
0
0
2
4
6
VGS ，栅源电压（伏）
8
10
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;参数T
j
PHP18N20E
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 0.25毫安; V
DS
= V
GS
ID / A
亚阈值传导
20
政府飞行服务队，跨导（ S）
VDD = 30 V
1E-01
1E-02
15
TJ = 25℃
1E-03
2%
典型值
98 %
10
TJ = 175℃
1E-04
5
1E-05
0
1E-06
0
10
20
ID ，漏极电流（ AMPS ）
30
40
0
1
2
VGS / V
3
4
图8 。典型的跨导。
g
fs
= F（我
D
） ;参数T
j
a
归一化的RDS（ON ） = F （TJ）
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
西塞，科斯，的Crss ，结电容（PF ）
PHP18N20E
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
-60
-20
20
60
TJ / C
100
140
180
10
1
10
100
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
1000
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 18 A; V
GS
= 10 V
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1997年3月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
PHP18N20E
15
VGS ，栅源电压（伏）
ID = 18一
TJ = 25℃
VDS = 40 V
100 V
PHP18N20E
160 V
40
IF ，源极 - 漏极二极管的电流（安培）
VGS = 0 V
PHP18N20E
30
TJ = 175℃
20
TJ = 25℃
10
5
10
0
0
10
20
30
40
50
QG ，栅极电荷（ NC）
60
70
80
0
0
0.5
1
VSDS ，源极 - 漏极电压（伏特）
1.5
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;参数V
DS
图16 。源极 - 漏极二极管特性。
I
F
= F（V
SDS
） ;参数T
j
EAS ，正常化松开电感能量（ ％ ）
1000
开关时间（纳秒）
VDD = 100V
VGS = 10 V
RD = 5.4欧姆
ID = 18一
TJ = 25℃
PHP18N20E
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100
TD （关闭）
tr
tf
TD （上）
10
0
10
20
30
40
RG ，栅极电阻（欧姆）
50
60
20
40
60
80
开始TJ （ C）
100
120
140
160
180
图14 。典型的开关时间。
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
= F （r
G
)
归一化漏源击穿电压
V（ BR ） DSS @ TJ
V（ BR ） DSS @ 25℃
图17 。正常化松开电感能量。
E
AS
（％）= F（T
j
)
1.15
1.1
1.05
1
0.95
0.9
+
L
VDS
VGS
0
RGS
T.U.T.
R 01
分流
VDD
-
-ID/100
0.85
-100
-50
0
50
TJ ，结温（ C）
100
150
图15 。归一化漏源击穿电压。
V
（ BR ） DSS
/V
（ BR ） DSS 25 C
= F （T
j
)
图18 。非钳位感应测试电路。
2
E
AS
=
0.5
LI
D
V
（ BR ） DSS
/(V
（ BR ） DSS
V
DD
)
1997年3月
5
启1.000
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