PHP165NQ08T
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET
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产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。
1.2特点和优点
快速开关
低通态电阻
低恢复电荷
1.3应用
AC到DC转换器的次级侧
D类放大器
的DC- DC转换器
运动控制
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1 ;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
75
75
250
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
漏电流
总功率
耗散
恢复电荷
符号参数
源极 - 漏极二极管
Q
r
V
GS
= 0 V ;我
S
= 5 A;
dI
S
/ DT = 150 A / μs的;
V
DS
= 12 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图11 ;
SEE
图10
-
56
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
4.1
5
m
恩智浦半导体
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2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
1 2 3
SOT78
（ TO- 220AB ， SC- 46 ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
类型编号
包
名字
描述
VERSION
PHP165NQ08T
TO-220AB;
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78
SC-46
TO-220AB
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4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1 ;
SEE
科幻gure 3
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
V
GSM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
峰值栅源
电压
源出电流
峰源电流
脉冲;吨
p
≤
50 s;
δ
= 25 %; T
j
≤
150 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
150 °C
T
j
≤
150 ℃;牛逼
j
≥
25 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-30
最大
75
75
20
75
75
400
250
150
150
30
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
V
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
-
-
-
75
400
500
A
A
mJ
雪崩耐用性
不重复
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;我
D
= 75 A; V
SUP
= 15 V;
漏源雪崩松开;吨
p
= 0.1毫秒;
GS
= 50
能源
不重复
V
GS
= 10 V; V
SUP
= 15 V ;
GS
= 50
;
漏源雪崩牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;松开
当前
I
DS （ AL ）S
-
75
A
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125
I
DER
(%)
100
003aac592
120
P
DER
(%)
80
003aac591
75
50
40
25
0
0
50
100
150
T
j
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
j
(°C)
200
图1 。
标准化的连续漏极电流为
的安装基座温度功能
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
003aac600
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
μs
100
μs
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
1
10
-1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
条件
民
-
典型值
-
最大
0.5
单位
K / W
自从看到热阻
图4
路口安装
BASE
从垂直方向在静止空气的热阻
结到环境
R
号（j -a）的
-
60
-
K / W
1
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
0.5
003aac601
10
-1
0.2
0.1
0.05
0.02
单脉冲
t
p
T
t
t
p
T
P
δ
=
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
(s)
10
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
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