添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第664页 > PHP152NQ03LTA
PHP/B152NQ03LTA
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
版本01 - 2004年3月5日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
逻辑电平N沟道增强型网络在一个塑料包装场效晶体管
使用的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
逻辑电平阈值
s
低栅电荷
s
低通态电阻
s
低热阻。
1.3应用
s
的DC- DC转换器
s
开关模式电源。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
25 V
s
P
合计
≤
150 W
s
I
D
≤
75 A
s
R
DSON
≤
4 m.
2.管脚信息
表1：
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78 （ TO- 220AB ）和SOT404 （D
2
-PAK ） ，简化的概括和符号
简化的轮廓
[1]
引脚说明
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
符号
mb
d
mb
g
s
MBB076
2
1
MBK106
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
SOT404 （D
2
-Pak ）
飞利浦半导体
PHP/B152NQ03LTA
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PHP152NQ03LTA
PHB152NQ03LTA
TO-220AB
D
2
-PAK
描述
VERSION
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3引线SOT78
塑料单端表面贴装封装; 3导线（一根导线裁剪） SOT404
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 75 A;
t
p
= 0.46毫秒; V
DD
≤
25 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;起始物为
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
25
25
±20
75
75
240
150
+175
+175
75
240
560
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
9397 750 12829
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
版本01 - 2004年3月5日
2 13
飞利浦半导体
PHP/B152NQ03LTA
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
80
003aaa630
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
003aaa517
ID
(A)
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
100
s
102
1毫秒
DC
10毫秒
10
100毫秒
1
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 12829
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
版本01 - 2004年3月5日
3 13
飞利浦半导体
PHP/B152NQ03LTA
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
5.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
民
-
-
-
典型值
-
60
50
最大
1
-
-
单位
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
SOT78
SOT404
垂直静止空气中
安装在印刷电路
板;最小的足迹
符号参数
5.1瞬态热阻抗
10
003aaa518
第Z （ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
10-1
0.05
0.02
单脉冲
P
δ
=
tp
T
tp
T
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
t
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 12829
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
版本01 - 2004年3月5日
4 13
飞利浦半导体
PHP/B152NQ03LTA
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
6.特性
表5：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±15
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 25 A; V
GS
= 0 V;
图12
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 10 A;迪
S
/ DT =
100
A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 25 V
V
DD
= 15 V ;我
D
= 25 A;
V
GS
= 5 V ;
G
= 5.6
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
图11
I
D
= 50 A; V
DD
= 15 V; V
GS
= 5 V;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
36
13
12
3140
1040
354
37
87
71
46
0.85
50
24
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
-
3.4
5.5
4
6.9
m
m
-
-
4.2
6.8
5
8.7
m
m
-
-
-
-
-
10
1
500
100
A
A
nA
1
0.5
-
1.5
-
-
2
-
2.2
V
V
V
25
22
-
-
-
-
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
源极 - 漏极二极管
9397 750 12829
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
版本01 - 2004年3月5日
5 13
PHP/B152NQ03LTA
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
版本01 - 2004年3月5日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
逻辑电平N沟道增强型网络在一个塑料包装场效晶体管
使用的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
逻辑电平阈值
s
低栅电荷
s
低通态电阻
s
低热阻。
1.3应用
s
的DC- DC转换器
s
开关模式电源。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
25 V
s
P
合计
≤
150 W
s
I
D
≤
75 A
s
R
DSON
≤
4 m.
2.管脚信息
表1：
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78 （ TO- 220AB ）和SOT404 （D
2
-PAK ） ，简化的概括和符号
简化的轮廓
[1]
引脚说明
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
符号
mb
d
mb
g
s
MBB076
2
1
MBK106
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
SOT404 （D
2
-Pak ）
飞利浦半导体
PHP/B152NQ03LTA
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PHP152NQ03LTA
PHB152NQ03LTA
TO-220AB
D
2
-PAK
描述
VERSION
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3引线SOT78
塑料单端表面贴装封装; 3导线（一根导线裁剪） SOT404
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 75 A;
t
p
= 0.46毫秒; V
DD
≤
25 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;起始物为
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
25
25
±20
75
75
240
150
+175
+175
75
240
560
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
9397 750 12829
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
版本01 - 2004年3月5日
2 13
飞利浦半导体
PHP/B152NQ03LTA
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
80
003aaa630
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （
°
C)
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
003aaa517
ID
(A)
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
100
s
102
1毫秒
DC
10毫秒
10
100毫秒
1
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
9397 750 12829
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
版本01 - 2004年3月5日
3 13
飞利浦半导体
PHP/B152NQ03LTA
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
5.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
民
-
-
-
典型值
-
60
50
最大
1
-
-
单位
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
SOT78
SOT404
垂直静止空气中
安装在印刷电路
板;最小的足迹
符号参数
5.1瞬态热阻抗
10
003aaa518
第Z （ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
10-1
0.05
0.02
单脉冲
P
δ
=
tp
T
tp
T
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
t
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 12829
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
版本01 - 2004年3月5日
4 13
飞利浦半导体
PHP/B152NQ03LTA
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
6.特性
表5：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±15
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 25 A; V
GS
= 0 V;
图12
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 10 A;迪
S
/ DT =
100
A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 25 V
V
DD
= 15 V ;我
D
= 25 A;
V
GS
= 5 V ;
G
= 5.6
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
图11
I
D
= 50 A; V
DD
= 15 V; V
GS
= 5 V;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
36
13
12
3140
1040
354
37
87
71
46
0.85
50
24
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
-
3.4
5.5
4
6.9
m
m
-
-
4.2
6.8
5
8.7
m
m
-
-
-
-
-
10
1
500
100
A
A
nA
1
0.5
-
1.5
-
-
2
-
2.2
V
V
V
25
22
-
-
-
-
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
源极 - 漏极二极管
9397 750 12829
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
版本01 - 2004年3月5日
5 13
查看更多PHP152NQ03LTAPDF信息
推荐型号
PC87334
PCO24
PC-12-70B54
PI74LVC3245A
PE-68034
PSB50510
PLL702-03SM
PSD913G2V-B-15J
P75NS04Z
PL56-16-130B
PTA2053-2010CPB203
PS2505-4X
P4C1982-15JC
PCF1E6R8MCL1GS
PTRA1AST4
PCP3S70
PSD934F3-70UIT
PPC5553MVF112R2
PDB-C134F
PM1008S-220M-RC
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    HECC GROUP CO，LIMITED
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：800888908 复制
    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    PHP152NQ03LTA
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PHP152NQ03LTA
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市晶美隆科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885348339 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885348317 复制

电话：0755- 82519391 0755-83209630
联系人：李林
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
PHP152NQ03LTA
PH
23+
11758
SOT78 TO-220AB
全新原装现货热卖
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
PHP152NQ03LTA
PHNXP
2443+
23000
SOT78TO-220AB
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
PHP152NQ03LTA
VB
25+23+
35500
TO-220AB
绝对原装进口现货！渠道优势供应!
深圳诚思涵科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ：2748708193 复制
电话：0755-83015506-23947236
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
PHP152NQ03LTA
PHNXP
24+
5000
SOT78TO-220AB
100%原装正品，可长期订货
深圳市芯脉实业有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881513777 复制

电话：19166203057
联系人：周
地址：广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
PHP152NQ03LTA
PH
22+
66890
TO-220
深圳市芯脉实业有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881920863 复制
电话：0755-84507209
联系人：骆
地址：广东省深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河World-A座2203A室
PHP152NQ03LTA
PH
22+
66890
TO-220
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
PHP152NQ03LTA
PHNXP
2024
20918
SOT78TO-220AB
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
深圳德田科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：229754250 复制

电话：0755-83254070/18680328178
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技工业园4栋9层9B10房
PHP152NQ03LTA
NXP/恩智浦
21+
32000
TO220AB
全新原装现货，质量保证，可开税票，可出样品！
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
PHP152NQ03LTA
PHILIPS/飞利浦
2411+
7198
TO-220
只有原装现货！有实单请明说！底价支持！
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
PHP152NQ03LTA
PH
2024
22100
原装现货上海库存，欢迎查询
查询更多PHP152NQ03LTA供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！