PHP/PHB/PHD14NQ20T
的TrenchMOS 标准水平FET
牧师03 - 2002年3月11日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PHP14NQ20T在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB14NQ20T在SOT404 （D
2
-Pak ）
PHD14NQ20T在SOT428 （ D- PAK ） 。
1.2产品特点
s
低通态电阻
s
快速开关
1.3应用
s
DC到DC转换
s
通用开关
1.4快速参考数据
s
V
DS
= 200 V
s
R
DSON
≤
230 m
s
I
D
= 14 A
s
P
D
= 125 W
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT78 ， SOT404 ， SOT428 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到
漏极（四）
2
1
MBK106
简化的轮廓
[1]
mb
mb
mb
符号
d
g
s
MBB076
2
1
3
MBK116
3
MBK091
顶视图
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
SOT404 （D
2
-Pak ）
SOT428 （ D- PAK ）
这是无法接受的连接的SOT404或SOT428封装管脚2 。
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3.极限值
表2：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流（ DC ）
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 100
°C
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管的正向）直流（DC）
峰源（二极管正向）电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
-
-
-
-
55
55
-
-
-
-
14
10
56
125
+175
+175
14
56
70
14
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
A
条件
T
j
= 25 175
o
C
T
j
= 25 175
o
℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-
最大
200
200
±20
单位
V
V
V
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ ALS ）
非重复性雪崩能量
I
DS （ ALM ）
非钳位感性负载;我
D
= 14 A;
峰值非重复性雪崩电流T
p
= 20
s;
V
DD
≤
25 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;起始物为
j
= 25
°C;
图15
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03aa16
120
PDER
120
I
DER
(%)
03aa24
(%)
80
80
40
40
0
0
50
100
150
200
o
TMB （ C）
0
0
50
100
150
200
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
10 V
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
003aaa219
103
ID
(A)
102
导通电阻= VDS / ID
TP =
1
s
10
s
10
100
s
1毫秒
DC
1
10毫秒
100毫秒
10-1
1
10
102
VDS （ V）
103
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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4.热特性
表3：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
垂直静止空气中; SOT78封装
最小值典型值
-
-
-
60
50
最大单位
1.2
-
-
K / W
K / W
K / W
从结点到安装热阻
BASE
从结点到环境的热阻
符号参数
SOT404和SOT428封装;
-
SOT404最低足迹;安装在
印刷电路板
4.1瞬态热阻抗
003aaa220
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
10-1
δ
= 0.05
δ
= 0.02
单脉冲
P
δ
=
tp
T
tp
T
t
10-2
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
TP （多个）
10
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
PHP14NQ20T ， PHB14NQ20T
特点
“海沟”
技术
低通态电阻
快速开关
高的热循环性能
低热阻
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 200 V
I
D
= 14 A
g
R
DS （ ON）
≤
230 m
s
概述
N沟道增强型场效应功率在一个塑料封套使用“地沟”技术的晶体管。该装置
具有非常低的导通状态电阻。它是为使用在直流 - 直流转换器和通用开关应用。
该PHP14NQ20T是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该PHB14NQ20T是在SOT404 （提供
2
PAK ）表面贴装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
门
漏
1
来源
漏
描述
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT404 （D
2
PAK ）
TAB
2
1 23
1
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
200
200
±
20
14
10
56
125
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
1
这是无法接受的连接销：该SOT404包2中
1999年10月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
PHP14NQ20T ， PHB14NQ20T
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
10
瞬态热阻抗，第Z J- A（ K / W）
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
1E-06
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00 1E+01
脉冲宽度TP （多个）
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
ID％
归一化电流降额
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
漏极电流ID （ A）
10V
25
20
15
10
5V
5
VGS=4.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
5.5
15V
6.5V
6V
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
30
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
漏 - 源电压， VDS （V ）
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
10 V
峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
0.8
0.7
4.5V
5V
5.5V
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
VGS = 20 V
6V
6.5V
10V
1000
RDS （ ON）= VDS / ID
100
TP = 1美元
10us
10
特区
1
100us
1毫秒
10毫秒
100毫秒
0.6
0.1
1
10
100
1000
漏 - 源电压， VDS （V ）
0
0
10
漏极电流ID （ A）
20
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1999年10月
4
启1.000
QQ：2881677436 复制
