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PHP143NQ04T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
版本03 - 2010年4月26日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管( FET)在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算,通信,消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
适用于标准水平栅极驱动
来源
1.3应用
的DC- DC转换器
一般工业应用
电机,灯具和螺线管
不间断电源
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
快速参考数据
参数
漏源
电压
漏电流
总功率
耗散
漏源
导通状态
阻力
条件
T
j
25 ℃;牛逼
j
175 °C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1 ;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
-
-
-
典型值
-
-
-
最大单位
40
75
200
V
A
W
静态特性
R
DSON
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图9 ;
SEE
图10
-
4.4
5.2
m
动态特性
Q
GD
栅极 - 漏极电荷V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A; V
DS
= 32 V;
T
j
= 25°C ;看
图11
-
16
-
nC
恩智浦半导体
PHP143NQ04T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
mb
管脚信息
符号说明
G
D
S
D
来源
安装底座;连接
mb
D
简化的轮廓
图形符号
G
mbb076
S
1 2 3
SOT78 ( TO- 220AB )
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
PHP143NQ04T
TO-220AB
描述
塑料单端封装;散热器安装; 1安装
孔; 3引脚TO - 220AB
VERSION
SOT78
类型编号
PHP143NQ04T
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产品数据表
版本03 - 2010年4月26日
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恩智浦半导体
PHP143NQ04T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 °C;
SEE
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
图1 ;
SEE
科幻gure 3
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS ( AL )S
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
T
mb
= 25 °C
t
p
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
J(下INIT )
= 25 °C;
I
D
= 69 A; V
SUP
40 V ;松开;
t
p
= 0.27毫秒;
GS
= 50
t
p
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
25 ℃;牛逼
j
175 °C
T
j
25 ℃;牛逼
j
175 °C;
R
GS
= 20 k
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
40
40
20
75
75
240
200
175
175
75
240
475
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
120
I
DER
(%)
80
03aq60
120
P
DER
(%)
80
03aa16
40
40
0
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
标准化的连续漏极电流为
的安装基座温度功能
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
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恩智浦半导体
PHP143NQ04T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
μs
100
μs
03aq53
DC
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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恩智浦半导体
PHP143NQ04T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
5.热特性
表5 。
符号
R
日( J- MB )
R
号(j -a)的
热特性
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
SEE
图4
垂直静止空气中
-
-
典型值
-
60
最大
0.75
-
单位
K / W
K / W
1
03aq52
Z
日( J- MB )
(K / W)
δ
= 0.5
0.2
10
1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
P
δ
=
t
p
T
t
p
t
T
10
2
10
4
10
3
10
2
10
1
t
p
(s)
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
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    -
    -
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