PHP143NQ04T
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
版本03 - 2010年4月26日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管( FET)在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算,通信,消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
低导通损耗是由于低
导通状态电阻
适用于标准水平栅极驱动
来源
1.3应用
的DC- DC转换器
一般工业应用
电机,灯具和螺线管
不间断电源
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
快速参考数据
参数
漏源
电压
漏电流
总功率
耗散
漏源
导通状态
阻力
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1 ;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大单位
40
75
200
V
A
W
静态特性
R
DSON
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图9 ;
SEE
图10
-
4.4
5.2
m
动态特性
Q
GD
栅极 - 漏极电荷V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A; V
DS
= 32 V;
T
j
= 25°C ;看
图11
-
16
-
nC
恩智浦半导体
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N沟道的TrenchMOS标准水平FET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 °C;
SEE
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
图1 ;
SEE
科幻gure 3
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS ( AL )S
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
J(下INIT )
= 25 °C;
I
D
= 69 A; V
SUP
≤
40 V ;松开;
t
p
= 0.27毫秒;
GS
= 50
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
40
40
20
75
75
240
200
175
175
75
240
475
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
120
I
DER
(%)
80
03aq60
120
P
DER
(%)
80
03aa16
40
40
0
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
标准化的连续漏极电流为
的安装基座温度功能
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
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