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PHP/PHB129NQ04LT
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
版本01 - 2004年5月11日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
逻辑电平N沟道增强型网络在一个塑料包装场效晶体管
使用的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
逻辑电平阈值
s
极低的通态电阻。
1.3应用
s
电机，灯具，电磁阀
s
的DC- DC转换器
s
不间断电源
s
一般工业应用。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
40 V
s
P
合计
≤
200 W
s
I
D
≤
75 A
s
R
DSON
≤
5 m.
2.管脚信息
表1：
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78 （ TO- 220AB ）和SOT404 （D
2
-PAK ） ，简化的外形和符号
简化的轮廓
[1]
引脚说明
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到
漏极（四）
符号
mb
d
mb
g
mbb076
s
2
1
MBK106
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
SOT404 （D
2
-Pak ）
飞利浦半导体
PHP/PHB129NQ04LT
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PHP129NQ04LT
PHB129NQ04LT
TO-220AB
D
2
-PAK
描述
VERSION
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3引线SOT78
塑料单端表面贴装封装; 3导线（一根导线裁剪） SOT404
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 69 A;
t
p
= 0.27毫秒; V
DD
≤
40 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;起始物为
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
40
40
±15
75
75
240
200
+175
+175
75
240
475
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
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产品数据
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N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
80
03aq72
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
03aq74
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
102
100
s
DC
1毫秒
10
10毫秒
100毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
5.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
民
-
-
-
典型值
-
60
50
最大
0.75
-
-
单位
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
SOT78
SOT404
垂直静止空气中
安装在印刷电路
板;垂直静止空气中;
最小的足迹。
符号参数
5.1瞬态热阻抗
1
03aq73
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
单脉冲
P
δ
=
tp
T
10-1
tp
T
10-2
10-4
10-3
10-2
10-1
t
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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6.特性
表5：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
和
10
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 40 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±15
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;
图7
和
8
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 25 A; V
GS
= 0 V;
图12
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
V
DD
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
图11
I
D
= 25 A; V
DD
= 32 V; V
GS
= 5 V;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
44.2
10.9
17.4
3965
635
280
43
145
132
92
0.85
61
57
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
-
-
-
4.1
7.8
5.7
-
5
9.6
6.4
7.1
m
m
m
m
-
-
-
-
-
2
1
500
100
A
A
nA
1
0.5
-
1.5
-
-
2
-
2.2
V
V
V
40
36
-
-
-
-
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
源极 - 漏极二极管
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