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分立半导体

数据表

PHP125

P沟道增强模式

MOS晶体管

产品speci fi cation

取代1996年的数据4月2日

在分离式半导体， SC13b文件

1997年6月18日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

P沟道增强模式

MOS晶体管

特点

高速开关

无二次击穿

非常低的导通电阻。

应用

电机和驱动器

电源管理

同步整流。

1

4

北卡罗来纳州s

手册， halfpage

PHP125

描述

在一个8管脚P沟道增强型MOS晶体管

塑料SO8 （ SOT96-1 ）封装。

d

5

d d d

8

钉扎 - SO8 （ SOT96-1 ）

针

1

2

3

4

5

6

7

8

符号

北卡罗来纳州

s

s

g

d

d

d

d

描述

没有连接

来源

来源

门

漏

漏

漏

漏

小心

该器件采用防静电包装中提供。

栅源输入必须加以保护，防止静电

运输或装卸过程中排出。

Fig.1简化外形和符号。

MAM115

s

g

快速参考数据

符号

V

DS

V

SD

V

GS

V

gsth

I

D

R

DSON

P

合计

参数

漏极 - 源极电压（直流）

源极 - 漏极二极管正向电压

栅极 - 源极电压（直流）

门源阈值电压

漏电流（ DC ）

漏源导通电阻

总功耗

I

D

=

1

毫安; V

DS

= V

GS

T

s

= 80

°C

I

D

=

1

A; V

GS

=

10

V

T

s

= 80

°C

I

S

=

1.25

A

条件

1

分钟。

马克斯。

30

1.6

±20

2.8

2.5

0.25

2.8

V

V

V

V

A

W

单位

1997年6月18日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

P沟道增强模式

MOS晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

合计

参数

漏极 - 源极电压（直流）

栅极 - 源极电压（直流）

漏电流（ DC ）

峰值漏极电流

总功耗

T

s

= 80

°C;

注1

注2

T

s

= 80

°C

T

AMB

= 25

°C;

注3

T

AMB

= 25

°C;

注4

T

英镑

T

j

I

S

I

SM

笔记

1. T

s

是在漏极引线的焊接点的温度。

2.脉冲宽度和占空比限制的最高结温。

3.值的基础上的印刷电路板带有R

TH A- TP

（环境，以配合点）的27.5 K / W 。

4.价值的基础上的印刷电路板带有R

TH A- TP

（环境，以配合点） 90 K / W 。

储存温度

工作结温

T

s

= 80

°C

注2

条件

65

65

分钟。

PHP125

马克斯。

30

±20

2.5

10

2.8

2.4

1.1

+150

+150

2

8

V

V

A

A

单位

W

W

W

°C

°C

源极 - 漏极二极管

源电流（ DC）的

峰值脉冲电流源

A

A

MBG848

手册， halfpage

6

10

2

手册， halfpage

ID

(A)

10

MBG752

P合计

(W)

4

(1)

TP =

10

s

100

s

1

P

10

1

tp

0

0

50

100

150

TS （

o

C)

200

10

2

10

1

T

1

10

t

1毫秒

2

δ

= T

tp

DC

10毫秒

100毫秒

2

VDS （ V）

10

δ

= 0.01; T

S

= 80

°C.

(1) R

DSON限制

.

图2功率降额曲线。

图3一飞冲天。

1997年6月18日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

P沟道增强模式

MOS晶体管

热特性

符号

R

第j个-S

参数

热阻结到焊接点

PHP125

价值

25

单位

K / W

手册，全页宽

10

2

MBG753

RTH -S

（K / W）

δ

=

0.75

0.5

0.33

0.2

0.1

0.05

10

1

0.02

0.01

0

10

1

10

6

P

δ

= T

tp

tp

T

10

4

10

3

10

2

10

1

t

10

5

TP （多个）

1

图4瞬态结点到焊接点的脉冲时间的函数的热阻;典型值。

1997年6月18日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

P沟道增强模式

MOS晶体管

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

V

（ BR ） DSS

V

gsth

I

DSS

I

GSS

R

DSON

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G

Q

GS

Q

GD

参数

漏源击穿电压

门源阈值电压

漏极 - 源极漏电流

栅极漏电流

漏源导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

条件

V

GS

= 0; I

D

=

10 A

V

GS

= V

DS

; I

D

=

1

mA

V

GS

= 0; V

DS

=

24

V

V

GS

=

±20

V; V

DS

= 0

V

GS

=

4.5

V ;我

D

=

0.5

A

V

GS

=

10

V ;我

D

=

1

A

V

GS

= 0; V

DS

=

24

V ; F = 1 MHz的

V

GS

= 0; V

DS

=

24

V ; F = 1 MHz的

V

GS

= 0; V

DS

=

24

V ; F = 1 MHz的

V

GS

=

10

V; V

DS

=

15

V;

I

D

=

1

A

V

GS

=

10

V; V

DS

=

15

V;

I

D

=

1

A

V

GS

=

10

V; V

DS

=

15

V;

I

D

=

1

A

V

GS

= 0到

10

V; V

DD

=

15

V;

I

D

=

1

A;

L

= 15

;

R

根

= 6

V

GS

= -10 0 V ; V

DD

=

15

V;

I

D

=

1

A;

L

= 15

;

R

根

= 6

分钟。

30

1

典型值。

0.33

0.22

250

140

50

10

1

3

PHP125

马克斯。

2.8

100

±100

0.4

0.25

25

单位

V

V

nA

nA

pF

pF

pF

nC

nC

nC

开关时间

（参见图11 ）

t

D（上）

t

f

t

on

t

D（关闭）

t

r

t

关闭

V

SD

t

rr

导通延迟时间

下降时间

导通开关时间

打开-O FF延迟时间

上升时间

关断开关时间

V

GD

= 0; I

S

=

1.25

A

I

S

=

1.25

A;的di / dt = 100 A / μs的

4.5

3.5

8

25

15

40

150

16

80

1.6

200

ns

ns

ns

ns

ns

ns

源极 - 漏极二极管

源极 - 漏极的正向电压

反向恢复时间

V

ns

1997年6月18日

5

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联系人：Sante Zhang/Mollie

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深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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