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飞利浦半导体
初步speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
特点
额定重复性雪崩
快速开关
稳定的关闭状态特性
高的热循环性能
低热阻
PHP10N60E
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 600 V
g
I
D
= 9.6 A
R
DS （ ON）
≤
0.75
s
概述
N沟道，增强模式
场效应
动力
晶体管，
用于在离线使用切换
模式电源， T.V.和
电脑显示器电源，
直流以直流转换器，电机控制
电路和通用
开关应用。
该PHP10N60E在所提供的
SOT78 （ TO220AB ）常规
引线封装。
钉扎
针
1
2
3
例
门
漏
来源
漏
描述
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
漏
1 2 3
门
来源
漏
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
存储温度范围
条件
T
j
= 25 °C至150°C
T
j
= 25 °C至150°C ;
GS
= 20 k
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
600
600
±
30
9.6
6.1
38
167
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
雪崩能量极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
E
AS
E
AR
I
AS
, I
AR
非重复性雪崩
能源
条件
分钟。
-
-
-
马克斯。
813
28
9.6
单位
mJ
mJ
A
非钳位感性负载时，我
AS
= 9.6 A;
t
p
= 0.2毫秒;牛逼
j
雪崩= 25之前;
V
DD
≤
50 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V
重复性雪崩能量
1
I
AR
= 9.6 A;吨
p
= 1
s;
T
j
之前
雪崩= 25 ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V
重复和不重复
雪崩电流
1
限制T的脉冲宽度和重复频率
j
马克斯。
1998年8月
1
启1.000
飞利浦半导体
初步speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
热阻
符号参数
R
日J- MB
R
日J-一
热阻结
安装基座
热阻结
到环境
条件
分钟。
-
-
PHP10N60E
典型值。马克斯。单位
-
60
0.75
-
K / W
K / W
电气特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
漏源击穿
电压
V
（ BR ） DSS
/漏极 - 源极击穿
T
j
电压温度
系数
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
V
GS （ TO ）
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
（ BR ） DSS
I
GSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
d
L
d
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
分钟。
600
-
-
2.0
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
0.1
0.7
3.0
5.5
2
80
10
130
8
60
20
55
160
70
3.5
4.5
7.5
1500
200
112
-
-
0.75
4.0
-
100
1000
200
150
10
85
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
%/K
V
S
A
A
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
pF
pF
pF
V
GS
= 10 V ;我
D
= 4.4 A
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
V
DS
= 30 V ;我
D
= 4.4 A
V
DS
= 600 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 125 C
栅极 - 源极漏电流V
GS
=
±30
V; V
DS
= 0 V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反馈电容
I
D
= 8.7 A; V
DD
= 480 V; V
GS
= 10 V
V
DD
= 300 V ;
D
= 33
;
R
G
= 5.6
从测得的标签，模具中心
从测得的漏导致的模具中心
从源铅源测量
焊盘
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲电流源（体
二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
T
mb
= 25C
T
mb
= 25C
I
S
= 9.6 A; V
GS
= 0 V
I
S
= 9.6 A; V
GS
= 0 V ;的di / dt = 100 A / μs的
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
-
740
9
9.6
38
1.2
-
-
A
A
V
ns
C
1998年8月
2
启1.000
飞利浦半导体
初步speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
PHP10N60E
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图1 。 SOT78 （ TO220AB ） ; 2脚连接安装基座。
笔记
1.请遵守一般注意事项对静电放电敏感器件（ESDS ），以防止
损坏MOS栅氧化物。
2.请参阅安装说明SOT78 （ TO220 ）信封。
3.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1998年8月
3
启1.000
飞利浦半导体
初步speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品speci fi cation
极限值
PHP10N60E
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
限制值以符合绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。应力大于1
以上的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和
该器件在这些或高于任何其他条件的特点，部分给定的操作
本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
飞利浦电子公司1998年N.V。
保留所有权利。严禁复制全部或部分未经事先书面同意
著作权人。
本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息，它被认为是
准确和可靠的，没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受
因此它的使用。发布本文件并不表示（或暗示）专利或其他任何许可
工业或知识产权。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
1998年8月
4
启1.000
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