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飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

PHP10N10E

概述

N沟道增强模式

在场效应功率晶体管

塑料封套。该装置是

拟用于开关模式使用

电源（SMPS ），电机

控制，焊接，直流/直流和交流/直流

转换器，和在一般用途

开关应用。

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

P

合计

T

j

R

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

漏源导通电阻

马克斯。

100

11

60

175

0.25

单位

V

A

W

C

钉扎 - TO220AB

针

1

2

3

TAB

门

漏

来源

漏

描述

引脚配置

TAB

符号

d

g

1 23

s

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DS

V

DGR

±V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

T

j

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

储存温度

结温

条件

-

R

GS

= 20 k

-

T

mb

= 25 C

T

mb

= 100 C

T

mb

= 25 C

T

mb

= 25 C

-

-

分钟。

-

-

-

-

-

-

-

- 55

-

马克斯。

100

100

30

11

7.7

44

60

175

175

单位

V

V

V

A

A

A

W

C

C

热阻

符号

R

日J- MB

R

日J-一

参数

热阻结到

安装底座

热阻结到

环境

条件

分钟。

-

-

典型值。

-

60

马克斯。

2.5

-

单位

K / W

K / W

1997年9月

1

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

PHP10N10E

静态特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

I

DSS

I

DSS

I

GSS

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安

V

DS

= V

GS

; I

D

= 1毫安

V

DS

= 100 V; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

= 25 C

V

DS

= 100 V; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

= 125 C

V

GS

=

±30

V; V

DS

= 0 V

V

GS

= 10 V ;我

D

= 5.5 A

分钟。

100

2.1

-

-

-

-

典型值。

-

3.0

1

0.1

10

0.22

马克斯。

-

4.0

10

1.0

100

0.25

单位

V

V

A

mA

nA

动态特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

L

d

L

d

L

s

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反馈电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部排水电感

内部源极电感

条件

V

DS

= 25 V ;我

D

= 5.5 A

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

V

DD

= 30 V ;我

D

= 3 A;

V

GS

= 10 V ;

GS

= 50

;

R

根

= 50

从螺丝接触测量

标签，模具中心

从漏极引线6毫米测

从包装到模具中心

从源测量导致6毫米

从包装到源焊盘

分钟。

3

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

4.2

400

90

35

9

25

30

20

3.5

4.5

7.5

马克斯。

-

500

120

50

14

40

45

40

-

-

-

单位

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nH

nH

nH

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

I

DR

I

DRM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

-

-

I

F

= 11 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 11 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= 0 V; V

R

= 30 V

分钟。

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

1.2

90

0.35

马克斯。

11

44

1.5

-

-

单位

A

A

V

ns

C

雪崩限值

T

mb

= 25 C除非另有说明

符号

W

DSS

参数

漏源不重复

非钳位电感关断

能源

条件

I

D

= 11 A; V

DD

≤

50 V ;

V

GS

= 10 V ;

GS

= 50

分钟。

-

典型值。

-

马克斯。

35

单位

mJ

1997年9月

2

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

PHP10N10E

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

PD ％

归一化功率降额

1E+01

第i个J- MB / （K / W）

BUKX52

1E+00

0.5

0.2

0.1

0.05

1E-01 0.02

0

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

P

D

t

p

D=

t

p

T

t

1E-02

1E-07

T

1E-05

1E-03

T / S

1E-01

1E+01

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

mb

)

ID％

归一化电流降额

图4 。瞬态热阻抗。

Z

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

20

ID / A

VGS / V =

20

15

10

BUK452-100A

8

15

7

10

6

5

5

4

0

20

40

60

80 100

TMB / C

120

140

160

180

0

0

2

4

VDS / V

6

8

10

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

mb

） ;条件： V

GS

≥

10 V

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

RDS （ ON） /欧姆

4.5 5

5.5

6

6.5

7

0.6

BUK452-100A

VGS / V =

7.5

8

10

100

ID / A

A

)

ON

S(

=

V

/

DS

ID

BUK452-100

1.0

B

0.8

TP = 10我们

100美

10

RD

DC

1

1毫秒

10毫秒

100毫秒

0.4

20

0.2

0.1

1

10

VDS / V

0

100

0

2

4

6

8

10 12

ID / A

14

16

18

20

如图3所示。安全工作区。牛逼

mb

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

1997年9月

3

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

PHP10N10E

ID / A

20

16

12

8

TJ / C =

BUK452-100A

4

VGS （ TO ） / V

马克斯。

25

3

典型值。

150

分钟。

2

1

4

0

0

0

2

4

VGS / V

6

8

10

-60

-20

20

60

TJ / C

100

140

180

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;条件： V

DS

= 25 V ;参数T

j

GFS / S

BUK452-100A

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 1毫安; V

DS

= V

GS

ID / A

亚阈值传导

5

1E-01

4

1E-02

3

1E-03

2%

典型值

98 %

2

1E-04

1

1E-05

0

0

2

4

6

8

10

ID / A

12

14

16

18

1E-06

0

1

2

VGS / V

3

4

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

） ;条件： V

DS

= 25 V

a

归一化的RDS（ON ） = F （TJ）

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS ）

;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

C / pF的

BUK4y2-100

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

10000

1000

西塞

100

科斯

CRSS

-60

-20

20

60

TJ / C

100

140

180

10

0

20

VDS / V

40

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

); I

D

= 5.5 A; V

GS

= 10 V

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

1997年9月

4

启1.000

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

PHP10N10E

12

10

8

6

4

2

0

VGS / V

BUK452-100

VDS / V = 20

80

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

WDSS ％

0

2

4

QG / NC

6

8

10

20

40

60

80

100

120

TMB / C

140

160

180

图13 。典型导通栅极电荷特性。

V

GS

= F （Q

G

） ;条件：我

D

= 11 A;参数V

DS

IF / A

BUK452-100A

图15 。正常化雪崩能量等级。

W

DSS

（％）= F（T

mb

） ;条件：我

D

= 11 A

+

20

VDD

L

VDS

VGS

-

-ID/100

T.U.T.

R 01

分流

10

TJ / C =

150

25

0

RGS

0

0

1

VSDS / V

2

图14 。典型的反向二极管电流。

I

F

= F（V

SDS

） ;条件： V

GS

= 0 V ;参数T

j

图16 。雪崩能量测试电路。

2

W

DSS

=

0.5

LI

D

BV

DSS

/ （ BV

DSS

V

DD

)

1997年9月

5

启1.000

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