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分立半导体
数据表
PHP109
P沟道增强模式
MOS晶体管
产品speci fi cation
取代1996年的数据06月11日
在分离式半导体， SC13b文件
1997年6月18日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强模式
MOS晶体管
特点
高速开关
无二次击穿
非常低的导通电阻。
应用
电机和驱动器
电源管理
同步整流。
描述
在一个8管脚P沟道增强型MOS晶体管
塑料SO8 （ SOT96-1 ）封装。
小心
该器件采用防静电包装中提供。
栅源输入必须加以保护，防止静电
运输或装卸过程中排出。
手册，
8
halfpage
PHP109
钉扎 - SO8 （ SOT96-1 ）
针
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
北卡罗来纳州
s
s
g
d
d
d
d
来源
来源
门
漏
漏
漏
漏
描述
没有连接
5
d
d d d
1
4
MAM115
北卡罗来纳州s
s
g
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
符号
V
DS
V
SD
V
GS
V
gsth
I
D
R
DSON
P
合计
参数
漏极 - 源极电压（直流）
源极 - 漏极二极管正向电压
栅极 - 源极电压（直流）
门源阈值电压
漏电流（ DC ）
漏源导通电阻
总功耗
I
D
=
1
毫安; V
DS
= V
GS
T
s
= 80
°C
I
D
=
2.5
A; V
GS
=
10
V
T
s
= 80
°C
I
S
=
1.25
A
条件
1
分钟。
马克斯。
30
1.3
±20
2.8
5
0.09
4
V
V
V
V
A
W
单位
1997年6月18日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强模式
MOS晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
参数
漏极 - 源极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
T
s
= 80
°C;
注1
注2
T
s
= 80
°C
T
AMB
= 25
°C;
注3
T
AMB
= 25
°C;
注4
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
笔记
1. T
s
是在漏极引线的焊接点的温度。
2.脉冲宽度和占空比限制的最高结温。
3.值的基础上的印刷电路板带有R
TH A- TP
（环境，以配合点）的27.5 K / W 。
4.价值的基础上的印刷电路板带有R
TH A- TP
（环境，以配合点） 90 K / W 。
储存温度
工作结温
T
s
= 80
°C
注2
条件
65
65
分钟。
PHP109
马克斯。
30
±20
5
20
4
2.7
1.15
+150
+150
3
12
V
V
A
A
单位
W
W
W
°C
°C
源极 - 漏极二极管
源电流（ DC）的
峰值脉冲电流源
A
A
手册， halfpage
10
MGD381
P合计
(W)
手册， halfpage
10
2
MGD382
8
ID
(A)
TP =
10
s
100
s
1毫秒
10
6
(1)
4
DC
1
P
δ
=
tp
T
10毫秒
2
100毫秒
tp
0
0
50
100
150
TS （
o
C)
200
t
T
1
10
VDS （ V）
10
2
10
1
10
1
δ
= 0.01; T
S
= 80
°C.
(1) R
DSON限制
.
图2功率降额曲线。
图3一飞冲天。
1997年6月18日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强模式
MOS晶体管
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
价值
17.5
PHP109
单位
K / W
10
2
RTH -S
（K / W）
10
MGD392
δ
=
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
1
0.05
0.02
0.01
P
10
1
0
tp
T
10
2
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
δ
=
tp
T
t
吨P（S ）
1
Fig.4
从结点到焊接点的脉冲时间的函数瞬态热阻;典型值。
1997年6月18日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强模式
MOS晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
gsth
I
DSS
I
GSS
R
DSON
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G
Q
GS
Q
GD
参数
漏源击穿电压
门源阈值电压
漏极 - 源极漏电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
条件
V
GS
= 0; I
D
=
10 A
V
GS
= V
DS
; I
D
=
1
mA
V
GS
= 0; V
DS
=
24
V
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0
V
GS
=
4.5
V ;我
D
=
1.25
A
V
GS
=
10
V ;我
D
=
2.5
A
V
GS
= 0; V
DS
=
24
V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
=
24
V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
=
24
V ; F = 1 MHz的
V
GS
=
10
V; V
DD
=
15
V;
I
D
=
2.5
A
V
GS
=
10
V; V
DD
=
15
V;
I
D
=
2.5
A
V
GS
=
10
V; V
DD
=
15
V;
I
D
=
2.5
A
V
GS
= 0到
10
V; V
DD
=
15
V;
I
D
=
1
A;
L
= 15
;
R
根
= 6
V
GS
=
10
为0 V ; V
DD
=
15
V;
I
D
=
1
A;
L
= 15
;
R
根
= 6
分钟。
30
1
典型值。
825
350
150
30
3
12
PHP109
马克斯。
2.8
100
±100
0.15
0.09
40
单位
V
V
nA
nA
pF
pF
pF
nC
nC
nC
开关时间
（参见图11 ）
t
D（上）
t
f
t
on
t
D（关闭）
t
r
t
关闭
V
SD
t
rr
导通延迟时间
下降时间
导通开关时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
关断开关时间
V
GD
= 0; I
S
=
1.25
A
I
S
=
1.25
A;的di / dt = 100 A / μs的
7
10
17
60
40
100
70
35
200
1.3
ns
ns
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管
源极 - 漏极的正向电压
反向恢复时间
V
ns
1997年6月18日
5
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