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PHP/PHB/PHD108NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
牧师02 - 2002年9月11日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PHP108NQ03LT在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB108NQ03LT在SOT404 （D
2
-Pak ）
PHD108NQ03LT在SOT428 （ D- PAK ） 。
1.2产品特点
s
兼容逻辑电平
s
极低的通态电阻
1.3应用
s
DC到DC转换
s
开关电源
1.4快速参考数据
s
V
DS
= 25 V
s
P
合计
= 180 W
s
I
D
= 75 A
s
R
DSON
≤
6 m
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT78 ， SOT404 ， SOT428 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到
漏极（四）
2
1
MBK106
简化的轮廓
[1]
mb
mb
mb
符号
d
g
s
MBB076
2
1
3
MBK116
3
MBK091
顶视图
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
SOT404 （D
2
-Pak ）
SOT428 （ D- PAK ）
这是无法接受的连接的SOT404或SOT428封装管脚2 。
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.极限值
表2：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
I
D
V
GS
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
漏电流（ DC ）
栅源电压
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 43 A;
t
p
= 0.25毫秒; V
DD
≤
15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;起始物为
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
o
C
25
°C ≤
T
j
≤
175
o
℃;
GS
= 20 k
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
25
25
75
60
±20
108
180
+175
+175
75
108
180
单位
V
V
A
A
V
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
9397 750 10159
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产品数据
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飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
5 V
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
003aaa190
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
102
100
s
DC
10
1毫秒
10毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
4.热特性
表3：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
最小典型最大单位
-
-
-
-
-
60
75
50
0.8
-
-
-
K / W
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
SOT78
SOT428
SOT404和SOT428
垂直静止空气中
SOT428最低足迹;
安装在PCB上
SOT404最低足迹;
安装在PCB上
符号参数
4.1瞬态热阻抗
1
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
003aaa191
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
P
δ
=
tp
T
tp
T
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
t
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
5.特点
表4：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
I
DSS
门源阈值电压
漏极 - 源极漏电流
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 25 A; V
GS
= 0 V;
图12
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的; V
GS
= 0 V;
V
DS
= 25 V
V
DD
= 15 V ;
D
= 0.6
;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
图11
I
D
= 40 A; V
DD
= 15 V; V
GS
= 5 V;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
23
8.4
7.3
580
230
24
102
53
54
0.9
34
27
-
-
9.9
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
-
-
6.2
10
5.1
7.5
14
6.0
m
m
m
-
-
-
0.05
-
0.02
1
500
100
A
A
nA
25
22
1
-
-
-
-
-
2
V
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
1990 -
源极 - 漏极二极管
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PHP/PHB/PHD108NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
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产品数据
1.产品廓
1.1说明
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
PHP108NQ03LT在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB108NQ03LT在SOT404 （D
2
-Pak ）
PHD108NQ03LT在SOT428 （ D- PAK ） 。
1.2产品特点
s
兼容逻辑电平
s
极低的通态电阻
1.3应用
s
DC到DC转换
s
开关电源
1.4快速参考数据
s
V
DS
= 25 V
s
P
合计
= 180 W
s
I
D
= 75 A
s
R
DSON
≤
6 m
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT78 ， SOT404 ， SOT428 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到
漏极（四）
2
1
MBK106
简化的轮廓
[1]
mb
mb
mb
符号
d
g
s
MBB076
2
1
3
MBK116
3
MBK091
顶视图
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
SOT404 （D
2
-Pak ）
SOT428 （ D- PAK ）
这是无法接受的连接的SOT404或SOT428封装管脚2 。
飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.极限值
表2：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
I
D
V
GS
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
漏电流（ DC ）
栅源电压
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
mb
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 43 A;
t
p
= 0.25毫秒; V
DD
≤
15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;起始物为
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
o
C
25
°C ≤
T
j
≤
175
o
℃;
GS
= 20 k
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
25
25
75
60
±20
108
180
+175
+175
75
108
180
单位
V
V
A
A
V
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
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飞利浦半导体
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
PDER
(%)
80
03aa16
120
伊德尔
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
0
0
50
100
150
200
TMB （ ° C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
5 V
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
003aaa190
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
102
100
s
DC
10
1毫秒
10毫秒
1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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的TrenchMOS 逻辑电平FET
4.热特性
表3：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
最小典型最大单位
-
-
-
-
-
60
75
50
0.8
-
-
-
K / W
K / W
K / W
K / W
从结热阻安装基座
图4
从结点到环境的热阻
SOT78
SOT428
SOT404和SOT428
垂直静止空气中
SOT428最低足迹;
安装在PCB上
SOT404最低足迹;
安装在PCB上
符号参数
4.1瞬态热阻抗
1
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
003aaa191
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
P
δ
=
tp
T
tp
T
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
t
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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的TrenchMOS 逻辑电平FET
5.特点
表4：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
I
DSS
门源阈值电压
漏极 - 源极漏电流
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 25 A; V
GS
= 0 V;
图12
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的; V
GS
= 0 V;
V
DS
= 25 V
V
DD
= 15 V ;
D
= 0.6
;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
图11
I
D
= 40 A; V
DD
= 15 V; V
GS
= 5 V;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
23
8.4
7.3
580
230
24
102
53
54
0.9
34
27
-
-
9.9
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
-
-
6.2
10
5.1
7.5
14
6.0
m
m
m
-
-
-
0.05
-
0.02
1
500
100
A
A
nA
25
22
1
-
-
-
-
-
2
V
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
1990 -
源极 - 漏极二极管
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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